电力电子技术01 电力电子器件（5）---IGBT绝缘栅双极型晶体管

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06 IGBT_哔哩哔哩_bilibili

一、IGBT的原理

1.BJT和MOSFET的对比

BJT（双极性结型晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是两种常见的晶体管类型，它们在电子电路中有着不同的工作原理和应用场景。

工作原理

• BJT（Bipolar Junction Transistor）：

  • 载流子：主要依靠少数载流子（电子和空穴）进行导电。
  • 控制方式：电流控制器件，基极电流（I_B）控制集电极电流（I_C）。
  • 结构：有两个PN结（发射结和集电结），分为NPN和PNP两种类型。
  • 放大作用：集电极电流是基极电流的β倍（放大倍数）。

• MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）：

  • 载流子：主要依靠多数载流子（电子或空穴）进行导电。
  • 控制方式：电压控制器件，栅极电压（V_GS）控制漏极电流（I_D）。
  • 结构：有一个MOS电容结构（金属-氧化物-半导体），分为N沟道和P沟道两种类型。
  • 放大作用：漏极电流由栅极电压控制。

优点和缺点

• BJT：

  • 优点：
    • 高电流增益：具有较大的电流放大能力。
    • 线性特性好：适用于模拟电路中的精密放大器。
  • 缺点：
    • 控制功耗高：基极需要持续电流，增加功耗。
    • 开关速度较慢：由于载流子的存储效应，开关速度相对较慢。
    • 热稳定性差：受温度变化影响较大，容易发生热失控。

• MOSFET：

  • 优点：
    • 高输入阻抗：栅极几乎不消耗电流，驱动功耗低。
    • 开关速度快：由于是电压控制器件，开关速度快，适合高速开关应用。
    • 热稳定性好：具有负温度系数，温度升高时电流减小，有助于防止热失控。
  • 缺点：
    • 静电敏感：栅极氧化层容易被静电击穿，需小心处理。
    • 导通电阻大：在导通状态下的导通电阻较大，特别是在高电流应用中会导致较大的功耗。

应用场景

• BJT：

  • 模拟电路：如小信号放大器、音频放大器、线性稳压器。
  • 开关电路：较少用于高频开关电路，但仍用于一些低频应用。

• MOSFET：

  • 开关电路：如开关电源、DC-DC转换器、高频开关应用。
  • 模拟电路：如运算放大器、模拟开关，但在精密线性放大中不如BJT表现好。

关键参数比较

• 输入阻抗：

  • BJT：较低，典型值在几千欧姆到几百千欧姆之间。
  • MOSFET：极高，典型值在百万欧姆甚至更高。

• 输出特性：

  • BJT：在饱和区具有较低的输出阻抗，但在放大区具有较高的输出阻抗。
  • MOSFET：在导通时具有较低的导通电阻，但比BJT稍高。

• 开关速度：

  • BJT：相对较慢，适合低频应用。
  • MOSFET：非常快，适合高频应用。

• 功率处理能力：

  • BJT：在高电流应用中表现较好，但需要考虑散热。
  • MOSFET：在高电压应用中表现较好，但需注意导通电阻和功耗。

总结

• BJT和MOSFET各有优缺点和应用场景：
  • BJT适用于需要高电流增益和良好线性特性的模拟电路。
  • MOSFET适用于需要高输入阻抗和快速开关速度的数字和开关电路。
• 选择时需根据具体应用的要求进行权衡，如电流、速度、功耗和成本等因素。

