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原创 【无标题】

电池的磁成像

2023-10-08 13:58:24 76

原创 凝聚态物理-量子霍尔传感器

超低温2K和室温300K下,还能保持高灵敏度霍尔传感器-凝聚态物理实验器材

2023-07-26 14:30:21 135

原创 PCR毫米波雷达应用介绍-佰誉达

PCR毫米波雷达应用介绍

2023-03-08 16:28:18 481 1

转载 【无标题】

CFLUX系TWI 英国无损检测协会和Advanced Hall Sensors 共同研究项目,致力于小型、安全、磁场分辨率高的扫描传感器。

2022-11-02 10:25:23 106

原创 Advanced Hall Sensors Ltd

Advanced Hall Sensors Ltd 介绍。

2022-11-01 16:23:56 197

原创 TWI和Advanced Hall Sensors共同项目- CFLUX

量子霍尔传感器在复合材料无损检测上的应用

2022-10-31 17:34:58 113

转载 使用QWHE量子阱霍尔效应传感器--威胁检测和识别

具有金属成分X射线成像的优点,无需产生X射线能量-高分辨率非接触磁成像,可用于安检

2022-10-28 16:51:00 177

转载 碳纤维复合材料无损检测

AHS高灵敏度QWHE(量子阱霍尔效应传感器)传感器在拾取低导电复合材料中的微小磁场,有效应用于复合材料的无损检测

2022-10-28 16:33:12 243

转载 超灵敏磁传感解决方案助力汽车产业发展

用于恶劣的应用环境以及超宽广的动态范围需求的量子霍尔传感器。

2022-08-10 13:47:39 237

转载 重庆大学微电子与通信工程学院代表团访问英国曼彻斯特大学和华威大学

重庆大学和曼切斯特大学开展关于量子霍尔传感器的成像技术合作。

2022-06-23 16:06:13 118

原创 2022-2028全球霍尔效应位置传感器行业调研及趋势分析报告

2022-2028全球霍尔效应位置传感器行业调研及趋势分析报告

2022-06-08 10:43:01 659

转载 关于英国半导体化合物

化合物半导体技术,会成为下一代技术改革浪潮

2022-06-08 09:49:35 263

原创 量子阱霍尔传感器P2A用于电流隔离器概述

量子阱霍尔传感器P2A用于电流隔离器概述

2022-06-02 17:45:09 375

翻译 具有宽频率响应和低增益温度系数的量子阱霍尔效应线性隔离器(霍尔线性隔离器)

线性电流隔离、高频率增益线性度、低增益温度系数、高信噪比,高动态范围和高响应速度的霍尔电流隔离器

2022-06-02 17:17:45 251

原创 高灵敏度全级霍尔开关AH462替代霍尼韦尔HAL248应用于便携式果汁机

高灵敏度全级霍尔开关AH462替代霍尼韦尔HAL248应用于便携式果汁机

2022-05-20 15:43:46 392

原创 霍尔传感器磁极的磁场强度计算

霍尔传感器磁极的磁场强度计算

2022-05-20 15:02:21 1706

原创 霍尔开关的简单选型

霍尔开关的简单选型

2022-05-17 17:43:50 1128 1

转载 我国汽车霍尔传感器研发任重道远

汽车霍尔传感器取代传统接触式传感器,大势所趋

2022-05-10 17:43:36 388

原创 量子阱霍尔效应传感器(量子霍尔传感器)

表面含义上描述什么是量子传感器,与市面的普通传感器有啥区别

2022-02-26 14:17:17 559

原创 编码器的历史以及未来发展前景

介绍编码器的历史和未来的应用前景,介绍了恶劣环境下编码器的关键磁敏元件:量子传感器

2022-02-21 22:28:56 1337

原创 对于编码器的组成和认识。

看大半天,啥叫做编码器呢? 其实基本将机械几何位移(角速度、转速)转化成电信号记忆存储的器件。电信号可以是脉冲、正余弦信号和方波(TTL、THL),这些信号被数控制置CNC、可编程逻辑控制器PLC、控制系统处理后,就是所需要的位移大小了,当然这个过程是相互转换的。 2. 编码器的组成是啥? 编码组成结构大概分为:磁敏元件、信号电路和其他部件(码盘、光栅源、金属部件)三部分。在中华工控网-传感器论坛中借鉴了网友“GEMPalminyin”的文章,可以根据编码器的性能...

