大电流下碳化硅模块的驱动器设计研究（SiC功率模块）

大电流下 SiC MOSFET功率模块的驱动器研究：

由于碳化硅（ SiC ） MOSFET 具有高频、低损耗、高耐温特性，在提升新能源汽车逆变器效率和功率密

度方面具有巨大优势。对于 SiC MOSFET 功率模块，研究大电流下的短路保护问题、高开关速度引起的驱动振

荡问题尤为重要。针对这些问题，设计了大电流下 SiC MOSFET 功率模块的驱动器，包括电源电路、功率放大

电路、短路保护电路、有源米勒钳位电路和温度检测电路。在分析了驱动振荡机理后，通过有限元软件提取了

驱动回路的寄生电感，优化驱动回路布局，使得开通与关断回路杂