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原创 ASM1042!国科安芯首颗抗辐照CANFD芯片

芯片内部的逻辑控制电路和低功耗唤醒电路受单粒子效应影响最为严重,当逻辑控制电路受到单粒子翻转影响时,其内部控制信号将出现翻转,总线端数据将会出现异常,从而影响整个系统的正常工作;国科安芯推出了ASM1042 CANFD芯片,采用对芯片物理层抗辐照加固的方法,大大增强CANFD芯片的抗辐照能力,可有效预防单粒子效应对芯片的影响。微电子器件中的数字和模拟集成电路会受到单粒子效应(SEE)的影响进而发生软错误或硬故障,常见的单粒子效应包括单粒子翻转和单粒子闩锁,这些辐射效应会影响空间电子元器件。

2024-09-02 14:27:03 433

原创 一款3605电源芯片的性能优化与改进思路

通过细致地调试ASP3605的ITH管脚,电源设计师可以确保电源转换器在各种工作条件下都能提供稳定、高效的性能,并优化瞬态响应和长期稳定性。优化最小导通时间和关断时间:通过调整ITH设置,确保在所有负载条件下都能满足最小导通时间和关断时间的要求,以避免输出电压的不稳定。最终测试:在完成ITH调试后,进行全面的测试,包括效率、负载调整率、线性调整率、纹波等,确保电源在所有工作条件下都能达到最佳性能。热管理:在调试过程中,监控电源的温度,确保在最大负载和最高环境温度下,电源的温度在安全范围内。

2024-08-23 14:29:52 431

原创 一款4644芯片低功耗设计思路解析

为了降低关断模式下功耗,关断LDO、BG和使能控制模块,可以降低功耗,但是使能模块的电源信号来自LDO,在芯片再启动的这个过程中,使能控制模块输出信号可能会处于不确定的状态,导致启动阶段内部的逻辑混乱,影响芯片的正常启动。在芯片的关断模式下,为了保证芯片再启动正常,芯片内部用于供电的LDO,BG和使能控制模块是不关断的,以保证芯片使能信号的正常输出,保证再启动正常。在ASP4644的设计中,我们采用预稳压模块来为使能模块供电,在关断模式中,LDO和BG也会受到使能信号控制关闭,而节省大量功耗。

2024-08-07 13:33:15 263

原创 ASP4644在FPGA SERDES供电中的应用

FPGA和SERDES对电源的要求极为严格,需要低纹波、高稳定性的电源供应以保证信号的完整性和系统的性能。像FPGA和SERDES这种需要多规格电源供电的环境,使用DCDC控制器设计4路不同的电源输出需要4颗同样的DCDC控制器及外围器件,这样会大大增加PCB的占板面积,将需要4个2x。cm的面积就可以输出4通道电源,可以大大缩减电源占PCB面积,减小产品体积,同时简单的外围设计可以加快客户产品研发速度,助力加速客户产品推向市场。根据图示SERDES的供电要求最高的为Vdd,电源波动要求0。

2024-08-04 22:18:54 673

原创 激光模拟单粒子效应技术原理解析

当脉冲激光聚焦并照射到电子器件上时,如果光子能量超过了半导体禁带宽度,就会发生光致电离。这一过程涉及价带电子吸收光子能量后跃迁到导带,从而在半导体内部形成电子-空穴对。随着激光脉冲的持续作用,这些电子-空穴对会在器件内部形成高电荷密度的电离径迹。这些额外电荷如果被器件中敏感区域的PN结所收集,就会触发类似高能粒子撞击时产生的单粒子效应。

2024-08-02 17:32:59 125

原创 软错误失效对CANFD Transceiver芯片的影响分析

在陆地环境中,主要键辐射问题来自芯片材料本身的微量杂质发射的 α 粒子(α 粒子无法远距离游走,因此到达器件的任何 α 粒子通常都是芯片本身内的材料所发射的),此外还有无时不在的宇宙背景中子通量:我们在海平面的接触密度大约为 13n/hr-cm2,并在飞行高度的密度可高达 26,000n/hr-cm2。软错误中的单粒子瞬态效应形成的单粒子脉冲会影响到施密特触发器的逻辑状态,而在组合逻辑电路中这种状态的变化又会传播到下级电路,从而影响到整个电路的工作性能,严重威胁到集成电路的工作稳定性和可靠性。

