一种提高SiC MOSFET在高开关速率下栅极电压稳定性的驱动电路

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以碳化硅 SiC(silicon        carbide)为 代 表 的宽禁带半导体技术快速发展和商业化，为电力电 子领域带来了技术革新的契机1-2。 一般而言，宽禁 带材料的能隙、击穿电场、导热系数、电子迁移率和 熔点都显著高于传统硅(Si)  材料13-5。采用碳化硅器 件将提升开关速率，缩短开关过程中电压和电流的 交叠时间，减小开关损耗，提升装置效率；在此基础上，通过进 一 步提高开关频率，可减小无源器件尺  寸，降低变换器系统成本，提升装置的功率密度和  性价比6-7。碳化硅器件在体积和重量要求较高的电  气化轨道交通，特别是高速铁路和城市轨道交通的  电力牵引驱动系统的应用中有着显著优势阁。然而， 碳化硅器件的开通、关断过程中，米勒电容被迫充、 放电产生位移电流干扰栅极电压四，高速率开关的  碳化硅器件引起的栅极寄生振荡现象更为显著1。若无法提供足够稳定的栅极电压，将导致系统降频  工作，限制变换器系统的进一步高频化和小型化叫。 因此，开关速率高且栅极电压稳定性强的栅极驱动， 是高频高功率密度碳化硅应用中的关键技术。国内外学者对高开关速率条件下，碳化硅器件 的可靠稳定栅极驱动技术展开了深入研究。文献[12] 针对采用固定电阻的传统驱动，研究了SiC MOS-   FET 开关速率的关键限制因素，研究结果为消除串 扰并改进栅极驱动提供了重要依据；文献[13]进一步 分析传统驱动下，SiC MOSFET的开关动态过程，通 过实验对比提出了参数优化思路；文献[14-16]研究 了商业化程度较高的有源米勒钳位技术 AMC(ac-tive  Miller   clamp),其工作原理是在检测到栅极电应力高于钳位阈值后，主动使能在栅源极之间的辅助晶体管，将栅极直接钳位于负向偏置电压，然而， 研究表明，有源米勒钳位技术在dv/dt低于20 V/ns   时，可以显著改善栅极寄生振荡，但是在dw/dt 较高的情况下，对于栅极寄生振荡，尤其是对栅极电压负向尖峰的缓解作用有限6;为进一步增强高开关速率条件下，SiCMOSFET的栅极电压稳定性，文献[17]提出了两种米勒电容耦合振荡抑制方法：栅极阻抗调节技术GIR(gateimpedanceregulation)和栅极电压控制技术GVC(gatevoltagecontrol),根据驱动信号规律预测栅极变化趋势，通过逻辑信号发生器控制栅极驱动中的辅助开关管，在开关瞬态过程中降低栅极阻抗从而钳位栅极电压，或在开关瞬态之前对栅源电容进行预充电从而反向抵消栅极的变化，dv/dt可达24.9V/ns; 在后续研究中，文献[18]提出了智能栅极驱动器IGD(intelligentgatedrive),在不同的开关瞬态下，根据驱动信号规律预测栅极振荡趋势，通过改变栅极电压和阻抗抑制串扰，降低栅极电应力，研究表明，在dv/dt=40V/ns时，IGD技术对串扰有明显抑制作用，然而，SiC  MOSFET的运行工况变化时，特别是在短路故障工况下，其开关动态也相应改变，根据固定规律预测栅极变化趋势易出现过补偿或欠补偿，影响前馈控制精度。因此，如何在高开关速率下稳定驱动SiCMOSFET,并实现可靠的短路保护，仍是值得探索的问题。为此，本文根据栅源电压干扰的传导特点，基 于辅助器件的跨导增益构建负反馈控制回路，提出 一种SiC  MOSFET 栅极驱动，进而研究揭示该驱动 的短路保护策略，最后通过实验研究所提栅极驱动 电路的可行性，及其在串扰抑制和短路保护中的有 效性。

