MOS管1——MOS的寄生模型

基础器件

前言

MOSFET是金属氧化物半导体场效应晶体管MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor）的缩写，具有高速和低损耗的特性

一、基本模型

图1 NMOS和PMOS的寄生模型

图1-1显示了NMOS和PMOS增强型的等效电路，以及导通时的电流流向。如果漏极电位（漏极drain，排出，泄漏，中文翻译为漏极，起发射作用的电极）高于源极（源极source源，电源，中文翻译为源极，起集电作用的电极），电流为D到S；若源极高于漏极，电流S到D

二、静态参数

MOS管的参数有两类，静态参数和动态参数。
当用于低频率场合，如负载开关，器件驱动等，只需要关注静态参数；
当用于高频场合，如电平转换，小信号处理，还需要关注其动态参数。

VDSS：当栅极和源极导通时，可施加在漏极和源极之间的最大电压；
VGSS：