2024-07-28 22:39:31 773

原创 揭秘断电瞬间的隐秘世界:断电高阻态深度剖析

高阻态是数字电路中的一个常见术语,指的是电路的一种特殊输出状态,既不是高电平也不是低电平。在高阻态下,电路的输出电阻极大,理论上接近于开路状态,对下级电路几乎无影响。由于输入电阻极大,外部电路对接口芯片内部电路的影响几乎为零,从而提高了电路的稳定性和可靠性。因此,在设计电路时需要考虑这一点,以确保接口芯片能够驱动所需的负载。在接口芯片的设计和应用中,断电高阻态是一个重要的概念,它关系到电路的稳定性和其他设备的兼容性。接口芯片在断电状态下的高阻态特性,包括其定义、原理、应用以及在实际设计中的注意事项。

2024-07-18 14:13:08 282

原创 揭秘激光模拟单粒子效应实验

揭秘激光模拟单粒子效应实验。

2024-07-12 09:56:30 119

原创 谈谈开发语言:从Verilog到SpinalHDL

最后补充一点,无论是采用chisel还是SpinalHDL开发,两种语言都是解放双手的优秀开发工具,优秀的scala开发者的开发效率甚至能够抵得上3-4个传统verilog开发者,这是多数公司在实际经历后得出的结论(并非夸张)。Chisel因其出身高贵而享有极高的知名度,但对于习惯了Verilog的用户来说,其使用和学习方式可能过于“软件化”,参照Chisel的标志性项目“Rocket”来看,整个代码充斥着隐式传参,时钟域也被隐式代入,这容易让“老逻辑人”感到不适。那么,是否有更可靠的解决方案呢?

2024-07-07 21:35:02 701

原创 激光模拟粒子辐射实验

传统的加速离子束流实验可以轻松实现较大面积的辐射效应实验,但是操作简单的实验方式不能保证重复实验的例子条件完全一致,因为较大的粒子照射半径中的粒子数随机性较大,在具体某个器件上的作用有一定的随机性。通常,同样的测试需要两次以上测试。对于单粒子闩锁效应,需要关注各引脚的漏电流,如果发生闩锁,场效应管的可控硅结构会形成两个正反馈的三极管连接形式,电流持续增加,体现在外部引脚上的现象就是漏电流的增加。对于不含存储功能的芯片,我们更关注单粒子闩锁(SEL)的抗性,而数字芯片更关注单粒子反转的影响。

2024-06-04 16:39:47 763

原创 电机与电机控制算法

无感 FOC算法是通过数学方法对励磁和力矩试下解耦控制,对电机的控制电流进行矢量分解,其中位置观测器起到了有感控制中位置传感器的功能,其区别主要在于无感FOC算法需要先对PMSM进行电流和电压采样,然后通过坐标变换进行数据处理,将处理后的数据作为位置观测器的输入,通过位置观测器内部作用,获得扩展反电动势,并将扩展反电动势作为反正切或者PLL的输入,从而估计出转子转速和转子位置信息。虽然随着科技水平的提高,编码器的检测精度在不断的提高,基于编码器的有位置传感器的控制算法对转子位置信息有较高的检测精度。

2024-05-29 17:41:13 1029

原创 3605芯片关键指标测试说明

针对电源芯片,目前中低端电源芯片已实现国产化,大电流、低纹波、配置复杂的电源芯片对于设计能力、工艺经验要求很高,电源芯片国产化已进入深水区,高端电源芯片关键指标和国外电源芯片还有一定差异,这一部分正是电源芯片设计的核心部分,下面分析一颗3605系列芯片的关键性能指标。3605是一款高效单片同步降压调节器,采用锁相控制导通时间、恒定频率、电流模式架构的芯片,下面主要关注纹波、短路保护两大指标。测试环境连接关系参见下图:测试环境示意图。

2024-05-29 17:35:17 414

原创 关于软错误的常见问题解答

由于软错误即使存在,系统也依然能进行工作,故而软错误是可以在系统的持续运行的同时持续累积的,在不断的累积下系统的故障率会持续升高,最终会导致器件的可靠性持续下降,甚至发展成硬错误,即器件发生不可逆损坏。由于软错误是由高能粒子的轰击导致的,其造成的位翻转具有随机性和偶然性,在器件的不同部件都可能发生软错误,故而软错误在器件上的任一位置都有概率发生,若是在关键位置发生软错误就容易导致任务失败。软错误的传播过程更为隐蔽,在一个正常执行的程序中,不一定能获得系统错误的提示,用户难以发现软错误的存在。

