激光模拟单粒子效应技术原理解析

激光模拟单粒子效应技术原理解析

当脉冲激光聚焦并照射到电子器件上时，如果光子能量超过了半导体禁带宽度，就会发生光致电离。这一过程涉及价带电子吸收光子能量后跃迁到导带，从而在半导体内部形成电子-空穴对。随着激光脉冲的持续作用，这些电子-空穴对会在器件内部形成高电荷密度的电离径迹。这些额外电荷如果被器件中敏感区域的PN结所收集，就会触发类似高能粒子撞击时产生的单粒子效应。