一、商业硅霍尔传感器
首先大家对霍尔效应比较熟悉,当承载电流(I)的导体置于磁场(B)中并定向以使电流和磁场成直角时,导体中产生的电场与电流和磁场成直角,并产生一个磁场霍尔电压(Vh)。
电荷在电场和磁场中的给定点上感受到的电磁力称为洛伦兹力。
F = q(E + vB)
根据公式,我们知道电子移动的速度越快,它们所受的力就越大,从而产生更高的霍尔电压。这意味着霍尔效应传感器的灵敏度取决于所选材料的迁移率。硅基霍尔效应传感器的灵敏度范围为1mT 到100 mT。
二、量子阱霍尔传感器生成
条件:超高真空
技术:分子束外延 技术
热蒸发产生的原子和分子束射到被加热的清洁衬底上,生成GaAs 或 InGaAs 薄膜,两个稍厚、带隙较大的半导体(例如 AlG