【菜鸡的自动化学习之旅】《电力电子技术》学习笔记1.3 ———— 电力晶体管

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一、电力晶体管简介

  电力晶体管（Giant Transistor —— GTR，直译为巨型晶体管），它与晶闸管不同，具有线性放大特性，但在电力电子应用中却工作在开关状态，从而减小功耗，GTR可通过基极控制其开通、关断，是典型的自关断器件。

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二、GTR的结构和工作原理

• 与一般双极型晶体管相似的结构、工作原理和特性
• 采用集成工艺将许多这种单元并联
• 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好
• 应用中，GTR一般采用共发射极接法
• 集电极电流$i_c$与基极电流$i_b$的比值为：$\beta =\frac{i_c}{i_b}$（β称为GTR电流放大系数，它反映出基极电流对集电极电流的控制能力）
• 单管电流放大系数为10左右
• 当考虑到集电极和发射极间的漏电流$I_{ceo}$时，$i_c$和$i_b$的关系为：$i_c=\beta i_b+I_{ceo}$

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三、GTR 的基本特性

1. 静态特性

共发射极接法时GTR的输出特性

• 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区
• 在电力电子电路中GTR工作在开关状态
• 在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区

2. 动态特性

图中：

开通过程：

• $t_d$：延迟时间
• $t_r$：上升时间
• $t_{on}$：开通时间，$t_{on}=t_d+t_r$

关断过程：

• $t_s$：延迟时间
• $t_f$：上升时间
• $t_{off}$：开通时间，$t_{off}=t_s+t_f$

GTR的开关时间在几微秒以内，比晶闸管和GTO都短很多

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四、GTR的主要参数及安全工作区

1. 最高工作电压$U_{CEM}$

  主要是指集电极的击穿电压值

• GTR上电压超过规定值时会发生击穿
• 击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关
• 各种不同接法时的击穿电压的关系如下：
  
  为了保证器件工作安全，GTR的最高工作电压$U_{CEM}$应比最小击穿电压$B{U}_{CEO}$要低

2. 饱和压降$U_{CES}$

• 处于深度饱和时集电极与发射极间的电压
• 在大功率应用中它是一项重要指标，因为它关系到器件导通的功率损耗
• 单个GTR的饱和压降一般不超过1~1.5V

3. 集电极连续直流电流额定值$I_C$

  指只要保证结温不超过允许的最高结温，晶体管允许连续通过的直流电流值

4. 集电极最大允许电流$I_{CM}$

• 最高允许结温下，不造成器件损坏的最大电流
• 超过该额定值必将导致晶体管内部结构的烧毁
• 实际使用时要留有裕量，只能用到$I_{CM}$的一半或稍多一点

5. 基极电流最大允许值$I_{BM}$

$I_{BM}$远小于$I_{CM}$，通常 $\frac{1}{10}{I}_{CM}\le I_{BM}\le \frac{1}{2}{I}_{CM}$，而基极—发射极间的最大电压额定值通常只有几伏

6. 最大额定功耗$P_{CM}$

  指GTR在最高允许结温时，所对应的耗散功率，其大小主要由集电结工作电压和集电极电流的乘积决定，受环境温度和散热条件影响

7. 二次击穿现象

• 一次击穿：集电极—发射极击穿电压$B{U}_{CEO}$，$I_c$迅速增大
  如果能及时限制电流增长，使$I_c$不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变
• 二次击穿：一次击穿发生后，$I_c$突然急剧上升，电压陡然下降
  常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变
  

8. 安全工作区（SOA-Safe Operating Area）

  是指由GTR的集射极最高电压$U_{CEM}$、集电极最大电流$I_{CM}$、集电极最大耗散功率$P_{CM}$、二次击穿功率$P_{SB}$、限制的区域

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五、GTR类型

1. 单管GTR

  单管GTR的电流放大系数很小，通常为10左右

2. 达林顿GTR

  达林顿结构的GTR是由两个或多个晶体管复合而成

  达林顿结构的GTR的电流放大倍数很大，可以达到几十至几千倍，饱和管压降增加，增大了导通损耗，同时降低了管子的工作速度

3. GTR模块

  它是将GTR管芯根据不同的用途将几个单元电路集成在同一硅片上，提高了器件的集成度、工作的可靠性、性价比，同时也实现了小型轻量化

  将6个相互绝缘的单元电路制在同一模块内，以组成三相桥电路

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