器件工程设计及应用复习提纲

器件工程设计及应用

笔试涉及科目：数电/模电/IC基础知识/器件材料基础/器件可靠性/半导体物理与器件/分立器件/器件分析/显示/射频器件 等科目

 

1、 当二极管的反向电压超过额定电压Vbr后，反向电流急剧增加，这种现象称为：雪崩击穿

2、 Moore定律由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔提出的，其内容为：集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔多少个月便会增加一倍： 18个月

3、 带隙基准主要是利用Vbe电压负温度系数和2个双极晶体管Vbe差值正温度系数特性

4、 若反馈深度|1+AF|<1时，放大电路工作于 正反馈状态

5、 一般而言，硅基MOSFET导通阻抗（Rdson）具有正的温度系数，如果温度降低，则MOSFET的导通阻抗 变小

6、 MOSFET的阈值电压与 栅氧厚度、温度、沟道掺杂浓度 有关

7、 关于放大器S参数

8、 光从空气正入射到玻璃（折射率n=1.5)中，在交界面处有 0.04 光功率会被反射

9、 电感元件的Q值等于 感抗与其等效串联电阻的比值

10、 PMOS的导电沟通由空穴构成

11、 微带传输线传输的电磁波是 准TEM波

12、 MOS管的输出阻抗随VDS变化的趋势是先变大后变小

13、 溶解高分子材料所用溶剂的选择原则是 极性相似相溶原则、度相似相溶原则、溶剂化原则

14、 器件参数累积容差计算一般有：Monte Carlo方法、EVA为极限值容差、RSS为均方根容差

15、 射频功率放大器的关键性能参数：功率附加效率、增益、
输出功率

16、 元器件的常用分析手段中，无损分析有：X-ray、外观观察、声扫

17、 开关型稳压电源基本重要项目的有：开关频率、输入电压范围、输出电压范围、输出电流

18、 器件参数容差来源可能的因素：初始容差、寿命容差、其它因素引起的容差、温度容差

19、 微波传输线包括：微带传输线、平行双线、波导传输线、同轴传输线

20、 硅基MOSFET导通阻抗（Rdson）具有正的温度系数，如果温度降低，则MOSFET的导通阻抗 变小

21、 杂质半导体中的载流子输运时，当温度降低时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化是：变大、变小

22、 一个垂直型结构的NPN三极管，制造出来以后Beta值偏小，降低基区掺杂浓度 可以提升Beta值

23、 OLED为解决反射问题，使用的偏光片具有：1/4λ波片

24、 基于光电导效应的半导体光电器件有：光敏电阻

25、 MOS管的输出阻抗随VDS变化的趋势：先变大后变小

26、 晶体三极管工作在饱和状态时：发射结正偏、集电结反偏

27、 增强型场效应管是依靠 少数载流子 进行导电

28、 环境工作温度范围为0~100℃的芯片，如果内部集成分立电容，则该分立电容应该选用X7R，以满足工作温度要求

29、 Cascode电流镜的优点：大输出阻抗

30、 超声扫描显微镜通常使用的用于声波传播的液体介质是：纯净水

31、 FinFET晶体管和平面结构晶体管的亚阈值特性比较有 更加陡峭 特征

32、 对于p型半导体，费米能级位于 禁带中线以下

33、 相同封装和材料的陶瓷电容，随着介质层厚度的减少，容量的变化：封装相同，容量增加

34、 对于大注入下的直接辐射复合，非平衡载流子的寿命与 非平衡载流子浓度成反比

35、 关于多缝夫琅和费衍射，随着狭缝数目的增加 主极大条纹变亮，变细

36、 混频器可以由施加到它的两个信号产生新的频率，当频率分别为f1和f2（f1>f2）的两个信号输入混频器，输出信号的频率为：f1+f2和f1-f2

37、 某个射频器件的频率范围是1.5GHz~2.5GHz，则其相对带宽为：50%

38、 两个阻值分别为1000ohm和3000ohm的电阻并联，等效阻值为：750ohm

39、 通常使用AQL（Acceptable Quality Level 平均出厂质量 ）指标进行连续批抽样检验

40、 电感的损耗由 保持时间 构成

41、 可以作为半导体器件的衬底材料：Si、GaAs、蓝宝石（Al2O3）、SiC

42、 作为电磁波，光的性质描述可以用：频率、电场幅度、初始相位、传播常数

43、 LDO芯片和Buck芯片相比：线性度好、成本低、外围应用简单

44、 可编程逻辑器件：PAL、PLC、FPGA、PLD

45、 磁器件有：磁珠、变压器、继电器、电感

46、 半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有：晶格振动散射、电离杂质散射、中性杂质散射、位错散射

47、 与金属材料相比，陶瓷材料的物理性能有：高熔点、搞硬度

48、 在集成电路中，解决亚稳态有哪些方法哪些？如：改善时钟质量，用边沿变化快速的时钟信号、用反应更快的Flip-Flop、引入同步机制

49、 对于D触发器，为了保证可靠的采样，数据在时钟信号上升沿到来以后必须稳定一段时间，这个时间称为：保持时间

50、 压敏电阻是常见电压保护器件，其主要的电气规格包括哪些？

51、 LTPS-TFT与a-Si-TFT相比：LTPS TFT尺寸更小

52、 为了使He-Ne 激光器的相干长度达到1Km， 它的单色性（线宽/波长）应为：6.328*1E10

53、 半导体材料中，声学波散射的平均自由时间与温度：3/2次方成反比

54、 理想电压源和理想电流源之间：没有等效变换关系

55、 关于DRAM和SRAM：DRAM一般要求至少要每64ms刷新一次、SRAM速度非常快，通常将SRAM作为cache使用、读取操作对于SRAM不是破坏性的，所以SRAM不存在刷新的问题

56、 如果光栅间距d=3um，入射波长为1500nm，其正入射的一级衍射角的大小为：30°

57、 MOSFET的导通电流与栅极宽度关系是：成正比

58、 对于单晶材料：有特定的对称性、有确定的熔点、各向异性

59、 在温度变化/电压变化时，阻值变化范围最小的器件类别是：厚膜电阻

60、 把GaP在氮气氛围中退火，会有N取代部分的P，GaP中会：产生等电子陷阱

61、 晶体的频率和哪些相关：晶片厚度、电极厚度、电极面积

62、 分析以下 应力纹 可以判定芯片开裂的起裂点

63、 已知A与B可形成固溶体，在A中加入B可使A的熔点降低，则B在所形成固溶体中的含量小于 B在液相中的含量

64、 X5R陶瓷电容器的工作温度范围是：-55~+85℃

65、 二输入同或门，输入端是A、B，输出端是Y，当A固定为高时，Y与B的关系是：Y与B的高低状态相同

66、 史密斯圆图的圆心阻抗通常是：50Ω

67、 通常铝电解电容的电介质是：氧化铝

68、 LED的工作模式是：电流驱动型

69、 软磁材料具备哪些特性？

70、 半导体材料 禁带宽度的大小

71、 材料的Tg点

72、 电磁波的电场、磁场和传播方向：相互垂直

73、 本征半导体是指什么？