1  基于跨导增益负反馈的栅极驱动电路

SiC  MOSFET开关动作造成的脉冲电压干扰和脉冲电流干扰，通过米勒电容耦合到栅极，干扰栅源电压，形成串扰。根据这一特点，构造基于跨导增益的负反馈调节机制，如图1所示。采用普通SiCMOSFET的驱动芯片，在被控SiC功率MOSFETQ 栅极附近增加1个辅助MOSFETQp。为了实现负反馈，辅助MOSFETQp的沟道特性应当与被控SiC  MOSFETQN互补。一般情况下，功率MOSFETQ 为N 沟道，因此，辅助MOSFETQp应当为P沟道。

图1 基于跨导增益负反馈的栅极驱动电路  Fig1 Gate drive circuit based on transconductancegain negative feedback

除辅助MOSFET 之外，普通SiCMOSFET驱动芯片输出信号，经过驱动电阻R和辅助电容C 构成的无源网络后，得到vcs作为栅源极的参考信号。驱动电阻R  和辅助电容C  用于调节被控SiC   MOSFET的开关速度。在功能上，辅助电容C 可缩小驱动芯片、辅助MOSFET 和被控SiC  MOSFET栅  源极三者构成的回路面积，实现驱动回路的高频解耦；驱动电阻R可限制驱动芯片对辅助电容C 的充、放电电流大小，起限流和保护的作用。需要指出的是，基于跨导增益负反馈的栅极驱动电路不依赖额外的电路，仅采用普通 SiC  MOSFET的驱动芯片 和驱动电阻R, 外加辅助 MOSFET 和辅助电容C 即 可实现。以图1所示电路为例，闭环负反馈控制器栅极 电压的跨导增益负反馈机理如图2所示。记被控SiCMOSFET的栅极电压为ves,驱动电压为vcs。驱动电压vcs作为栅源极的参考信号，输入栅极负反馈控制回路。参考信号与被控SiCMOSFET的栅源电压vs之差，通过辅助MOSFET的跨导增益gm,控制被控SiCMOSFET输入电容Ci和栅极内电阻R共同构成的被控对象。外界脉冲电压和脉冲电流的干扰n(s),   通过米勒电容产生位移电流，对被控SiCMOSFET的C充、放电，对栅源电压形成干扰。因此，图2中栅源电压干扰的传导特点可以归纳为：SiCMOSFET开关动作造成的脉冲电压干扰和脉冲电流干扰，通过米勒电容耦合到栅极，干扰栅源电压，形成串扰。

根据栅源电压干扰的传导特点，构造基于跨导 增益的负反馈调节机制。图2中，在引入负反馈控 制后，若vs 增大(或减小),则其与参考值vcs之差 增大，经过驱动管跨导增益的调节，对输入电容C   放电(或充电),vs  恢复稳定。栅极负反馈控制的目 标是让被控 SiC  MOSFET的栅源电压vcs跟踪驱动 信号vcs的变化，并屏蔽脉冲电压和脉冲电流的干 扰 n(s)。

图3展示了用于桥臂结构的基于跨导增益负 反馈的驱动电路。图中，R₁ 和 R₂ 分别为上管和下管的驱动电阻，C₁ 和 C₂ 分别为上管和下管的辅助电  容 ，Qp 和 Qp₂ 分别为上管和下管的辅助 MOSFET。 桥臂上管QH 作为主动管，在脉冲控制信号S₁  的 控  制下开通、关断；桥臂下管Q 作为被动管，其控制  信号S₂ 一直处于低电平，QL 沟道关断，仅用其寄生  体二极管续流。

