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BJT的介绍
BJT有两种常见类型:NPN 和 PNP。
顾名思义,NPN就是两个N型材料夹着P型材料,PNP则相反。以不同的材料将BJT划分为三个区域,分别为基区、集电区和发射区,以NPN为例,其的物理结构如下所示:
这三个区域的特点如下:
名称 | 特点 | 作用 |
基区(base) | 很薄,掺杂浓度最低 | 控制 |
集电区(college) | 面积最大,掺杂浓度较高 | 收集载流子 |
发射区(emit) | 掺杂浓度最高 | 发射载流子 |
NPN和PNP的结构示意图和电路符号如下所示:
其中,每个区域引出一个电极,基区引出的电极就叫做基极,以此类推。
BJT的三个区域会形成两个PN结,集电区与基区之间的称为集电结,发射区与基区之间的称为发射结。
此外,电路符号中的箭头代表PN结导通的方向。
BJT根据两个PN结的导通状态不同,有不同的工作状态:截止、放大、饱和与倒置。
BJT的放大工作原理(以NPN为例)
BJT实际上是一个控制元件,能够放大电流,让 ic 随 ib 变化。
BJT的放大条件为:发射结正偏,集电结反偏。
接下来我们开始研究BJT内部载流子的运动情况,如下图所示:
根据上图,我们来一步一步地拆解。
1、发射结(正偏)
此时,发射区(N区)的多子自由电子会向基区(P区)扩散,形成发射结电子扩散电流,由于发射区的掺杂浓度高,所以
很大。
同时,基区(P区)的多子空穴会向发射区(N区)扩散,形成空穴扩散电流,由于基区的浓度低,所以
<<
。
和
一起构成了发射极电流
,受发射极正向电压
控制,公式如下所示:
由于很小,所以也常认为:
2、基区
由于发射区的多子电子远大于基区的多子空穴,而且基区很薄,所以发射区的电子会越过基区向集电区扩散,但是在扩散的过程中电子会与基区中的空穴发生复合,这就产生了复合电流。当条件不变时(温度稳定),这种复合的比例是不变的。(不恰当的例子:基区为鳄鱼河,电子为斑马,斑马跑过鳄鱼河时会被吃掉几个,数目固定,但是大部分会跑过)
为了保证基区的浓度不变,基区被复合掉的空穴会由电源拉走基区中的电子进行补充。
3、集电结(反偏)
此时是漂移运动为主。在外电场的影响下,扩散过来的电子会被迅速地拉到集电区,不会在PN结出堆积,形成电流。通过以上分析易知有如下表达式:
此外集电区内本身的少子空穴和基区的少子电子在电场的影响下做漂移运动形成反向饱和电流
和
一起构成了集电极电流
。
综上所述,结合载流子运动图和公式,可以得到基极电流的表达式为:
BJT的放大系数
1、共基极直流放大系数
把被集电区收集的由发射区扩散到基区的载流子形成的电流与发射极电流
的比定义为共基极直流放大系数
,有:
2、共射极直流放大系数
把被集电区收集的由发射区扩散到基区的载流子形成的电流与复合电流
的比定义为共射极直流放大系数
,有:
共射极直流放大系数与共基极直流放大系数的关系为(可根据上述公式自行推导):
3、穿透电流
是基极开路时(=0)发射极和集电极之间的电流。
关于共集、共基和共射
举例说明,共基代表输入端口和输出端口的共同端为基极,如上图(a)所示。