32、PN节、BJT、MOSFET工作原理总结

一、PN节

1、准备工作(复习一些知识)
a、原子可以简单地定义为由原子核和核外电子组成的中性粒子。<注：原子不带电、单一的原子不存在自由电子>
b、原子外围绕核电子不稳定，在构成分子、最终到物体的过程中脱离原来的绕核轨迹，成为自由运动的电子。<注：绕核电子脱轨>
c、半导体：半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。<注：导电性对温度、光、杂质敏感，构成半导体的原子种类不定>
d、本征半导体：完全纯净的半导体称为本征半导体。<注：构成半导体的原子种类唯一、也叫元素唯一>
e、N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷)形成N型半导体。<注：N型半导体属于杂质半导体、单体不带电>
f、P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如铝)形成P型半导体。<注：P型半导体属于杂质半导体、单体不带电>
g、空穴又称电洞，在固体物理学中指共价键上流失一个电子，最后在共价键上留下空位的现象。<注：流失的电子最终成为自由电子>
2、本征半导体、N型半导体、P型半导体

P型半导体空穴多，容易吸引电子但原子核电荷不够，会形成负电荷。
N型半导体电子多，电子容易逃跑且原子核电荷太多，会形成正电荷。
3、PN结
N型半导体原本不带电，构成PN结后失去电子后呈正电性。P型半导体原本不带电，构成PN结后得到电子后呈负电性。
两个带电体形成内电场，方向P<=N，由N型半导体指向P型半导体。

电子受到电场力作用会漂移向N级，但N级电子太多，还是会向P级扩散。两种运动形成了动态平衡，当然，不一定会像下面这个动画一样形成稳定的环形电流。

4、PN节正向偏置
电源正极接P，负极接N，电荷会重新分布，正向电压削弱内电场从而使PN变窄，导电性增强。

形成比较大的电流。

5、PN节反向偏置
电源正极接N，负极接P，反向电压增强内电场从而使PN变宽，直到与外电场平衡或被击穿。

电流变得特别的小，几乎是截至状态<注:电流仍然存在，存在的电流由本征载流子承担>。
重点：
本征半导体的本征激发现象会产生少数的载流子。<在此称为本征载流子>
本征半导体加入的杂质会带给半导体大量的载流子。<在此称为杂质载流子>
PN结中杂质载流子远远多于本征载流子，所以不论正向导通还是反向截至，是以杂质载流子来说的。本征载流子在反向截至的过程中，也会产生微弱电流，但由于数量级别太小可以被忽略，即便可以忽略，但是我们要知道这个玩意并不符合PN结反向截至的特性，如果人为的增加本征载流子的数目，即使PN结反偏，仍然可以导通。<在BJT集电结反偏导通中就体现了出来>

二、BJT(双极结型晶体管)

1、BJT的做原理
NPN型三极管的模型如下，c为集电极由N型半导体构成，b为基极P型半导体构成，e为发射极N型半导体构成。
集电极面积比较大，基极厚度薄而且载流子浓度比较低。(属于电流控制器件,即基极电流控制集电极电流)

当发射结正偏时，电荷分布会发生变化，发射结宽度会变窄；相当于给电子打开了一扇e到b的大门。
集电结反偏时，电荷分布会也发生变化，集电结宽度会变宽。但汇集到基极的载流子也就是电子相当于人为增加了本征载流子，所以集电节反偏导通(杂质载流子由于PN结的作用，不再主导承担电流，而是由本征载流子主导)。如下方动画所示：

b级会接一个大电阻RB限制电流Ib的大小，跑到b极的那些多余的电子就只好穿越集电结，形成电流Ic，如下方动画所示

如果基极电压翻倍，电荷分布会继续发生变化，发射结宽度会变得更窄，这扇大门变得更宽了，将会有更多的电子跑到b级。如下方动画所示：

由于RB是大电阻，Ib就算翻倍了也还是很小，所以更多的电子会穿越集电结，让Ic也翻倍。如下方动画所示：

两个直流电源是可以合并到一起的，再加上小信号ui和两个电容，就得到了放大电路，如下图所示：

如果电阻大小合适，这个放大电路能够将小信号ui放大成相位相反的大信号Uce，如下方动画所示：
红色为输入端，ui的变化会影响Ube，把发射结看成一个小电阻，红色的Q点就会沿黑线运动，然后画出iB的图像；
根据iC=βiB,画出ic的图像，纵坐标从μA变成了mA；
而输出端有Uce = Ucc - ic * Rc，当Ucc、Rc不变时，Uce与Ic反相。

2、BJT常见芯片型号和开关电路应用
三极管的工作状态有四个，分别是放大、截止、饱和、倒置，NPN型共发射机电路的输出特性曲线如下：

常见的三极管为9012、s8550、9013、s8050.单片机应用电路中三极管主要的作用就是开关作用。其中9012与8550为pnp型三极管，可以通用。其中9013与8050为npn型三极管，可以通用。NPN（左）与PNP（右）两种三极管各引脚的表示如下：
记忆点：e极总是标在带箭头的一边，NPN、PNP的中间字母分别为N、P，其中P的谐音是屁，屁只能朝外放，不能向里放。

三、MOSFET(场效应晶体管)

寄生二极管和源极箭头方向相同，工作电流和寄生二极管相反，开关电压方向顺从工作电流方向。
(属于电压控制器件，即栅源电压控制漏源电流)