SiC MOSFET的米勒电容C    和C随着漏源电压的增大而降低。为了方便揭示基于跨导增益负反馈的栅极驱动电路的工作原理，本文引入分段线性化的近似曲线，拟合实际曲线。当漏源电压大于栅源电压时，Cm和CL的值为C;      当漏源电压小于栅源电压时，C     和C    的值为Cm。桥臂中点输 出电流，在1个开关周期中，近似恒定，因此以恒流源表示为I,   记桥臂上的直流电压为Vpc。图 4(a)  和(b) 分别展示了图3所示电路中QH开通和关断的动态过程的理论波形。分别以S₁从低电平变为高电平的时刻和S₁ 从高电平变为低电平的时刻为初始时刻，2个动态过程分别有以下4个主要模态。开通模态1:开通延迟阶段ta(m)。0时刻，S₁ 从  低电平变为高电平，驱动芯片通过R₁ 为 C₁ 充电， 驱动电压vcs 增大，逐渐开始从VEEL 上升。由于图2 所示负反馈机制，QH的栅源电压vcs₁ 跟随vcsi变化， 也逐渐增大。该模态中，由于vs₁  尚小于阈值电压  Vcsm,QH的沟道处于关断状态，io=0。vns₁ 处于 VDc不变，当vs₁  上升到达Vcsm时，该模态结束。开通模态2:电流上升阶段ta。VGs₁从阈值电压Vcsm开始，升高到Vcsπ,表示可以维持沟道电流为L的vcsIoVnsI处于Vpc不变。QH的电流io,从0开始上升至I。该过程中，由于被动管电流i,  的降低，QL的栅源电压vs₂产生微小上升，但不足以触发Qp₂导通。在忽略QL寄生体二极管反向恢复的条件下，该模态在电流上升至IL的时刻结束。

开通模态3:电压下降阶段tm。普通驱动电路 情况下，将进入米勒平台，栅源电压维持在Vs,π不

变。但采用栅极负反馈驱动的SiC  MOSFET,由于图2所示负反馈机制的存在，QH的栅源电压vcs₁仍然 跟随vcs一起升高，不会维持在Vcs,π不变。在该模 态中，vns₁从Vpc开始下降，由于漏源电压仍然大于栅源电压，Cm依旧相对较小(C),     该阶段vns₁下 降速度相对较快。Q的漏源电压vns₂ 迅速上升，因 而QL的栅源电压vs₂受到干扰继续上升；由于图2所示负反馈机制的存在，当Qp₂的源极Sp₂的电位高于Qp2的漏极Dp₂ 的电位，且电位差超过阈值电压V时，Qp₂沟道导通，驱动芯片通过Qp₂沟道为QL 输入电容CL放电，QL的栅源电压vc₂减小，干扰得到抑制，vcs₂又回到VEE2。当vs₁  下降到与vcs₁相 等时，该模态结束。

开通模态4:电压下降阶段tn2。由于图2所示负 反馈机制的存在，QH 的栅源电压vcs₁ 仍然跟随vcs 一起升高，不会维持在Vcsm不变。vns₁ 继续下降，由 于漏源电压小于栅源电压，Cm 相对较大(Cm), 该阶  段vns₁下降速度相对较慢。当vps₁下降到VDsm)时， 该模态结束。

开通模态4之后，由于图2所示负反馈机制的 存在，QH 的栅源电压vcs 仍然跟随 vcs₁一起升高到 高电平 Voci,最终完成开通过程。关断模态与开通 模态类似，本文不再赘述。

2   串扰抑制分析

为方便说明栅极负反馈驱动的数学本质，本文 做两处简化处理：一是，近似认为辅助MOSFET Qp 的跨导到增益是非时变的常数gm,且寄生体二极管 的反向跨导增益(定义为寄生体二极管的输出特性 曲线斜率)也采用gm 表示；二是，记辅助MOSFET

Qp寄生体二极管的导通阈值电压和Qp沟道的导通 阈值电压相等，均用Vm表示。

由图2可知，图1所示基于跨导增益负反馈的栅 极驱动电路的闭环传递函数Ga(s) 和干扰信号n(s) 对 栅源电压vs 干扰的传递函数G. (s)分别为

一般情况下，被控 SiC MOSFET Qx的输入电容C约为nF级，而辅助MOSFETQp的跨导增益gm 可选择>>1S的 P沟道MOSFET,因此，gm>>C,故 开环放大倍数K, 足够大。所以，当vcs跟踪斜坡上升(下降)的vcs时，二者之间的偏差很小，不会影响被控SiCMOSFET的开通和关断效果。同时，由于开环放大倍数很大，也就保证了对干扰信号具有足够大的抑制比，防止干扰信号n(s)  对栅源电压vs   的干扰。