2022-02-20 16:17:32 5454

翻译 霍尔传感器应用于微观结构

2017 年 12 月 14 日InnovateUK 资助项目 QBARKA 使用启用量子的 Burkhouse 噪声分析进行微观结构表征 英国政府机构 InnovateUK 的量子技术计划已授予资金支持 QBARKA(“使用量子启用伯克豪斯噪声分析的微观结构表征”)项目,该项目将专注于开发一种新技术,以实现金属的超高分辨率磁成像通过利用铁磁材料中的巴克豪森效应来研究微观结构。 该项目联盟包括化合物半导体中心 (CSC) - 卡迪夫大学与英国威尔士卡迪夫的外延片代工厂和基...

2021-11-24 17:47:53 161 1

翻译 更宽带隙的磁传感器-量子阱霍尔传感器

2017年11 月下旬,IQE 与卡迪夫大学的合资企业复合半导体中心从英国政府资金中筹集了超过 350,000 英镑,用于开发具有基于 GaAs 和 GaN 材料的集成电子器件的超灵敏磁传感器。新 CS-MAGIC 项目获得 InnovateUK 奖之际,行业分析师预测磁场传感器市场将出现惊人增长。MarketsandMarkets 预测,到 2023 年,当今 30 亿美元的全球市场将猛增至超过 50 亿美元,复合年增长率为 8.77%。同样,Technavio 预测从现在到 2020 年的复合年增长

2021-11-24 17:21:15 269 2

原创 霍尔传感器的制造工艺材料

AHS 产品的多功能性来自其人员在薄膜复合技术和器件设计和加工的不同方面积累的大量专业知识,尤其是分子束外延 (MBE) 方面的独特专业知识,最复杂的微电子行业必须使用的薄膜工具。 AHS 正在将“二维电子气 (2-DEG)”薄膜、由 III-V 族化合物制成的结构推向市场,其性能优于硅、GaAs、InAs 或 InSb 霍尔效应器件和磁电阻器。这些适应性强的磁性传感器由 AHS 专门定制,以满足一系列定制和工业要求,提供多种特性选择(参见产品数据表)。 ...

2021-11-22 17:32:05 4316

原创 霍尔传感器测距应用和磁铁的选择

在做产品的时候我们不可避免要涉及到霍尔感应距离的问题,有的可能要求感应距离比较近,比如30毫米,但是有的可能就是要感应距离比较远,可能要几个厘米。那么如何判断和寻找匹配的霍尔元件呢?现在我们就做如下的介绍。...

2021-11-20 16:21:09 4382

原创 霍尔传感器P2A与旭化成HG-302C对比

量子阱霍尔传感器P2A与旭化成HG-302C对比1. 从手册看出,P2A工作温度为-100℃-200℃。HG-302C工作温度为-40℃-125℃; P2A工作范围较宽,适合在极端的封闭式的工作环境;从激励电流和激励电压看,我们的功耗比较低,但是不影响它有宽磁场测量范围。2. 由于测试条件不同,只能局部比较。 a. 从输入电阻和输出电阻的最大值、最小值的差值可以看得出,P2A的制造工艺方面。另外阻值的大小其实影响温度的特性。 b. ...

2021-11-18 18:27:38 905

原创 量子霍尔传感器的渊源

一、 量子霍尔传感器的诞生 Advanced Hall Sensors Ltd 简称(AHS)2013 年作为曼彻斯特大学的衍生公司在英国成立,已成功将 (量子阱霍尔效应)QWHE 传感器技术商业化。 这是通过使用现代半导体材料(砷化镓)以及最先进的设计和先进的制造工艺(分子束外延)。 通过分子束外延监督晶圆上器件的制造,加工内部处理以确保设备质量、一致性和谨慎性。还有设计和制造过程的所有阶段提供世界领先的质量控制。这包括自动和手动晶圆映射、器件表征和测量,以及人...

