本文介绍了商业硅霍尔传感器的工作原理及其灵敏度，然后详细阐述了量子阱霍尔传感器的生成过程，利用分子束外延技术在超高真空中制造。量子阱结构提升了传感器的灵敏度，减少了载流子浓度。文章还对比了不同材料的霍尔传感器，如硅、砷化镓、锑化铟和砷化铟的特性，以及2-DEG霍尔传感器的优越性能，强调了电子迁移率和能带隙对传感器性能的影响。
一、商业硅霍尔传感器
首先大家对霍尔效应比较熟悉，当承载电流（I）的导体置于磁场（B）中并定向以使电流和磁场成直角时，导体中产生的电场与电流和磁场成直角，并产生一个磁场霍尔电压（Vh）。
电荷在电场和磁场中的给定点上感受到的电磁力称为洛伦兹力。
F = q(E + vB)
根据公式，我们知道电子移动的速度越快，它们所受的力就越大，从而产生更高的霍尔电压。这意味着霍尔效应传感器的灵敏度取决于所选材料的迁移率。硅基霍尔效应传感器的灵敏度范围为1mT 到100 mT。
二、量子阱霍尔传感器生成
条件：超高真空
技术：分子束外延 技术
热蒸发产生的原子和分子束射到被加热的清洁衬底上，生成GaAs 或 InGaAs 薄膜，两个稍厚、带隙较大的半导体（例如 AlG
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