浅谈芯片制造过程中的天线效应

         什么是天线效应？该怎么避免天线效应？

        首先，我们需要了解什么是天线效应。天线效应顾名思义，就是指在离子刻蚀过程中，已经形成的金属线像一根天线一样，不断收集离子刻蚀过程中产生的带电粒子。当金属线所收集的带电粒子足够多时，加载在gate上的电压会大到将gate击穿，导致mos管失效。

        那么，有的小伙伴可能会有一个问题，为什么天线效应只作用在std cell的input端，而不作用在std cell的output端呢？搞清楚这个问题，我们需要了解一下std cell input端和output端的结构。

        我们以一个inverter进行举例，从图1上看到，std cell的input端，其是由gate和一层较薄的绝缘层构成。当与栅极连接的金属线聚集了大量的电荷后，便有可能击穿栅氧层，导致mos管结构发生破坏。而output端，我们可以看到其结构就是一个等效的反偏的二极管，并不像gate那样存在一个绝缘层。因此，与output端连接的金属导线上的电荷可以通过其本身反偏二极管泄放掉，从而不会对源漏极造成损伤。

        知道了原理，那么如何解决天线效应呢？

        其实最简单的方法，就是从源头去解决，减少金属线的长度，这样金属线上收集的电荷不足以将gate击穿，也就避免了天线效应的发生。我们可以通过插buffer等方式降低金属线长度。

        其次，可以使用向上跳线法。如图1所示，我们可以看到Metel2原先是一个很长的线，其收集到足够多的电荷时会将gate击穿。但是，我们在靠近input端的地方，采用跳线法，将一小段net跳到Metal3，那么Metal2便被分成2段即net1和net2。那么，在实际加工过程中，metal2的金属线在收集电荷过程中，只有net1上收集的电荷才会传导到gate上，而net2此时是floating的。那么在加工Metal3的时候，此时Metal2上金属线收集的电荷也基本上消失，因此只有Metal3上那一点点net收集的电荷会传导到gate上。

        那么，有的同学就会问：向下跳线可以吗？答案是不行。这又是为什么呢？其实，也很好理解。假设Metal3的线很长，将其截取一小段跳到Metal2。那么，在加工Metal3的时候，处于Metal3的金属线会收集到很多电荷，由于Metal2此时已经加工完成，这些电荷便正好从Metal2一路传导到gate上，导致gate被击穿。

        另外，我们也可以根据天线效应的计算方法去解决这个问题。其本质是判断天线比例是否超出antenna rule的值，如果超过了就会产生antenna violation。具体公式如下：天线比率=金属导线的面积÷栅氧面积。有了公式，我们就知道，降低金属导线面积或者提高栅氧面积都可以解决天线效应。第一种方法，上文我们已经提及。如何提高栅氧面积呢？一个简单的方法就是增加产生std cell的驱动，即x2驱动的cell的gate面积是要大于x1驱动的。但是也要注意，更换cell驱动可能会产生timing问题。

        最后，我们还有个方法来解决天线效应。既然std cell的output pin可以通过反偏二极管将电荷泄放出去，那我们也可以在std cell input端前面插上反偏二极管。在电路正常工作时，二极管反偏，不会导致电路失效。而在芯片制造过程中，天线效应产生的电荷又可以通过反偏二极管泄放出去。这就很完美的解决了antenna的问题。如图2所示，为加入diode后电荷泄放路径。

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