2021-10-27 22:29:10 255

转载 曼彻斯特大学利用先进的量子阱霍尔传感器检测表面裂纹

近年来,曼彻斯特大学在半导体器件取得了长足发展,衍生的Advanced Hall Sensors Ltd. 简称AHS公司,已经可以生产出基于 AlGaAs-InGaAs 异质结构的高灵敏度量子阱霍尔效应 (QWHE) 传感器。与常见的基于硅的霍尔传感器类似,这些基于砷化镓的传感器能够可靠地测量磁场强度(磁通密度)和方向;但量子阱霍尔传感器的检测范围更广:100 nT(地球磁场的 0.5%)到 ~ 10 T。霍尔传感器在无损检测(NDE)中的应用并不新鲜。然而,量子阱霍尔传感器具有更高的灵敏度、高线性度

2021-10-26 19:57:25 366

原创 量子霍尔传感器常见问题的解答

产品介绍1.1目前学术界只有曼彻斯特大学开发的量子阱霍尔效应(QWHE)才是商业化的。Advanced Hall Sensors Ltd简称(AHS)成立于2013年,是一家 曼彻斯特大学的衍生公司1.2量子霍尔传感器型号分别为:P2A、P3A、P15A,有SM和TS封装方式。1.3量子霍尔传感器利用分子束外延技术制造薄膜晶片以及量子阱霍尔效应(QWHE)制造,基于AlGaAs-InGaAs/GaAs异质结构将产生三角形量子阱,包含一个量子阱将偏置电流的电子限制在二维电子气体,由此电子通过检测到.

2021-10-26 19:38:21 498

原创 霍尔传感器与量子阱霍尔传感器的区别。

一、商业硅霍尔传感器首先大家对霍尔效应比较熟悉,当承载电流(I)的导体置于磁场(B)中并定向以使电流和磁场成直角时,导体中产生的电场与电流和磁场成直角,并产生一个磁场霍尔电压(Vh)。电荷在电场和磁场中的给定点上感受到的电磁力称为洛伦兹力。F = q(E + vB)根据公式,我们知道电子移动的速度越快,它们所受的力就越大,从而产生更高的霍尔电压。这意味着霍尔效应传感器的灵敏度取决于所选材料的迁移率。硅基霍尔效应传感器的灵敏度范围为1mT 到100 mT。二、量子阱霍尔传感器生成条件:

2021-10-20 00:00:05 508

原创 量子阱霍尔传感器

利用分子束外延技术合成半导体薄膜,形成窄带隙半导体插入在两种宽带隙材料中,形成高迁移率三角形量子阱通道,一个量子阱将偏置电流的电子限制在二维电子气体,由此电子通过检测到的霍尔效应以更可控的方式使用更少的磁场散射。令人兴奋的是,与通用的霍尔传感器相比,宽(线性)工作范围下允许更大的测量灵敏度,温度系数低使得显著降低本底噪声的同时稳定保持高线性精度输出、有源元件的有效面积更小等优势。独特的量子阱结构让霍尔传感器有着传统硅霍尔传感器所没有高灵敏度(160V/AT)和抗辐射能力(-100℃-200℃工作)。

2021-10-17 23:01:08 256

超外差混频,一种激活量子阱霍尔效应传感器电源偏置的方法。

超外差混频,一种激活量子阱霍尔效应传感器电源偏置的方法。 目的:通过改变电源频率的方式,将外部磁场共同调制,得到噪声极低的输出霍尔电压信号

2022-06-16

砷化镓HG-302C数据手册

砷化镓HG-302C数据手册。 材料和工艺是硬件开发的终点

2022-06-16

AHS获得IOP商业创新奖项,该产品主要用于电流传感器、电压传感器、电磁钢无损检测(非侵入式检测)

AHS获得IOP商业创新奖项,该产品主要用于电流传感器、电压传感器、电磁钢无损检测(非侵入式检测)。目前AHS先进霍尔传感器公司,已经出货1500个,客户包括GE,、Airbus 、 Renishaw等。未来AHS在磁传感器加大力度,制造出全AsGa集成电路项目,并不局限于单传感器。

