电力电子技术学习笔记（十二）：绝缘栅双极型晶体管

3.5 绝缘栅双极型晶体管

3.5.1 基本结构与工作原理

IGBT内部结构：

等效电路图：

比MOSFET多了重掺杂 P+衬底。

在 P+和 N– 之间增加一层 N+缓冲层，降低 IGBT的导通压降。

3.5.2 IGBT的基本特性

（一）静态特性：输出特性

线性放大区

以 BJT 特性为主，电压和电流都很大，损耗也大。<