3   短路保护设计

本文基于退饱和检测原理，研究所提驱动的短 路保护。在所提驱动的短路保护电路中，退饱和检 测电路由检测二极管和限流电阻等元器件构成，如 图5所示。图 5(a) 是短路保护电路的电路。为防止保护电 路在SiC MOSFET开通过程中，出现漏源电压没有 降低到保护阈值电压之下，便引发误动作的情况，驱 动芯片内置恒流源 IDSAT与电容 CDESAT构成消隐电 路。图5(b) 是短路保护电路的原理波形。以硬开关 短路为例，介绍短路保护电路的工作原理。保护模态1(to 时刻之前):当驱动信号S 为低电 平时，芯片内置开关SpESAT导通，CDBSAT上的电压vDESAT 被钳位在低电平，短路保护信号输出保持在低电平 不报错。保护模态2[to,t1]:to时刻，当驱动信号S 为高电 平时，芯片内置开关SpeSAT 断开，芯片内置恒流源 IDpSAT为电容CpBSAT 充电，充电时间即为消隐时间。电容 CDESAT充电完成后，SiCMOSFET已经开通。若SiCMOSFET正常工作，其导通压降很低，二极管DpESAT导通，内置恒流源IDESAT流过电阻RDSAT和二极管DpSAT,流入SiC   MOSFET,此 时，CpESAT上的电压VDESAT是二极管DDeSAT 压降与SiC  MOSFET导通压降之和。若SiCMOSFET出现退饱和，则随着漏极电流ia保持在远大于正常工作电流的值，漏源电压急剧升高，二极管DpeSAT截止，IpESAT只能向电容CDESAT充电，直到CpeSAT 上的电压VDESAT达到保护阈值电压VREF,该模态结束。

保护模态3[t1,t]:   当 CpESAT 上的电压vDESAT 超过 保护阈值电压VREF 时，芯片内部比较器翻转为高电 平，短路保护输出报错信号，经过一定时间后，在t₂  时刻关断 SiC  MOSFET。此后，漏极电流a  降 为 0 , 完成全部保护工作模态。同理，负载短路情况下，图5(a) 所示短路保护 电路也起到有效保护作用。当驱动信号S 为低电平 时，芯片内置开关SDESAT导 通 ，CpESAT上的电压VDESAT 被钳位在低电平，短路保护信号输出保持在低电平 不报错；当驱动信号S 为高电平时，芯片内置开关 SDESAT 断开，芯片内置恒流源IDESAT 为电容CDESAT充 电，在消隐时间后，SiC MOSFET 正常工作时导通压降很低，若SiC  MOSFET 退饱和，漏源电压急剧升 高，以此来判断短路故障是否出现。短路保护电路 的原理与硬开关短路情况下类似，在此不再赘述其 模态过程。

4  实验结果

本文搭建图6所示桥臂电路实验平台，验证所 提驱动在栅极电压稳定性改善中的作用和短路保 护功能。桥臂电路实验台主要参数如表1所示。电压波形测量采用100 MHz 的差分电压探头 Yoko- gawa  700924,电流波形测量采用30 MHz 罗氏线圈 PEM CWT1。

4.1 工作原理验证

图1所示基于跨导增益负反馈的栅极驱动电 路中，驱动电阻R与辅助电容C的乘积是该阻容电路的充放电时间常数T,T=RC。T 与栅源电压上升、下降斜率成反比，即较大的T 将导致较缓慢的栅源电压上升、下降时间，因此，被控SiC  MOSFET的开关速度也将变缓。针对图3的桥臂电路进行实验验证，设计充放电时间常数T=50   ns,其中，取辅助电容C₁=C₂=20   nF,驱动电阻R₁=R₂=2.5Ω,在保证被控SiCMOSFET开关速度的同时，起到较好的解耦作用，实验结果如图7所示。