2022-06-16

开发和制造第一个全单片GaAs-AlGaAs二维电子气(2DEG)霍尔效应集成电路

本实验开发和制造第一个全单片GaAs-AlGaAs二维电子气(2DEG)霍尔效应集成电路。市面上的商用霍尔效应集成电路均基于硅技术。这些集成电路具有成本低、与CMOS工艺兼容等优点,但存在灵敏度低、可检测性差、功耗高、工作带宽低等缺点 磁传感的市场趋势是开发高灵敏度、高可靠性、低功耗、低尺寸、大信号噪声比、关键参数的低温依赖性以及低成本的传感器。霍尔效应集成电路可分为两类(直流和交流),这取决于是否要检测的时变场的静态特性。 成果: 1. 开发了交流线性霍尔效应磁强计,该磁强计能够在家用环境中非侵入性地测量50 Hz电流。2.成功设计、模拟、制造、测试和开发了第一个2DEG GaAs-In.18Ga.82As-Al.35Ga.65As直流线性和数字(单极)霍尔效应集成电路。直流线性霍尔IC在功耗方面增强了当前技术 3.开发了2DEG GaAs-In.18Ga.82As-Al.35Ga.65As交流线性霍尔效应集成电路。比商业硅霍尔集成电路功耗低(至少20%),带宽提高近20倍(从10 kHz到200 kHz)

2022-06-16

本文研究的目的是系统、详细地设计、构建和测试一个用于无损检测(NDT)的高灵敏度实时磁视觉成像系统。

本文研究的目的是系统、详细地设计、构建和测试一个用于无损检测(NDT)的高灵敏度实时磁视觉成像系统。 这种实时磁场摄像机的主要优点是:(1)在直流和交流无损检测中,它易于作为漏磁检测设备使用,(2)它能够提供类似于磁粉检测(MPI)的二维图形图像,但没有其固有的健康和安全缺陷,(3)使用低频交变磁场测试铁磁性和非铁磁性材料表面以下深度缺陷的能力, (4)通过交变外部磁场照明识别材料(金属)的能力,它在安全检查和标签、用于分析的磁性标记、生物成像检测和医疗等领域有着巨大的应用潜力。  霍尔效应传感器的低漂移(GaAs)、高灵敏度(InAs)和超灵敏度(InSb)特性可以通过使用不同的III-V化合物材料来实现。为了探测和探索低场(~nT),基于伪晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)的不同类型霍尔效应传感器的研究和开发已成为工业界和学术界的主要目标之一。

2022-06-16

AHS量子霍尔传感器,也叫量子阱霍尔传感器,利用分子束外延技术 制造薄膜晶片,以及量子阱霍尔效应(QWHE)设计

技术特点 AHS 量子霍尔传感器的优异特性来自其在薄膜复合技术和器件设计和加工等方面所积 累的大量专业知识,尤其是分子束外延 (MBE) 方面的独特专业知识。AHS公司目前向市场 推出“二维电子气 (2-DEG)”薄膜,这种结构由 III-V 族化合物制成,具有比硅、GaAs、InAs 或 InSb 霍尔效应器件和磁电阻器更出色的特性。AHS 在 MBE 生长的 2-DEG结构方面的独 特专业知识使其在市场上占有一席之地,也是全球唯一一家可以提供这种技术的公司。 量子阱 (QW) 是通过在两个稍厚、带隙较大的半导体(例如 AlGaAs 或 InAlAs) 之间插入非常薄的 GaAs 或 InGaAs 薄膜来构建的,从而产生了量子阱概念 。这 个 量子阱能够“捕获”电子,被称为二维电子气(2DEG),之所以这么叫是因为电子被捕获在 量子阱平面内,而不是像传统霍尔传感器那样自由地“漫游” 在三维的半导体晶体中。

2022-06-16

具有宽频率响应和低增益温度系数的量子阱霍尔效应线性隔离器

高灵敏度、高线性 QWHE 隔离器适合用作低成本、高效率、线性电流隔离装置。 具有宽频率响应和低增益温度系数的量子阱霍尔效应线性隔离器+使用于研究类人群+用于工业控制DC-DC电流隔离。打破以前的电源隔离器的壁垒,QWHE 隔离器具有高精度、大带宽、高频率增益线性度和热稳定性。与商用光隔离器、基于硅霍尔传感器的隔离器和线圈隔离器相比,这种 QWHE 隔离器不需要任何外部光传感器晶体管或铁氧体环形线圈来提高其灵敏度。 QWHE 隔离装置具有高性能和非常小的尺寸(传感器尺寸为 210  μm × 210 μm) 使其便于在通信、航空航天、信息和生物医学应用中使用。

2022-06-16

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