霍尔传感器的制造工艺材料

       AHS 产品的多功能性来自其人员在薄膜复合技术和器件设计和加工的不同方面积累的大量专业知识，尤其是分子束外延 (MBE) 方面的独特专业知识，最复杂的微电子行业必须使用的薄膜工具。

        AHS 正在将“二维电子气 ( 2-DEG )”薄膜、由 III-V 族化合物制成的结构推向市场，其性能优于硅、GaAs、InAs 或 InSb 霍尔效应器件和磁电阻器。这些适应性强的磁性传感器由 AHS 专门定制，以满足一系列定制和工业要求，提供多种特性选择（参见产品数据表）。

       AHS 在 MBE 生长的2-DEG 结构方面的独特专业知识 使其在市场上占有一席之地，难怪我们是全球唯一一家提供这种新技术并挑战更成熟技术的公司。

       AHS 新一代霍尔效应元件基于两种独特的技术：砷化镓 ( GaAs )* 和变质 InGaAs ( mGaAs ) 技术。

       大多数 AHS 传感器的操作依赖于“带隙工程”的概念，而不是依赖于半导体“体”特性的传统半导体霍尔效应传感器。换句话说，传感器的物理特性经过精心设计，可以实现使用自然体积特性根本不可行的所需任务。

       半导体材料的电子行为首先受“爆炸间隙”控制，这是通常禁止携带电荷的粒子