零基础silvaco系列学习笔记（一）

零基础silvaco系列学习笔记（一）

第一章 silvaco学习资料与基础的使用

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前言

先说为什么要写学习笔记，之前的学习习惯是写word，孤身奋战，想起来再翻看。

偶然间查阅资料看到有同学用CSDN撰写学习心得，有人互动、答疑、交流，同时我又是“一生追求仪式感的中国人”，所以学习笔记也是写给自己看，督促自己沉下心来，认认真真的学习。

要学习silvaco很久了，从大三老师就叫我学习，现在研一，学习进度一直在口头，甚至可以说没学，哎，悔不当初，寒假在家，有一门可靠性分析的课程需要用到器件仿真，我立下本阶段的小目标就是在开学时高效利用ctrl+c、v工具，AI工具，分析GaN HEMT在不同温度及电应力下的电热特性，探讨其失效机制并提出优化建议。弄懂然后提交。

话不多说，奉上今日学习成果，首先我是零基础，用的学习资料是唐龙谷先生资料的PPT以及这四本书，

目前看到第一本化龙居士写的，第二个纸质版的我也有，粗略过了一遍，感觉没有化龙的好理解，大家可以按照自己的口味去选，基本上教学的顺序一致，可以互作补充。

一、初始化init two.d 在我这不可用？

init two.d #采用默认参数，二维初始化仿真

报错：参数规范无效*

原先代码：

# (c) Silvaco Inc., 2019
go atlas
#
# SECTION 1: Mesh input
#

mesh

x.mesh loc=0.0 spac=0.2
x.mesh loc=0.4 spac=0.2
x.mesh loc=0.9 spac=0.07
x.mesh loc=1.6 spac=0.07
x.mesh loc=2.1 spac=0.2
x.mesh loc=2.5 spac=0.2

y.mesh loc=0.0   spac=0.01
y.mesh loc=0.055 spac=0.001
y.mesh loc=0.058 spac=0.001
y.mesh loc=0.3   spac=0.05

init two.d


tonyplot

quit

我决定把图片中的例子代码复现，是我的2019版软件不支持吗？

# (c) Silvaco Inc., 2019
go atlas

line x loc=0.0 spac=0.2
line x loc=0.4 spac=0.2
line x loc=0.9 spac=0.07
line x loc=1.6 spac=0.07
line x loc=2.1 spac=0.2
line x loc=2.5 spac=0.2

line y loc=0.0   spac=0.01
line y loc=0.055 spac=0.001
line y loc=0.058 spac=0.001
line y loc=0.3   spac=0.05

init two.d

tonyplot

quit

没有报错了，但是没有出图。

产生两个问题

1.为什么原来用的Mesh inputh划分网格就不可以用init two.d？？

2.mesh和line划分网格有什么区别，为什么没有出图？

此处先留疑问，我日后进行学习。紧要任务是写完作业。

二、电热特性的提取

学习发现silvaco仿真可以分为工艺仿真和器件仿真，顾名思义我现在追求的是要在短时间内做好电热特性的提取和分析，那工艺部分我先跳过，直接看器件仿真。

器件仿真流程如下：
定义结构>>设定材料>>计算>>特性提取>>结果分析

按照这个思路，
定义结构我用例子3，因为它有Id-Vgs，Id-Vds的特性图像，我需要将材料改成GaN，再加入温度变量，观察开态电压大小或者时间对器件可靠性的影响，即可达到我的目标

