微带传输线

Bei_xifen

已于 2022-06-01 13:37:05 修改

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分类专栏：射频电路文章标签： linq p2p gnu

于 2019-10-21 17:04:20 首次发布

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假定构成微带线导体的厚度 $t$ 与基片的厚度 $h$ 相比可以忽略( $t<h<0.005$ )。在这种情况下，可以应用经验公式。

对于窄的微带线( $w/h<1$ )，其特性阻抗为

$Z_{0}=\frac{Z_{f}}{2 \pi \sqrt{\varepsilon_{\mathrm{eff}}}} \ln \left(8 \frac{h}{w}+\frac{w}{4 h}\right)$

其中， $Z_{f}=\sqrt{\mu_{0} / \varepsilon_{0}}=376.8 \Omega$ 是自由空间波阻抗， $\epsilon_{eff}$ 是由下式给出的等效介电常数(effective dielectric constant)：

$\varepsilon_{\mathrm{eff}}=\frac{\varepsilon_{r}+1}{2}+\frac{\varepsilon_{r}-1}{2}\left[\left(1+12 \frac{h}{w}\right)^{-1 / 2}+0.04\left(1-\frac{w}{h}\right)^{2}\right]$

对于宽的微带线( $w/h>1$ ),其特性阻抗为

$Z_{0}=\frac{Z_{f}}{\sqrt{\varepsilon_{\mathrm{eff}}}\left(1.393+\frac{w}{h}+\frac{2}{3} \ln \left(\frac{w}{h}+1.444\right)\right)}$

其中，

$\varepsilon_{\mathrm{eff}}=\frac{\varepsilon_{r}+1}{2}+\frac{\varepsilon_{r}-1}{2}\left(1+12 \frac{h}{w}\right)^{-1 / 2}$

上面公式中，等效介电常数被视为充满微带线周围空间的均匀介质的介电常数，该均匀介质代替了介质基片和周围的空气。用等效介电常数的概念能计算微带线的相速度 $v_{p}=c/\sqrt{\epsilon_{eff}}$ ，由此推导出波长的表达式

$\lambda=\frac{v_{p}}{f}=\frac{c}{f \sqrt{\varepsilon_{\mathrm{eff}}}}=\frac{\lambda_{0}}{\sqrt{\varepsilon_{\mathrm{eff}}}}$

其中 $c$ 是光速， $f$ 是工作频率， $\lambda_{0}$ 是电磁波在自由空间的波长。

为了实现设计目标，希望有一个关系式，用于给定的特性阻抗 $Z_{0}$ 和基片的介电常数 $\epsilon_{r}$ 计算 $w/h$ 。假定微带线的导体无限波，对于 $w/h\leq 2$

$\frac{w}{h}=\frac{8 e^{A}}{e^{2 A}-2}$

其中系数A为

$A=2 \pi \frac{Z_{0}}{Z_{f}} \sqrt{\frac{\varepsilon_{r}+1}{2}}+\frac{\varepsilon_{r}-1}{\varepsilon_{r}+1}\left(0.23+\frac{0.11}{\varepsilon_{r}}\right)$

对于 $w/h\geq 2$

$\frac{w}{h}=\frac{2}{\pi}\left\{B-1-\ln (2 B-1)+\frac{\varepsilon_{r}-1}{2 \varepsilon_{r}}\left[\ln (B-1)+0.39-\frac{0.61}{\varepsilon_{r}}\right]\right\}$

其中系数B为

$B=\frac{Z_{f} \pi}{2 Z_{0} \sqrt{\varepsilon}_{r}}$

微带线设计例

一个实际的射频电路需要微带线具有 $50\Omega$ 的特性阻抗。选定的印刷电路板板材是FR4，其相对介电常数为4.6，厚度为40mil。求：到替代的宽度相速度级2GHz时的波长。

解：首先确定w/h的近似值，根据上面“微带线特性阻抗与w/h的关系”图，选择 $\epsilon_{r}=4.6$ 的曲线，读出 $Z_{0}=50\Omega$ 时，w/h约为1.9。所以选择 $w/h\leq 2$ 对应的公式计算

$A=2 \pi \frac{Z_{0}}{Z_{f}} \sqrt{\frac{\varepsilon_{r}+1}{2}}+\frac{\varepsilon_{r}-1}{\varepsilon_{r}+1}\left(0.23+\frac{0.11}{\varepsilon_{r}}\right)=1.5583$

$\frac{w}{h}=\frac{8 e^{A}}{e^{2 A}-2}=1.8477$

验算：

相对介电常数

$\varepsilon_{\mathrm{eff}}=\frac{\varepsilon_{r}+1}{2}+\frac{\varepsilon_{r}-1}{2}\left(1+12 \frac{h}{w}\right)^{-1 / 2}=3.4575$

微带线特性阻抗

$Z_{0}=\frac{Z_{f}}{\sqrt{\varepsilon_{\mathrm{eff}}}\left(1.393+\frac{w}{h}+\frac{2}{3} \ln \left(\frac{w}{h}+1.444\right)\right)}=50.2243\Omega$

验算结果表明设计的w/h值对应的特性阻抗很接近目标阻抗，计算正确。

利用w/h值计算出导体的宽度w=73.9mil。

根据等效介电常数估算微带线的相速度

$v_{p}=c/\sqrt{\epsilon_{eff}}=1.61\times10^8m/s$

2GHz等效波长

$\lambda=v_{p}/f=80.67mm$

本例只适用于无限长的孤立导体带。

很多情况下，假定导体带的厚度为零(忽略)可能不正确，因此需要对上面的公式修正。非零厚度的导体带可近似为导体带有效宽度(effective width) $w_{eff}$ 的增加。也就是用有效宽度来代替导体带实际宽度，即把上面用到的 $w$ 替换成 $w_{eff}$

$w_{\mathrm{eff}}=w+\frac{t}{\pi}\left(1+\ln \frac{2 x}{t}\right)$

其中 $t$ 是导体带的宽度，如果 $w>\frac{h}{2\pi}>2t$ ，则 $x=h$ ；如果 $\frac{h}{2\pi}>w>2t$ ,则 $x=2\pi w$ 。

对于 $h=25mil$ 的标准FR4基片，非零厚度对特性阻抗的影响如下图。从图中可以看出对于窄的导体带，这个影响很显著，而当导体带宽度大于介质的厚度时，影响几乎可以忽略不计。

Bei_xifen

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假定构成微带线导体的厚度与基片的厚度相比可以忽略()。在这种情况下，可以应用经验公式。对于窄的微带线()，其特性阻抗为其中，是自由空间波阻抗，是由下式给出的等效介电常数(effective dielectric constant)：...
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