碳化硅模块电路拓扑封装综述（银烧结功率模块 SiC）

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碳化硅功率器件具有耐高压、开关速度快和导通损耗低等优点，因此正在逐渐成为电力变换系统的核心器件，尤其在新能源汽车、可再生能源、储能、数据中心、轨道交通和智能电网等领域，器件的应用越来越广泛。碳化硅作为宽禁带半导体的代表，理论上具有极其优异的性能，有望在大功率电力电子变换器中替换传统硅 IGBT，进而大幅提升变换器的效率以及功率密度等性能。

在工业电源、电动汽车与航空航天领域，碳化硅（SiC）功率器件的高效率与耐高温特性正逐步替代传统硅基器件。然而，SiC芯片的高功率密度与高温运行需求，对封装技术提出了前所未有的挑战——传统焊料在高温下易疲劳失效，成为制约性能释放的关键瓶颈。

银烧结技术凭借低温工艺与超高可靠性，成为解锁SiC潜力的‘银钥匙’。爱仕特基于此技术开发的碳化硅模块，已在多个应用场景中验证其性能优势，为行业提供高效、稳定、可靠的解决方案。

34mm模块特点：1. 采用全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷；

2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗；

3. 适用高温、高频应用；

4. 参数表现： VDS：650~1700V ID：30~300A RDS(on) ：4~80mΩ

62mm模块特点 1. 采用全焊片工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷；

2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗；

3. 适用高温、高频应用；

4. 参数表现： - VDS：650~1700V - ID：30~600A - RDS(on) ：2~80mΩ

D21系列碳化硅模块的性能特点：高性能封装技术：采用高导热性AlN陶瓷基板，内置NTC，实现高效散热高开关速度：碳化硅材料的高电子迁移率，提升系统响应速度和动态性能高功率密度：搭载第三代自研碳化硅芯片，实现小尺寸下的大电流承受能力低寄生电感设计：紧凑内部布局，降低功率回路中的寄生电感

DCS12模块特点 1. 采用单面水冷+模封工艺，最高工作结温175℃；

2. 功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗；

3. 集成NTC温度传感器，易于系统集成；

4. 参数表现： - VDS：650~1700V - ID：400~800A - RDS(on) ：1.5~6.2mΩ

EP模块特点 1. 采用先进的真空回流焊工艺，Al2O3绝缘陶瓷，最高工作结温150℃； 2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗； 3. 适用高温、高频应用； 4. 集成NTC温度传感器，易于系统集成； 5. 参数表现： - VDS：650~1200V - ID：30~200A - RDS(on) ：6~80mΩ

MD3模块特点 1. 采用真空回流焊工艺，AlSiC底板+低热值AlN绝缘陶瓷，最高工作结温175℃； 2. 第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗； 3. 适用高温、高频应用，超低损耗； 4. 集成NTC温度传感器，易于系统集成； 5. 参数表现： - VDS：650~1700V - ID：300~800A - RDS(on) ：1.7~8.3mΩ

MED模块特点 1. 采用真空回流焊工艺，Cu底板+低热值AlN绝缘陶瓷，最高工作结温175℃； 2. 功率密度高,适用高温、高频应用，超低损耗； 3. 集成NTC温度传感器，易于系统集成； 4. 常关功率模块，零拖尾电流，寄生电感小于15nH，开关损耗低；

5. 参数表现： - VDS：650~1700V - ID：270~800A - RDS(on) ：1.5~8.7mΩ

MEP模块特点 1. 采用先进的真空回流焊工艺，Al2O3绝缘陶瓷，最高工作结温150℃； 2. 高功率密度，低寄生电感，低开关损耗； 3. 适用高温、高频应用； 4. 集成NTC温度传感器，易于系统集成； 5. 参数表现： - VDS：650~1700V - ID：30~300A - RDS(on) ：4~80mΩ