图7展示了主动管(桥臂上管)QH 的栅源电压Vcs₁跟随其驱动电压vcs₁动作的情况。可见，在上升 和下降过程中，vs₁  能够自动跟随vcsi动作，上升或者下降。然而，由于基于跨导增益负反馈的栅极驱动电路是I型系统，对于斜坡信号只能实现有差跟踪，所以，vcs₁和vcs₁的波形不是完全重合，而是有一 定差别的。但是，由于被控SiC MOSFET QH的输入电容C   约为2.12 nF,    而辅助MOSFETQp的跨导增益gm 为10S,因此，gm>>C,开环放大倍数K、足够大。所以，当vcs跟踪斜坡上升(下降)的vss时，二者之间的偏差很小，不影响被控SiCMOSFET的开通和关断效果。由上升、下降过程的局部放大图可以看出，vcs₁ 和vcs₁具有几乎相同的上升、下降速度。根据自动控 制原理可知，驱动电阻对辅助电容充电的动态过程 曲线数值达到稳态的63.2%时，动态过程的时间在 数值上恰好等于充电时间常数；观察栅源电压上 升、下降过程的曲线可知，其时间常数为50 ns, 符 合对驱动电阻以及辅助电容的预期设计。在忽略测 量引入的高频毛刺影响的条件下，工作原理验证结 果与前文的分析一致，一定程度上验证了基于跨导 增益负反馈的工作原理。

4.2 串扰抑制性能验证

在同一个桥臂电路中，保证输入电压和输出电 流等外部条件不变，对比研究采用固定电阻的传统 驱动与本文所提驱动，在相近漏极电压变化率下的 双脉冲实验波形，如图8所示。

图 8(a) 展示了主动管QH以及被动管QL在传统驱动电路控制下的波形，主动管和被动管的驱动电阻均为10Ω。被动管Q  的漏源电压vns₂的上升斜率约为43.7 V/ns,下降斜率约为51.25 V/ns; 被动管Q  栅源极电压vcs₂受到干扰出现振荡，正向尖峰达7.9 V,负向尖峰约7V。图8(b)展示了主动管QH以及被动管QL在本文所提驱动电路控制下的波形，根据前文设计，主动管和被动管的辅助电容取C₁=C₂=20nF,驱动电阻R₁=R₂=2.5Ω。上升斜率约为50 V/ns, 下降斜率约为50V/ns;被动管QL 栅源极电压vs₂  受到干扰出现振荡，偏离关断电压，正向尖峰约3V, 负向尖峰约3V。在两种驱动电路控制下，SiC MOSFET 漏极电 压变化率相近，说明开关速率相似。然而，两种驱动 下，被动管Q  栅源极电压 vcs₂ 表现出不同的稳定 性。在传统驱动电路控制下，vcs₂产生了较大幅度的 正、负向尖峰，峰峰值约为14.9V。而采用本文所提 驱动电路控制SiC MOSFET的开关动作，在相似的 开关速率下，vcs₂ 的正、负向尖峰均大幅缩减，峰峰 值约为6V 。相比传统驱动，采用本文所提驱动，正 向尖峰降低了62%,负向尖峰降低了57%,正、负向 尖峰的峰峰值降低了约60%。

4.3 短路保护性能验证

将实验平台的桥臂中点短路，保证其他外部条 件不变，仅改变驱动策略，对比研究采用固定电阻的传统驱动与本文所提驱动的短路保护性能。考虑电能损耗，芯片内置恒流源IpESAT的输出电流一般在250~500μA,1ED020I12-F2等驱动芯片推荐的CpeSAT不小于100 pF,  这样可以保证保护电路具有足够的抗干扰能力，取CpESAr=100 pF,IDSAr=500μA,保护阈值电压VREF=9V,消隐时间约为1.8μs。为确保对比分析时的单一变量原则，保证两种不同的驱动策略在参数选取时具有相似的开关速率。两种驱动电路的参数取值如第4.2节所述，在此不再赘述。同理，两种不同驱动策略的短路保护电路均基

