立创-IS61LV5128AL-10TLI静态RAM存储器参数及稳定性

制造商:ISSI

产品品种:静态随机存取存储器

RoHS:是

存储容量:4 Mbit

组织:512 k x 8

访问时刻:10 ns

最大时钟频率:100 MHz

接口类型:Parallel

电源电压-最大:3.63 V

电源电压-最小:3.135 V

电源电流—最大值:20 mA

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 85 C

设备风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSOP-44

封装:Tray

数据速率:SDR

系列:IS61LV5128AL

类型:Asynchronous

商标:ISSI

端口数量:1

湿度敏感性:Yes

产品类型:SRAM

工厂包装数量:135

子类别:Memory & Data Storage

单位重量:454 mg

IS61LV5128AL-10TLI 是由 Integrated Silicon Solution(ISSI) 生产的一款 1M x 8 位高速 CMOS 静
态 RAM 芯片。其主要特点和应用如下：

主要特点：

1.工作电压：3.3V
2.读写速度：10ns
3.封装形式：TSOP-44
4.数据存储容量：1M x 8 位
5.工作温度范围：-40℃ ~ 85℃
应用领域：

1.数字电子设备：如消费类电子产品、通信设备、计算机及其周边设备等。
2.工业控制：如自动化控制系统、仪器仪表等。
3.汽车电子：如车载信息系统、导航系统等。
4.医疗设备：如医疗影像设备、监护设备等。
在电路设计中，可以将 IS61LV5128AL-10TLI 用于需要高速数据存储的应用场景。

有哪些因素会影响IS61LV5128AL-10TLI的性能表现及稳定性？

在使用 IS61LV5128AL-10TLI 时，以下因素可能会影响其性能表现和稳定性：

1.电源电压：IS61LV5128AL-10TLI 的工作电压为 3.3V。电源电压的波动可能会影响其正常工作，甚至导致数据丢失或损坏。确保电源电压的稳定性和精度对于保证其性能和稳定性至关重要。

2.地线连接：良好的地线连接对于降低噪声和提高电路稳定性非常重要。应尽量减小地线阻抗，避免地线噪声影响 IS61LV5128AL-10TLI 的性能。

3.时钟信号：IS61LV5128AL-10TLI 的读写操作依赖于时钟信号。时钟信号的质量和稳定性直接影响其性能表现。应确保时钟信号的频率、占空比等参数符合数据手册中的要求。

4.输入信号：IS61LV5128AL-10TLI 的输入信号包括地址、数据和控制信号。这些信号的电平、波形和传输路径等因素可能会影响其性能和稳定性。在电路设计中，应确保输入信号符合数据手册中的规格要求。

5.输出信号：IS61LV5128AL-10TLI 的输出信号包括数据和控制信号。输出信号的驱动能力、负载和传输路径等因素可能会影响其性能和稳定性。在电路设计中，应确保输出信号的负载匹配，避免过高的负载导致输出信号质量下降。

6.温度：IS61LV5128AL-10TLI 的工作温度范围为 -40℃ ~ 85℃。超出这个范围，其性能和稳定性可能会受到影响。在实际应用中，应确保其工作环境温度在允许范围内。

7.EMI 和噪声：电磁干扰（EMI）和噪声可能会影响 IS61LV5128AL-10TLI 的性能和稳定性。在电路设计中，应注意抑制噪声和干扰，例如使用去耦电容、屏蔽技术等。

8.耐久性和寿命：IS61LV5128AL-10TLI 的耐久性和寿命可能受工作条件、使用方式等因素影响。在实际应用中，应遵循数据手册中的建议，合理使用和维护，以延长其使用寿命。