Intel和台积电的先进工艺阻力越来越大，中国芯片有望缩短差距

台积电的先进工艺研发路线图显示，在推进3nm工艺量产之后，其后两年将不断对5nm和3nm进行改良，原因在于2nm工艺的量产至少得在2025年投产，此举倒是与Intel的工艺研发挤牙膏有异曲同工之妙。

台积电表示今年在量产3nm工艺的同时，还会推出N4P工艺，明年会再次对4nm工艺进行改良而推出N4X工艺，到2025年分别推出改良版的N3E、N3P、N3X工艺。

台积电在工艺研发方面的做法与Intel当年的先进工艺研发颇有类似之处。Intel在2014年量产14nm工艺之后，就一直停滞，10nm工艺一直到2019年才量产，在那段时间Intel只好不停地对14nm改良一直到14nm+++，被业界嘲讽为挤牙膏；2019年量产10nm工艺以来也不停对其进行改良，直到今年下半年量产7nm（Intel将之命名为Intel 4工艺）。

Intel在Intel 4工艺之后、台积电在3nm工艺之后，它们的2nm级别工艺都预计到2025年才能量产，然而能否如期量产仍然存在疑问。台积电的3nm工艺本来预计去年量产，然后延迟至今年下半年，如今因无法如期为苹果代工A16处理器，意味着3nm工艺已被再度延迟，如此2nm工艺能否如期量产就更有疑问了。

Intel的10nm、7nm都先后被延迟量产，业界就更有理由怀疑它的Intel 20、Intel 18A工艺能否如期在2025年量产了。如此一来中国芯片在先进工艺方面缩短与台积电和Intel的差距就有希望。

中国芯片制造已达到14nm，目前正推进7nm工艺的量产，中国最大的芯片制造企业中芯国际已为此做好了充分的准备，它研发的N+1、N+2工艺就是为先进工艺做技术储备，一旦获得关键设备--EUV光刻机，那么7nm及更先进工艺的量产就会迅速提上日程。

ASML因为众所周知的原因至今未能为中国供应EUV光刻机，但是由于全球芯片市场已出现供给过剩，芯片产能扩张脚步将因此停滞，ASML今年一季度的业绩也出现大跌，显示出光刻机出货量显著下滑。

中国在诸多经济体中因为自身制造业的庞大需求，芯片产能扩张脚步很可能继续稳步推进，中国市场对ASML的重要性将进一步凸显，2021年中国就已是ASML的第一大客户，如果接下来光刻机市场大幅萎缩导致ASML的生存都成为问题，那么ASML对于向中国出售EUV光刻机的态度或许有松动。

当下Intel和台积电的2nm级别工艺至少延迟到3年之后，这几年时间或许就成为中国芯片在先进工艺方面追赶它们的重要机会，或许几年后中国就能突破到5nm级别，从而从芯片代工第二阵营突围，芯片代工第二阵营的联电和格芯都已决定放弃7nm工艺研发而停止在14nm。

当前的芯片都是硅基芯片，硅基芯片的极限在1nm，这个物理极限是台积电和Intel的天花板，它们在先进工艺研发方面遇到的巨大障碍对于中国芯片制造来说是非常难得的机遇，相信中国芯片必将打破当前的诸多困难，缩短与它们的差距。

中国芯片除了继续在硅基芯片方面努力之外，还在新的芯片技术方面做准备，在量子芯片、碳基芯片等方面都已有所布局，或许在全新的芯片技术到来之后，中国将会彻底取得领先优势。