高速系统设计自学笔记——理论基础5

最新推荐文章于 2025-04-18 12:02:58 发布

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微波传输介质

微波信号的反射是由于传输介质的阻抗不连续所引起的，因此，为了研究工程实用中信号的传输质量，我们就不能不研究微波传输介质。

微波传输系统有很多，不同的传输系统具有不同的电气特征，适合不同模式的电磁波传输。下表是几种典型的微波传输系统对比。

微波传输系统对比
	同轴线	波导	微带线
传输模式	TEM，TM，TE	TM，TE	TEM，TM，TE
带宽	高	低	高
损耗	中	低	高
功率	中	高	低
物理尺寸	大	大	小
可制作性	中	中	易
与其它器件连接性	难	难	易

这里我们讨论和PCB密切相关的两种微波传输系统：微带线和带状线。而最适合在微带线和带状线上传输的电磁波都是TEM波，其电磁场结构如下图所示，电场和磁场相互垂直，并都垂直于传输方向Z轴。

微带线也是一种双线传输系统，它的基本结构及TEM电磁波在微带线上的电磁波分布情况如上图。它与常规双线传输系统的区别在于：两导体之间的距离非常近（相对于工作波长）。同时，由于在PCB系统中，微带线的其中一个导体，也就是参考地平面，通常以一个公共导电层的形式出现，使得很多设计者反而忽略了这个导体的存在。久而久之，就形成了一个错误观念，以为微带线就是单导体传输系统。微带线具有工作频带宽、体积小、重量轻、可以构成微波集成电路等优点，但和其他微波传输系统相比缺点是损耗较大、功率容量较小。

微带线

在PCB中，微带线是一种用电介质将导线与接地面隔开的传输线，印制迹线的厚度、宽度和迹线与接地面间介质的厚度，以及电介质的介电常数，决定微带线特性阻抗的大小。

微带线的几何结构如下图所示，导带的宽度W印在薄的、接地的介质基片上。

实际上，微带线的准确场是一个混合TE-TM波，需要更加先进的分析技术，但在大部分的实际应用中，介质基片电气上很薄，Ez和Hz在其波的传输方向上的分量非常小，可以忽略，所以微带线电磁场是准TEM波。换句话说，电场本质上与静电场是相同的，因此，通过静态或准静态解，可得到相近的相速、传播速度和特性阻抗。

根据《IPC-2141 Comtelled Impedance Circuit Board and High Speed Logic Design》规范，推荐工程使用的微带线参数计算公式如下。

特征阻抗： $Z_{0}=\frac{87}{\sqrt{\varepsilon +1.41}}ln\frac{5.98h}{0.8W+t}(\Omega )$

传播延迟： $t_{pd}=85\sqrt{0.457\varepsilon +0.67}(ps/inch)$

等效电容： $C_{0}=1000\frac{t_{pd}}{Z_{0}}(pF/ft)$

等效电感： $L_{0}=Z{_{0}}^{2}\cdot C_{0}(pH/ft)$

对普通FR-4材料（介电常数 $\varepsilon$ 在4.5~5之间）：75 $\Omega$ 微带线结构中， $W\approx h$ ；50 $\Omega$ 微带线中， $W\approx 2h$ 。

微带线的宽度W越大，微带线的特性阻抗 $Z_{0}$ 越低。近似公式在微带线宽度W远大于介质厚度t时的精度较高，否则，就需要加以修正。当W和t相当时，误差约为百分之几到百分之十几。其中微带线宽度W远大于介质厚度t也正是目前PCB工艺所能实现的。

需要说明的是，实际上微带线的特征阻抗 $Z_{0}$ 、传播延迟 $t_{pd}$ ，都是工作频率的函数。因此，需要注意的是，当工作频率升高时，微带线的色散将增大，基于准静态分析法的近似公式的精度将变差。因此，在毫米波频段，微带线电路的理论计算比较困难。一般认为频率f<4GHz时，可以忽略色散效应。同时，实验表明，工作频率f升高，等效介电系数 $\varepsilon$ 将增大，所以当微带线的工作频带较宽时，特征阻抗 $Z_{0}$ 、传播延迟 $t_{pd}$ 的频率响应特性不可忽略。

微带线的损耗

对于微带线损耗的精确计算只能采用数值解，计算过程相当复杂，微波工程中通常采用近似公式和经验公式来估计微带线的损耗。以下对微带线的损耗做定性的讨论，以得到概念性的了解。

微带线的损耗可以分为三类，导体欧姆损耗、介质损耗和辐射损耗。

1.微带线导体表面的欧姆损耗

在传输功率一定的条件下，微带线导体表面欧姆损耗的一些基本特点如下。

如果介质基片的厚度h减小，则两导体之间的磁力线密度增大，损耗将增加；
如果导体表面的光洁度下降，或导体的电导率 $\sigma$ 减小，损耗将增加；
在微带线导体表面光洁度和工作模式一定的前提下，由于趋肤效应的存在，随着工作频率升高，微带线的损耗将增加。

2.微带线的介质损耗

微带线的介质损耗来源于复介电系数的虚部，其物理机制是介质中的漏电导离子、电子在微波激励下的热振动等。在微波工程中实用的电介质材料的介质损耗都相当小，以最普通的微波介质材料氧化铝（ $Al_{2}O_{3}$ ）为例，当其纯度为96%时，其介质损耗仅为欧姆损耗的六分之一；当其纯度为99.5%时，其介质损耗仅为欧姆损耗的三十六分之一。