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碳化硅MOSFET/1200V单芯内阻13毫欧国产实现这一突破

碳化硅MOS器件驱动要领、PFC/LLC各种拓扑结构应用及材料封装特性

碳化硅MOSFET：3300V/60A高压大电流助力特种电源

器件具有极低的导通电阻，在15V驱动电压下低至98mΩ，配合低热阻新型TO-247-4L封装设计，可以有效提升电流能力，满足大功率应用需求。碳化硅MOSFET电压2000V内阻98毫欧，可以构建更小型、更轻量、更经济的设计，能够更有效地转换能量，并且支持各种终端应用。碳化硅材料的电子迁移率比硅高，能够更快地响应外部信号，器件因此具有更高的开关速度，有助于减少开关损耗，提高系统的动态性能。新型TO-247-4L封装设计，能够满足器件在现代电力电子系统中日益增长的高功率密度需求，使系统设计更为紧凑和高效。

大电流下碳化硅模块的驱动器设计研究（SiC功率模块）

碳化硅MOS驱动设计，原理图及驱动详解

碳化硅MOSFET的20KW高效LLC谐振隔离DCDC变换器方案研究

3300V碳化硅MOSFET业界领先的国产（SiC）功率器件，实现更高的效率与可靠性

碳化硅模块驱动设计技术一文详解

碳化硅MOS电压1200V~1700V~2000V~3300V更高至6500V，单管电流1A-200A模块电流到1000A。碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能等独特特点