绝缘栅双极晶体管IGBT

■GTR和GTO是双极型电流驱动器件，由于具有电导调制效应，其通流能力很强，但开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。而电力MOSFET是单极型电压驱动器件，开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。绝缘栅双极晶体管（Insulated-gate Bipolar Transistor——IGBT或IGT）综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有良好的特性。

IGBT的结构

IGBT  简化等效电路  电气图形符号

■IGBT的结构和工作原理

   ◆IGBT的结构

       ☞是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。

       ☞由N沟道VDMOSFET与双极型晶体管组合而成的IGBT，比VDMOSFET多一层P+注入区，实现对漂移区电导率进行调制，使得IGBT具有很强的通流能力。

       ☞简化等效电路表明，IGBT是用GTR与MOSFET组成的达林顿结构，相当于一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。        

◆IGBT的工作原理

    ☞IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，是一种场控器件。

     ☞其开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的。

       √当UGE为正且大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流进而使IGBT导通。

       √当栅极与发射极间施加反向电压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，使得IGBT关断。

    ☞电导调制效应使得电阻RN减小，这样高耐压的IGBT也具有很小的通态压降。

IGBT的转移特性

■IGBT的基本特性

    ◆静态特性

        ☞转移特性

           √描述的是集电极电流 IC与栅射电压UGE之间的关系。

           √开启电压UGE(th)是IGBT能实现电导调制而导通的最低栅射电压，随温度升高而略有下降。  

IGBT的输出特性

☞输出特性（伏安特性）

   √描述的是以栅射电压为参考变量时，集电极电流IC与集射极间电压UCE之间的关系。

   √分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。

   √当UCE<0时，IGBT为反向阻断工作状态。

   √在电力电子电路中，IGBT工作在开关状态，因而是在正向阻断区和饱和区之间来回转换。

IGBT的开关过程

◆动态特性

   ☞开通过程

      √开通延迟时间td(on)

          电流上升时间tr

          电压下降时间tfv

          开通时间ton= td(on)+tr+ tfv

      √tfv分为tfv1和tfv2两段。 

   ☞关断过程

      √关断延迟时间td(off)

          电压上升时间trv

          电流下降时间tfi

          关断时间toff = td(off) +trv+tfi

      √tfi分为tfi1和tfi2两段

   ☞引入了少子储存现象，因而IGBT的开关速度要低于MOSFET。        

■IGBT的主要参数

   ◆前面提到的各参数。

   ◆最大集射极间电压UCES

       ☞由器件内部的PNP晶体管所能承受的击穿电压所确定的。

   ◆最大集电极电流

       ☞包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP。

   ◆最大集电极功耗PCM

       ☞在正常工作温度下允许的最大耗散功率。 

◆IGBT的特性和参数特点可以总结如下：

    ☞开关速度高，开关损耗小。

    ☞在相同电压和电流定额的情况下，IGBT的安全工作区比GTR大，而且具有耐脉冲电流冲击的能力。

    ☞通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域。

    ☞输入阻抗高，其输入特性与电力MOSFET类似。

    ☞与电力MOSFET和GTR相比，IGBT的耐压和通流能力还可以进一步提高，同时保持开关频率高的特点。

■IGBT的擎住效应和安全工作区

    ◆IGBT的擎住效应

        ☞在IGBT内部寄生着一个N-PN+晶体管和作为主开关器件的P+N-P晶体管组成的寄生晶闸管。其中NPN晶体管的基极与发射极之间存在体区短路电阻，P形体区的横向空穴电流会在该电阻上产生压降，相当于对J3结施加一个正向偏压，一旦J3开通，栅极就会失去对集电极电流的控制作用，电流失控，这种现象称为擎住效应或自锁效应。

       ☞引发擎住效应的原因，可能是集电极电流过大（静态擎住效应），dUCE/dt过大（动态擎住效应），或温度升高。

       ☞动态擎住效应比静态擎住效应所允许的集电极电流还要小，因此所允许的最大集电极电流实际上是根据动态擎住效应而确定的。

◆ IGBT的安全工作区

     ☞正向偏置安全工作区（Forward Biased Safe Operating Area——FBSOA）

         √根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大集电极功耗确定。

    

     ☞反向偏置安全工作区（Reverse Biased Safe Operating Area——RBSOA）

         √根据最大集电极电流、最大集射极间电压和最大允许电压上升率dUCE/dt。