用deepseek进行思考，给修改前的代码加上注释：

deep seek对代码给出的思考：
好的，我现在要仔细看一下这个用户提供的ATLAS仿真输入文件。首先，用户希望我理解这个文件的结构和功能，并添加注释。但看起来用户可能已经添加了一些注释，不过可能需要进一步解释或更详细的说明。我需要一步一步分析这个文件，确保每个部分的作用都被正确理解。
首先，整个文件是用于模拟HEMT（高电子迁移率晶体管）的Id-Vd和Id-Vg特性。HEMT通常由异质结构构成，比如GaAs和AlGaAs，这里看起来结构可能包括不同的区域和掺杂分布。
从SECTION 1的网格划分开始，x和y方向的网格位置和间距被定义。例如，x方向在0.0和0.75处有较细的网格，可能是源极和漏极的位置。y方向的分层可能对应不同材料层的厚度，比如GaAs层、AlGaAs层以及氧化物层。
接下来是结构定义部分（SECTION 2），定义了四个区域，材料分别为GaAs、AlGaAs（两个区域）和氧化物。AlGaAs区域的x.composition=0.3可能指的是Al的含量为30%，即Al0.3Ga0.7As。电极部分，源极、栅极和漏极的位置被指定，特别是栅极位于x=0.1到0.6之间，可能覆盖了沟道区域。
掺杂部分比较复杂，有多个均匀掺杂区域。例如，在y=0到0.03的区域是n型掺杂，浓度为1e18，这可能是在AlGaAs层中形成电子供应层。而在y>0.03的区域掺杂浓度较低，可能是有意形成二维电子气（2DEG）。另外，源漏附近的x区域也进行了高浓度掺杂，可能是为了形成良好的欧姆接触。
界面定义中的qf=-1e12可能是指固定电荷密度，这有助于在异质结界面处形成2DEG。
材料模型部分（SECTION 3）设置了AlGaAs的电子迁移率、亲和能等参数。模型选择了fldmob（场相关迁移率）、SRH复合，以及GaAs的conmob（可能是浓度相关迁移率）。栅极接触的功函数设为4.73 eV，这影响阈值电压。
仿真方法部分（SECTION 4）使用Gummel和Newton方法进行求解，先求解初始状态（vgate=0），然后逐步增加漏极电压，从0.05到3V。保存结果并用Tonyplot绘图。之后进行Id-Vg的仿真（SECTION 5），改变栅极电压从-0.9到0.6V，同时漏极电压从0到0.5V。
在注释时，需要注意每个命令的作用，比如region定义材料层，elec定义电极位置，doping设置掺杂分布，interface处理界面电荷，material和model定义材料属性和物理模型，method和solve控制仿真流程。同时，输出和保存结果的部分需要说明生成的文件用途。
可能需要注意的地方包括：
.1. 区域划分是否正确，特别是AlGaAs的x.composition是否正确设置。
.2. 掺杂分布是否合理，确保2DEG的形成。
.3. 接触的功函数是否适合材料系统。
.4. 仿真方法的选择是否适合HEMT的特性，比如是否考虑载流子的高迁移率效应。
.5. 电压扫描的步长和范围是否足够，以获得完整的Id-Vd和Id-Vg曲线。
如果用户需要更详细的注释，可能需要解释每个参数的意义，如taun0、taup0是少子寿命，affinity是电子亲和能，nc300是导带有效态密度等。同时，可以指出界面电荷qf=-1e12的作用，以及不同模型如conmob的影响。
在检查过程中，确认是否有潜在错误，比如区域是否重叠，网格是否足够细以捕捉电场变化，电极是否覆盖正确区域等。例如，源极和漏极的y范围是否正确延伸到有高掺杂的区域，确保良好的接触。
总结来说，这个输入文件结构清晰，涵盖了网格、结构、材料、模型、仿真步骤等部分。添加详细注释时，应分部分说明每个命令的作用，并解释关键参数的选择对器件性能的影响。

具体代码

# (c) Silvaco Inc., 2019
go atlas                     # 启动ATLAS仿真器
Title    HEMT Id-Vd and Id-Vg characteristics  # 仿真标题，描述器件特性

#------------------------------------------------------------------
# SECTION 1: 网格定义（定义器件几何结构的离散化网格）
#------------------------------------------------------------------
mesh
# X方向网格划分（横向，单位：微米）
x.mesh loc=0.0  spac=0.05   # 源极左侧，网格间距0.05μm
x.mesh loc=0.75 spac=0.05   # 漏极右侧，网格间距0.05μm

# Y方向网格划分（纵向，单位：微米）
y.mesh loc=-0.02  spac=0.01 # 氧化物层下部，间距0.01μm
y.mesh loc=0.0    spac=0.01 # 氧化物/半导体界面，间距0.01μm
y.mesh loc=0.03   spac=0.001 # AlGaAs/GaAs异质结附近，细网格
y.mesh loc=0.0425 spac=0.01 # 中间层，间距0.01μm
y.mesh loc=0.055  spac=0.001 # 上层GaAs，细网格
y.mesh loc=0.2    spac=0.05 # 顶部区域，较粗网格

#------------------------------------------------------------------
# SECTION 2: 器件结构定义（材料区域与电极）
#------------------------------------------------------------------
region num=1 material=GaAs y.min=0.03 y.max=0.055  # GaAs沟道层
region num=2 material=AlGaAs y.max=0.03 x.composition=0.3  # 下AlGaAs层（Al组分30%）
region num=3 material=AlGaAs y.min=0.055 x.composition=0.3 # 上AlGaAs层
region num=4 oxide y.min=-0.02 y.max=0  # 氧化物绝缘层（如衬底）

# 电极定义
elec num=1 name=source x.min=0.0 x.max=0.0 y.min=0.0 y.max=0.05  # 源极（垂直接触）
elec num=2 name=gate   x.min=0.1 x.max=0.6 y.min=0.0 y.max=0.0   # 栅极（横向，位于AlGaAs表面）
elec num=3 name=drain  x.min=0.75 x.max=0.75 y.min=0.0 y.max=0.05 # 漏极