2.BJT和MOSFET的结合

结构组成

• MOSFET部分：

  • IGBT的栅极由MOSFET部分控制，具有高输入阻抗和低驱动功率的特点。
  • MOSFET提供了IGBT的电压控制特性，使得器件易于控制。

• BJT部分：

  • IGBT的集电极和发射极由BJT部分组成，具有高电流处理能力和快速开关速度的特点。
  • BJT提供了IGBT的电流放大特性，使得器件能够处理大电流。

 工作原理

• 导通状态：

  • 当栅极施加正向电压时，形成了导电通道，使得漏极电流得以流动。
  • MOSFET控制了导通状态的起始，而BJT控制了漏极电流的放大。

• 关断状态：

  • 当栅极施加负向电压时，导电通道关闭，使得漏极电流减小。
  • BJT的关断速度较快，有助于快速关闭导电通道。

优点

• 高输入阻抗：

  • MOSFET的特性使得IGBT具有高输入阻抗，减少了控制电路的负载效应。

• 高电流处理能力：

  • BJT的特性使得IGBT能够处理大电流，适用于高功率应用。

• 低饱和压降：

  • MOSFET的特性使得IGBT具有较低的饱和压降，减少了功耗。

• 热稳定性好：

  • BJT的负温度系数和MOSFET的特性相结合，使得IGBT具有良好的热稳定性。

应用领域

• 电力电子：

  • IGBT广泛应用于交流调速驱动器、逆变器、交流电源和直流电源等高功率应用。

• 交通运输：

  • 电动汽车、电动列车和电动船等交通运输工具中的功率电子控制系统中常使用IGBT。

• 工业自动化：

  • 工厂自动化设备、机床、焊接设备等领域中的高功率控制系统也采用了IGBT技术。

总结

• IGBT结合了MOSFET和BJT的优点，具有高输入阻抗、高电流处理能力、低饱和压降和良好的热稳定性等特点。
• 它在电力电子领域具有广泛的应用，为高功率、高频率和高压的应用提供了高效、可靠的解决方案。

二、IGBT的引出

1.IGBT的结构

1. 基本结构

• 结构复杂：IGBT的结构相对较复杂，由MOSFET和BJT两部分组成。

• 三极管结构：类似于BJT，IGBT也有三个主要的电极，分别是栅极（Gate）、集电极（Collector）、发射极（Emitter）。

2. MOSFET部分

• 栅极：和普通的MOSFET一样，IGBT的栅极由金属材料制成，用于施加控制信号。

• 绝缘层：在栅极和半导体材料之间有一层绝缘层（通常是氧化硅），用于隔离栅极和半导体，防止电流泄漏。

• 半导体层：在绝缘层上方是半导体层，通常是P型或N型硅。

3. BJT部分

• 发射极：在半导体层中，接近绝缘层的一侧是发射极，它决定了电流的流向。

• 集电极：在半导体层中，远离绝缘层的一侧是集电极，用于收集电流。

• PN结：在发射极和集电极之间形成PN结，类似于普通的BJT。

4. 结合部分

• P-N结和N+区：在IGBT的结合部分，N+区连接到栅极，起到了MOSFET部分的作用，控制栅极电压。

• P-N结和P+区：在BJT部分，P+区连接到发射极，起到了BJT的作用，控制漏极电流。

5. 工作原理

• 当栅极施加正向电压时，形成了导电通道，使得漏极电流得以流动，类似于MOSFET。

• BJT控制了漏极电流的放大，使得整体的电流放大倍数非常高。

MOSFET的结构和PNP型BJT结构

使两个部分结合

2.功率BJT、功率MOSFET与IGBT对比

3.IGBT的介绍

4.IGBT的封装

三、IGBT的静态效应

1.擎住效应

IGBT体内产生的寄生三极管导致的。我觉得有点类似晶闸管。

预防方法

1. 合理设计电路：优化电路设计，选择合适的器件和工作条件，减少擎住效应的可能性。

2. 降低触发信号变化率：控制触发信号的变化率，避免突然的电压变化，减少擎住效应的发生。

3. 使用抑制电路：在IGBT周围添加抑制电路，帮助清除晶体管中的电荷，提高器件的关断速度。

4. 温度控制：控制器件的工作温度，避免高温下擎住效应的发生，选择适当的散热方案。

2.静态特性的输出特性

开通和关断的原理

这里没有考虑寄生三极管的作用，通常也不会考虑。

开通的时候，有电流，无电压对应a点；
关断的时候，有电压，无电流对应b点。
那条蓝色的线就是U_CE,增大的时候从右向左走。

1. 截止区

在关断区，IGBT的栅极-发射极电压（V_GE）低于阈值电压（V_th），因此没有漏极电流（I_C）。在这种情况下，IGBT处于截止状态，表现出高阻抗特性，漏极-发射极电压（V_CE）几乎全部加在器件上。

2. 线性区（饱和区）

在线性区，栅极-发射极电压（V_GE）超过阈值电压（V_th），并且V_CE<V_GE-V_th，I。此时，漏极电流（I_C）随着集电极-发射极电压（V_CE）的增加而线性增加。这一工作区主要用于模拟信号放大应用。

3. 有源区

在有源区，IGBT导通。漏极电流（I_C）主要由栅极-发射极电压（V_GE）控制，而集电极-发射极电压（V_CE）对漏极电流的影响较小。在这一状态下，IGBT的集电极-发射极电压（V_CE）较低，器件呈现出低阻抗特性。这一工作区是IGBT在开关应用中最常见的工作区。

3.静态特性的关键参数

四、IGBT的动态效应

1.动态特性的测试电路

2.导通的动态特性

就是BJT和MOSFET的复合。

3.关断的动态特性

MOSFET和IGBT的关断动态效应的对比

五、IGBT的驱动

六、SiC MOSFET

七、器件共性问题和总结

1.器件的保护