MOS器件常用的元胞形状及布局如下图所示。其中阴影部分表示多晶硅,空白部分为源区杂质注入窗口。
1. 条形元胞
制造工艺简单,但是在所有图形中条形元胞的沟道宽度较小,因此有较高的导通电阻。
图 3.5(a) 条形元胞条形布局以及由其衍生出来的梳状和蛇形布局都会在布线中出现转角或者截止端,通常为了方便布线,将这些地方都设计成直角。在器件的制作中,这些直角的地方由于杂质的扩散会形成 1/8 球面结,击穿电压会低于其他部分的 1/4 柱面结。同样的情况也发生在图 3.5(b) 的正方形元胞田字形布局和图 3.5(c) 的品字形布局上。这几种布局通常运用在低压 MOS 器件上。
2. 方形元胞
方形元胞的应用更加广泛,但是方形元胞会有90°拐角,不及图1-1中 (f) (g) 的三角形紧密排列和六边形紧密排列的性能好。在图1-1 中 (e) (h) 浪费掉很多面积,对降低导通电阻也没有效果。
3. 圆形元胞
图 3.5(d),(e) 的圆形元胞的出现