# 掺杂分布
doping uniform y.min=0 y.max=0.03 n.type conc=1.e18  # AlGaAs层重掺杂（电子供应层）
doping uniform y.min=0.03 n.type conc=1.e15          # 沟道轻掺杂（本征GaAs）
doping uniform x.min=0.0 x.max=0.05 y.min=0.03 y.max=0.05 n.type conc=1.e18  # 源区接触掺杂
doping uniform x.min=0.70 x.max=0.75 y.min=0.03 y.max=0.05 n.type conc=1.e18 # 漏区接触掺杂

# 界面电荷（模拟AlGaAs/GaAs界面缺陷）
interface x.min=0 x.max=0.75 y.min=-0.01 y.max=0.005 qf=-1.e12  # 固定负电荷，促进2DEG形成

#------------------------------------------------------------------
# SECTION 3: 材料模型与物理模型设置
#------------------------------------------------------------------
material taun0=1.e-9 taup0=1.e-9  # 载流子寿命设置（电子/空穴）
material material=AlGaAs mun=2000 mup=350 affinity=3.82 nc300=5.7e17  # AlGaAs参数：迁移率、电子亲和势、态密度

# 物理模型选择
model fldmob srh                  # 场相关迁移率+Shockley-Read-Hall复合
model material=GaAs conmob        # GaAs浓度相关迁移率

# 栅极接触属性
contact name=gate workfun=4.73    # 栅金属功函数4.73eV（与AlGaAs亲和势匹配）

#------------------------------------------------------------------
# SECTION 4: Id-Vd特性仿真（漏极电流-漏极电压扫描）
#------------------------------------------------------------------
method gummel newton itlim=20 trap maxtrap=6 vsatmod.inc=0.01 carriers=1 elect  # 混合求解方法
output con.band val.band          # 输出能带结构

solve vgate=0                     # 初始求解：栅压=0V
save outf=hemtex03_0.str          # 保存初始结构
tonyplot hemtex03_0.str -set hemtex03_0.set  # 可视化工具显示结构

log outf=hemtex03_1.log master    # 开始记录仿真日志
# 分段扫描漏极电压（0.05V至0.3V，步长递增）
solve vdrain=0.05 
solve vdrain=0.10 
solve vdrain=0.125 
solve vdrain=0.15 
solve vdrain=0.20 
solve vdrain=0.30 

method newton trap itlim=35 maxtrap=6 carriers=1 elect  # 切换至牛顿法处理高偏压
solve vdrain=0.50 vstep=0.25 name=drain vfinal=3  # 大电压扫描（0.5V至3V）

save outf=hemtex03_1.str          # 保存结果
tonyplot hemtex03_1.log -set hemtex03_1log.set  # 绘制Id-Vd曲线

#------------------------------------------------------------------
# SECTION 5: Id-Vg特性仿真（漏极电流-栅极电压扫描）
#------------------------------------------------------------------
log off                          # 关闭前一个日志
solve init                       # 重置至初始状态
method gummel newton trap itlim=35 maxtrap=6 vsatmod.inc=0.01 carriers=1 elect

solve vgate=-0.9 vdrain=0        # 初始栅压-0.9V，漏压0V
solve vdrain=0.1 vstep=0.1 name=drain vfinal=0.5  # 固定漏压0.5V，扫描栅压

log outf=hemtex03_2.log master   # 记录新日志
method newton trap itlim=35 maxtrap=6 carriers=1 elect
solve vgate=-0.8 vstep=0.1 name=gate vfinal=0.6  # 栅压扫描：-0.8V至0.6V

save outf=hemtex03_2.str         # 保存结果
tonyplot hemtex03_2.log -set hemtex03_2log.set  # 绘制Id-Vg曲线

quit                             # 结束仿真

遇到问题：

直接复制进去的go atlas 软件并不识别，手打一遍就好了，否则会报错：vwf::editor::DeckEditorError, MSG:expecting one of: simflags/cutline/cutfile/inflags/outflags/noauto in line: Simulator will be killed

后面运行报错可能还会有不识别的问题。

还有此处报错：

原因：
这是为什么呢？？

对比发现，有效运行过的代码在进程框中显示为蓝色，那么右边修改后的代码注释也被当作代码给运行了，正常的注释运行过后是绿色的，如下：

解决办法：把deep seek加过的注释用回撤敲到下一行。

出现问题：我不想改动例子，新开了一个空白文件，复制进来后，发现无法调用 hemtex03_2log.set d等*.set文件，尝试复试移动到新的文件夹中也行不通，搜索解决办法。


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复制到最外侧的文件夹就好了，所以在.（命名文件）的上一级文件夹才是工作路径的文件夹，要是不想让他散落一地，那就提前建好一级文件夹。

问题总结

1.为什么原来用的Mesh inputh划分网格就不可以用init two.d？？
2.mesh和line划分网格有什么区别？

总结

主要还是要看书，随后要开始自己动软件，哪怕是复制粘贴都会出很多问题，然后一点一点拼起来，今天不早了，争取明天早起把GaN HEMT在不同温度及电应力下的电热特性拼出来。