零基础silvaco系列学习笔记（二）

零基础silvaco系列学习笔记（二）

目标：完成GaN HEMT电热特性仿真
前言：（一）中搞定了hemt03例子中的注释以及.set文件工作路径的问题
第一次的学习链接

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前言

今日任务：找出silvaco电热特性语句，进行拼接

学习化龙居士一书中的第三章：二维器件仿真

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提示：以下是本篇文章正文内容，下面案例可供参考

一、解决了（一）中的问题二？

问题2.mesh和line划分网格有什么区别？
回答：
工艺仿真>athena>使用状态line，参数location，spacing进行网格建立
器件仿真>atlas>使用状态x.mesh，y.mesh以及参数location，spacing进行网格建立

二、定义材料和区域

1.eliminate命令

删除网格线，删除规则是 纵向 隔一条删一条，效果如下。

2.region定义材料

这里写的很清楚，工艺是指一个过程，而器件仿真是纯理想情况下的仿真，定义出来之后一定是规规矩矩的矩形，语法也很简单，不再叙述。

**回顾一下器件仿真的流程：

定义结构>设定材料>计算>特性提取>结果分析

3.elec定义电极

三种定义方式，我看例子中大部分使用的都是x.min，x.max的方式，方便修改和自定义。

4.doping杂质分布命令

类型	均匀	高斯	误差函数
英文	uniform	gaussian	error function（erfc）
参数	杂质类型（n/p.type）、浓度	杂质类型（n/p.type）、分布参数（三类：concentration+junction、dose+characteristic、concentratio+characteristic）	与高斯一致

对《化龙居士》给出的例子进行分析：

默认单位都是μm，erfc–（error function），n.type–n型掺杂，peak–峰值位置的y坐标，juction–结深（一般用于不同类型的掺杂，例如在p上掺杂n，很方便，不用再定义其他特征），conc–峰值浓度，x.min/max–掺杂区域，ratio.lat–与指定区域外横向分布的标准差有关，默认为characteristic值的70%，

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三、材料参数及模型

定义好网格、几何结构、掺杂分布之后，接下来定义电极参数、材料特性、物理模型。

1.contact命令-接触特性

1）gate

电极和半导体金属材料默认接触是欧姆接触，定义功函数参数后自动变为肖特基接触。

2）设置电流边界

3）定义外电阻、电容或者电导

4）浮动接触

5）电极短接

6）开路设置

2.material命令-材料特性

1）各种参数

3.interface命令-界面特性

用于定义界面电荷密度和表面复合速度

4.models、impact命令-物理模型

迁移率模型
复合模型
载流子统计模型
碰撞离化模型
隧道模型

四、数值计算方法

method命令 参数包括Newton，gummel，block以及他们的组合

问题

1.erfc.lat-是什么，默认参数是多少？（查阅手册）
2.char是什么？

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本次学习一些基本操作，用处是自己读代码时候能看懂，由于赶作业，很多事囫囵吞枣式的学习，要赶着学习器件特性提取，完成作业

总结

提示：这里对文章进行总结：
本次学习的内容有器件仿真的步骤中的前三步，对于设置方法有了书本定义的了解，没有上手实践。

定义结构>设定材料>计算>特性提取>结果分析

计划

1.尽快学习“特性提取”，完成全流程的初步了解，能读通代码，知道例子的每一步在做什么。
2.使用deepseek润色GaN HEMT电热特性仿真，观察开态状况，完成论文
3.代入例子，修改例子，体会不同定义命令的作用