闩锁电流_IGBT——闩锁(Lanchup)效应

闩锁(Lanch-up)效应，一般我们也可以称之为擎住效应，是由于IGBT超安全工作区域而导致的电流不可控现象，当然，闩锁效应更多的是决定于IGBT芯片本身的构造。实际工作中我们可能很少听到一种失效率，闩锁失效，今天我们就来聊一聊什么是闩锁效应~

IGBT，这个集MOS和BJT于一身的"男人"，一般我们认为IGBT的理想等效电路如下图所示

上图直观地显示了IGBT的组成，是对PNP双极型晶体管和功率MOSFET进行达林顿连接后形成的单片型Bi-MOS晶体管。

故在G-E之间外加正向电压使MOS管导通时，PNP晶体管的基极-集电极之间就连上了低电阻，从而使PNP晶体管处于导通状态。此后，使G-E之间的电压为零或者负压时，首先MOS管处于断路状态，PNP晶体管的基极电流被切断，从而使IGBT关断。所以，IGBT和MOS一样，都是电压控制型器件。

那闩锁效应的产生是在哪里呢？