一文通透明了碳化硅MOS驱动设计

碳化硅（SiC）MOSFET 的使用促使了多个应用的高效率电力输送，比如电动车快速充电、电源、可再生能源以及电网基础设施。虽然它们的表现比传统的硅（Si）MOSFET 和 IGBT 更为出色，但驱动方式却不尽相同，必须要在设计过程中进行缜密的思考。以下是一些 SiC 栅极驱动器的一些示例要求：

1：驱动供电电压包含开通的正压和关断的负压
2:共模瞬态抗扰度（CMTI）大于 100 kV/µs
3：最大工作绝缘电压可达 2000 V
4：驱动能力可达 10 A
5：传输延迟时间和频道不匹配时间小于 10 ns