2024-05-26 21:43:06 433

原创 电源管理芯片4644关键指标及测试方法

调节电源芯片输入端可调电源的电压,使输入电压为下限值,记录对应的输出电压U1;ASP4644已经将电源设计中最为关键的电感器,功率开关,补偿组件设计好并封装成15mm*9mm*5mmBGA,仅需要8个电容器和4个电阻器即可完成4路输出设计,可以极大的加快用户研发速度。根据所测的电压和电流数据以及波形变化,分析电源的动态响应能力,主要包括负载变化时的稳定性、负载变化时的上升时间和下降时间、电源输出电压的纹波等。分钟后,调节负载仪由空载到重载,过程中记录每个节点的输入电压电流,输出电压电流;

2024-05-13 20:50:13 1176 1

原创 谈谈3605芯片的过流保护

当输出负载电流增加,输出电压VOUT将会发生略微下降,误差放大EA将反馈电压VFB与基准电压0.6V的差值放大,即compin电压将会上升,进而增加TONCTL的频率,使得功率MOS管开启时间增加,输出电流能力增强,匹配输出负载电流。在这个工作模式下,我们限定了误差放大器的输出compin存在一个最大值Compin_max,也就是功率MOS管将会存在一个导通时间的最大值,也就间接限定了输出电流的能力,从而达到过流保护作用。随着电路的集成度发展,不管是数字芯片还是模拟芯片,都集成了不同类型的过流保护电路。

2024-04-19 15:31:04 623 2

原创 从3605到4644——电源芯片的前世今生?

本期聊聊大家并不陌生的一款电源芯片——4644该芯片最早来自ADI的LTM4644芯片,是一款集成多种功能和保护特性的DC/DC转换器,可实现输入电压4~14V,输出电压0.6~5.5V的转换。国内对标该芯片的解决方案不少,厂家型号也较多,那么该颗芯片究竟是如何设计并制造出来的?这是本期要讨论的主要话题。为了避免歧义,我们把功能对标LTM4644的国内外所有芯片在本篇内统称为4644芯片。(一)4644芯片特点:1) 高效率:采用电流模式控制,转换效率可以高达90%以上;其低内阻功率开关设计可以确保在高负载

2024-04-14 20:07:06 1187

原创 芯片出现软错误的概率有多大呢?

汽车系统的安全等级对于器件是有要求的,特别是ASIL-D等级的动力能源、汽车制动、EBS等系统,对于控制芯片往往要求ASIl-D等级,这些芯片如果在涉及安全控制的环节中出现其后果不堪设想。也意味着,对于130nm工艺下的CMOS工艺设计,随着时序存储容量的变大,对于安全设计的要求则越高。多提一嘴,针对器件容软错误的技术方法“倒也不少”,太空环境下的器件往往在设计与生产环节中不计成本以保障任务成功,地面器件在保证安全要求的前提下还追求极致的性价比,那就不是一个简单的事情了。

2024-03-28 17:24:34 530

原创 地面能躲过辐射吗?人可以,但芯片不行

先说说单粒子效应:不同的单粒子效应将导致芯片出现发生软错误(SEU单粒子翻转/SET单粒子瞬态脉冲响应)或者硬故障(SEB单粒子烧毁)。比如太空中的电子元件就容易受到宇宙高能粒子(地球辐射带粒子,太阳射线和宇宙射线)的攻击,从而导致器件失效,失效原因可能是单粒子效应,也可能是总剂量效应。实际上,带电粒子进入大气层后,绝大部分都被吸收,能够到达地面的主要是中子,中子效应(单粒子效应之一)正是导致地面器件出现SEU/SET/SEB的主要原因。

2024-03-21 17:09:38 331

原创 替代LTC3605A!国科安芯ASP3605A3U电源芯片介绍

ASP3605A3U是国科安芯自主研发的一款DCDC电压转换芯片,具有全国产化、抗软错误、超低功耗、宽电压输入、低纹波输出、高电流输出(支持多路并联)、集成度高、使用灵活等特点。

2024-01-29 16:12:41 307

1_软错误失效对CANFD Transceiver芯片的影响分析.docx

1_软错误失效对CANFD Transceiver芯片的影响分析.docx

2024-07-28

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