于退饱和检测原理，并具有相同的电路参数配置， 如第3节所述。不同直流电压 VDc下的短路保护波 形如图9所示。

图9所示实验结果，经示波器采集存储后，导 入Matlab进行波形复现整合，将不同直流电压下的SiCMOSFET漏极电流合并到一起。短路故障出现之前，被测SiCMOSFET工作于断开状态，零时刻出现短路故障，被测SiCMOSFET漏极电流快速上升，到达短路电流峰值。两种驱动策略下，短路电 流表现出类似的趋势，并均在3μs内关断，完成短路保护。随着直流电压Vnc的升高，到达短路电流峰值的时间缩短，并且短路电流峰值增大。在短路电流下降阶段，较高Vnc下的短路电流下降速度明显较快，其在关断时刻的短路电流值比较低Vmc的更低。

图 9(a) 和(b) 所示短路电流的峰值对比，如表 2所示。在直流电压 Vp 从100 V 上升到400 V 时 ， 采用传统驱动，实验中的短路电流峰值从196 A 上  升到236 A; 而采用本文所提驱动，实验中的短路  电流峰值从188 A 上升到228 A。二者具有相同的  变化趋势，随着Vpc的升高，短路电流峰值增大。用 本文所提驱动下的短路电流峰值除以传统驱动下的短路电流峰值，得到短路电流峰值比。由表2可 知，直流电压 Vnc 从100 V 上升到400 V 时，在相 同 Vpc下对比两种不同驱动下的短路电流峰值，本 文所提驱动下短路电流峰值约为传统驱动下短路 电流峰值的96%。因而，在相同直流电压下，采用本 文所提驱动，短路电流峰值较传统驱动的更低。

5  结论

SiC MOSFET开关动作造成的脉冲电压干扰和脉冲电流干扰，通过米勒电容耦合到栅极，干扰栅源电压，形成串扰。根据这一特点，本文采用普通驱动芯片、驱动电阻，外加辅助MOSFET、辅助电容，提出了一种基于跨导增益负反馈的SiCMOSFET  栅极驱动电路。驱动电压作为栅源极的参考信号，输入栅极负反馈控制回路。参考信号与被控 SiCMOSFET的栅源电压之差，通过辅助MOSFET的跨导增益，控制由被控SiCMOSFET输入电容和栅极内电阻共同构成的被控对象。引入负反馈控制后，若栅源电压增大(或减小),则与参考值之差增大，经过驱动管跨导增益的调节，对输入电容放电(或充电),栅源电压恢复稳定。栅极负反馈控制的目标是让被控SiCMOSFET的栅源电压跟踪驱动信号的变化，并屏蔽脉冲电压和脉冲电流的干扰。

控制环路的传递函数分析表明，因为辅助 MOSFET的跨导增益较大，控制环路的开环放大倍 数足够大，对干扰信号具有足够大的抑制比，可有效抑制高速率开关条件下，干扰信号对SiC   MOS-  FET 栅源电压的干扰。实验结果表明，工作在相同 的开关速率下，采用本文所提驱动将获得更稳定的 栅极电压，短路时电流峰值也相对较低。

本 文 的研 究结果将有利于进一步提高SiC MOSFET在高开关速率下的运行可靠性，更充分地 发挥碳化硅器件的性能优势。

​​​​​​​参考文献：[1]钱照明，张军明，盛况.电力电子器件及其应用的现状和 发展[J]. 中国电机工程学报，2014,34(29):5149-5161.  Qian Zhaoming,Zhang Junming,Sheng Kuang.Status and  development of power semiconductor devices and its appli- cations  [J].Proceedings  of  the  CSEE,2014,34(29):5149-  5161(in   Chinese).