中文资料IS62WV51216BLL-55TLI 存储芯片

IS62WV51216BLL-55TLI
规格信息：

制造商:ISSI

产品种类:静态随机存取存储器

RoHS:是

存储容量:8 Mbit

组织:512 k x 16

访问时间:55 ns

最大时钟频率:18 MHz

接口类型:Parallel

电源电压-最大:3.6 V

电源电压-最小:2.5 V

电源电流—最大值:25 uA

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 85 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TSOP-44

封装:Tray

数据速率:SDR

系列:IS62WV51216BLL

类型:Asynchronous

商标:ISSI

端口数量:1

湿度敏感性:Yes

产品类型:SRAM

工厂包装数量:135

子类别:Memory & Data Storage

单位重量:6.677 g

IS62WV51216BLL-55TLI 是由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）公司生产的一款高性能、低功耗的移动设备专用存储器产品。这是一款同步动态随机存取存储器（SDRAM），具有16位数据宽度和512Mbit（64MB）的存储容量。该器件旨在满足移动设备对高速数据传输和低功耗的需求，适用于智能手机、平板电脑、数码相机等电子产品。
 
主要特点：
1. 高性能同步动态随机存取存储器（SDRAM）：提供高速数据传输速率，最高可达133MHz（PC2100）。
2. 16位数据宽度：支持16位数据并行传输，提高了数据传输效率。
3. 512Mbit（64MB）存储容量：提供了足够的存储空间，满足移动设备的各种数据存储需求。
4. 低功耗设计：优化了电源管理，降低了工作电流，以延长移动设备的电池寿命。
5. 封装形式：采用先进的FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装，减小了封装尺寸，提高了集成度。
 
IS62WV51216BLL-55TLI 适用于各种移动设备，如智能手机、平板电脑、数码相机等，为其提供高速、大容量的内存解决方案。同时，其低功耗特性也有助于延长设备的电池寿命。

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