大功率电源设计新选择,AHB控制器芯片

1、什么是AHB控制器

AHB是 Asymmerical Half-Bridge 非对称半桥的缩写,AHB控制器即是通过使用两颗开关管组成半桥结构,使用电容与变压器初级线圈串联,共同储能,并通过新增的开关管,将电容能量通过变压器传递到次级的器件。相比传统反激将变压器漏感能量作为发热消耗,AHB控制器不仅实现了漏感能量的回收利用,还实现了主开关管零电压开通以及同步整流管零电流关断,减小了开关损耗,同时也减小发热。

2、AHB拓扑的特点及优势

AHB拓扑不对称半桥里面的变压器励磁电感和谐振电容器均参与存储能量,与反激式转换器相比,会缩小部分体积;AHB结合了反激变换器及不对称半桥的优点,利用励磁电流实现开关管ZVS的同时,利用谐振电流实现了次级整流二极管ZCS;AHB适合宽电压输出,相比LLC拓扑,在PD快充等输出电压变化范围宽的应用优势巨大,成本优势大;AHB开关频率限制在相对较小范围,对EMI滤波器的设计十分有益;AHB是适合应用于高功率密度和具有成本效益的拓扑。

AHB架构相比LLC架构,有如下优点。第一,AHB架构的二次侧为单功率器件拓扑,可以有效降低系统成本;第二,AHB架构的二次侧整流管电压应力远小于传统反激架构,可以采用耐压更低的MOS管作为整流管,极大的降低了系统成本和调试难度,尤其适用在PD快充等需要高输出电压的应用场景。第三,AHB架构中,变压器和谐振电容共同储能,变压器体积可以有效减小。

3、大功率电源设计主流拓扑结构

在大功率电源设计上,目前LLC和AHB是业内两种比较主流的拓扑结构。虽说两种拓扑结构出现的也都比较早,但相较LLC架构来说,AHB架构进入消费类电源领域在时间上还是晚了一些。不过凭借在成本、设计难度等方面的优势,AHB架构很快获得行业的高度关注。

4、生产厂商

正是基于AHB拓扑的上述特点及优势,使其能够应用在很多的单口/多口应用、PD3.1快充上,并且目前获得来自行业的高度关注。据充电头网不完全统计,目前东科、英飞凌、杰华特、昂宝、立錡、通嘉等业内知名厂商已经或即将推出全新的AHB控制器产品。

DK东科

DK8710Q是东科半导体推出的业界首款AHB合封氮化镓芯片,内部集成了两颗氮化镓开关管组成半桥,通过控制增添的开关管,回收漏感能量,实现主开关管的ZVS和同步整流管的ZCS,提高转换效率,并降低功率管的应力,减小开关损耗的同时改善电磁干扰。

DK8710Q内置高压启动和安规X2电容放电电路,待机功耗低于50mW,支持最高1MHz开关频率,具备自适应死区时间控制,峰值转换效率达95%。芯片内置高低压输入功率补偿电路,在高低压下最大输出功率一致

规格书

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随着计算机系统的发展,内存的速度成为了系统性能的瓶颈之一。为了解决这一问题,SRAM(静态随机存储器)成为了一种常用的内存类型,而AHB(高级高速总线)是一种快速的总线协议。基于AHB的SRAM控制器设计与优化可以显著提高系统性能。 SRAM控制器的任务是管理SRAM芯片的读写操作。基于AHB的SRAM控制器可以通过总线传输协议来与其他设备进行通信,从而实现高速数据传输。其中,读取操作需要首先将地址和请求发送到SRAM中,然后等待SRAM返回数据。在这个过程中,控制器需要使用适当的寻址算法来定位存储位置,并根据SRAM的工作原理优化读取周期。 在设计和优化基于AHB的SRAM控制器时,需要考虑以下几个关键因素: 第一,SRAM内部结构的特点。SRAM的读取速度非常快,但它的存储密度相对较低,且需要专用硬件实现。因此,控制器需要在寻址和数据访问方面操作SRAM的内部结构。 第二,总线带宽。为了充分利用AHB总线的高速性能,控制器应使用适当的调度算法和数据传输协议,以充分利用总线带宽。 第三,芯片时序。SRAM芯片的时序和时延对读写操作的速度有重要影响。控制器应根据SRAM芯片的特性和内部结构来优化时序和时延参数。 综上所述,基于AHB的SRAM控制器设计和优化是一项复杂且重要的任务,它需要结合SRAM芯片的特性、总线带宽和时序参数进行考虑,以充分利用系统性能。
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