MOS管1——MOS的寄生模型

最新推荐文章于 2024-03-12 08:30:00 发布

qq_19469909

最新推荐文章于 2024-03-12 08:30:00 发布

阅读量654

点赞数 7

文章标签：嵌入式硬件

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_19469909/article/details/134518958

版权

基础器件

前言

MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor）的缩写，具有高速和低损耗的特性

一、基本模型

图1 NMOS和PMOS的寄生模型

图1-1显示了NMOS和PMOS增强型的等效电路，以及导通时的电流流向。如果漏极电位（漏极drain，排出，泄漏，中文翻译为漏极，起发射作用的电极）高于源极（源极source源，电源，中文翻译为源极，起集电作用的电极），电流为D到S；若源极高于漏极，电流S到D

二、静态参数

MOS管的参数有两类，静态参数和动态参数。
当用于低频率场合，如负载开关，器件驱动等，只需要关注静态参数；
当用于高频场合，如电平转换，小信号处理，还需要关注其动态参数。

VDSS：当栅极和源极导通时，可施加在漏极和源极之间的最大电压；
VGSS：当漏极和源极导通时，可施加在栅极和源极之间的最大电压；
ID：漏极端子的最大允许电流；
ID(PULSE)：脉冲操作时漏极段子的最大允许电流；
IDR：寄生二极管的最大允许电流；
Pch：漏极和源极之间的最大允许功率损耗；
VBRDSS：漏极和源极之间的击穿电压，通过将栅极和源极短路，实现特定漏极电流的漏极与源极电压；
VGS(th)：栅极-源极阈值电压；
IDSS：漏极漏电流，将栅极与源极短路，在漏极和源极之间施加规定电压时的漏极电流；
IGSS：栅极漏电流，将漏极与源极段楼，在栅极和源极之间施加规定电压时的漏极电流；
VGS(OFF)：当施加指定的漏极到源极电压时，用于指定漏极电流的栅极到源极的电压
RDS(ON)：漏极源极之间的导通电阻，当施加指定栅极到源极电压（Vgs）时，指定漏极电流的漏极到源极电阻；
RG：栅极寄生电阻。

图1-2：VGS与RDSON之间的关系曲线

VGS(th) 对去顶MOSFET的导通和截止状态很重要。VGS（th）定义为VDS = VGS。
RDS(ON)并不是一个固定值，它随VGS的大小而变化。图1-2显示，VGS越大，MOS的沟道开启越多，等效的RDS（ON）越小，开关损耗也就越小；
另外VGS(th)只是一个门槛值，表明MOS的沟道以及打开，但是没有完全打开。
所以一般施加的VGS一定要大于VGS（th），取1.5×VGS（th），需要考虑到VGS的波动。

三、动态参数

Qgd：栅极-漏极电荷，电压与栅极和漏极之间的镜像效应导致电荷增加
Qgs：栅极-源极电荷，将栅极-源极电压增加到阈值电压所需的电荷
Qg：栅极总电荷，在栅极和源极之间施加规定电压所需的电荷
Ciss：输入电容，Ciss = CGS + CGD
Coss：输出电容，Coss = CDS + CGD
Crss：反向转移电容，Crss = CGD
td(on)：导通延时
tr：上升时间
td(off)：关断延时
VSD：体二极管的源漏电压

四、动态过程

QG、QGS和QGD都是来自同一栅极电荷曲线的参数。
它们描述了在特定条件下，MOSFET需要多少栅极电荷才能切换。
当漏极、栅极和源极之间同时发生显著的电压和电流变化时，大部分功率损耗发生在开关期间。
在全关闭状态下，存在显著的电压，但电流可以忽略不计。
在全导通状态下，存在显著的电流和较小的电压。
栅极电荷曲线示例如图1-3所示：
在这里插入图片描述
图1-3：QGS的充电如何影响ID，VD，VG

由于电容随电压和电流的变化，在确定开关性能的时候，最好查看栅极电荷数据，而不是电容参数。如果MOS的栅极驱动电路被限制在特定电流，并且需要快速开关，则更应该看栅极电荷参数。
该MOS的漏极被限制在特定的电流和电压（VD，ID）。
在此期间，因为MOS上增加的电荷更容易传导，漏极-源极电压（VDS）开始下降。栅极-源极电压（VGS）电压变恒定平台期，但是漏极-栅极VDS正在下降。最终，Cgs电容停止电压增加，栅极电荷的任何进一步增加都会增加栅极-源极电压（VGS）。这种特性有时被称为“米勒平台”，因为它指的是所谓的米勒电容增加的时间。
米勒平台也被称为栅极-漏极电荷（QGD）。在此期间，漏极和源极之间存在显著的电流和电压，因此QGD在确定开关损耗时很重要。

对米勒平台的解释：
在这里插入图片描述
MOSFETE的栅极驱动过程，可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容（主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程；
1、当Cgs达到门槛电压之后，MOSFET就会进入开通状态；
2、当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；
3、但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电；
4、Vgs又上升到驱动电压的值，此时MOSFET进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束。