计算机组成原理 主存储器1

Contents

2.1主存储器--概述

1、主存的基本组成

2、主存和CPU的联系

3、主存中存储单元的地址分配

4、主存的技术指标

2.2半导体存储芯片简介

一、半导体存储芯片的基本结构

二、半导体存储芯片的译码驱动方式

1、线选法

2、重合法

2.3 随机存取存储器（RAM）

一、静态RAM（SRAM）

1、静态RAM基本电路

2、静态RAM芯片举例

二、动态RAM（DRAM）

1、动态RAM基本单元电路

2、动态RAM芯片举例

3、动态RAM刷新

三、动态RAM和静态RAM的比较

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2.1主存储器--概述

1、主存的基本组成

• MAR保存要访问的存储单元的地址，要通过译码器译码之后才能选定指定的存储单元
• MDR当中存储了要读入或者写入的数据，读入还是写入要通过读写电路和控制电路进行控制。
• 如果是写入就把MDR数据送到MAR指定的存储单元当中
• 如果是读出，那么指定的存储单元当中的内容将会被送到MDR当中

2、主存和CPU的联系

• 数据总线  信息传输双向 可读出可写入
• 地址总线  给出了要访问的内存单元的地址
• 控制总线  例如 读 写

3、主存中存储单元的地址分配

假设主存的结构存储字长是32位，这个存储器某一个单元进行读或者写，一次最多可以读出或写入32个0或1，主存的编址单位是字节，每一个字节都有一个地址，此时一个存储字是32位，一个字节是8位 都有地址。

12345678H这个16进制数，每一个16进制数用4位2进制表示，32位正好保存在一个存储单元当中，如何进行保存

设地址线24根 按字节寻址 24根就对每一个字节进行了编址，访问的范围=16MB

若字长为16位 机器字长也是16位 按字寻址 存储器容量：8MW（16位）（一个字两个字节，一共字节，有8M字）

若字长为16位  按字寻址 4MW

4、主存的技术指标

（1）存储容量

主存中存放二进制代码的总位数

（2）存储速度

• 存取时间  从存储器给出地址一直到给出稳定的数据输出或数据写入到给定的存储单元当中 分为读出时间和写入时间
• 存取周期 连续完成两次独立的存储器操作所需要的最小时间间隔
• 一般存取周期要比存取时间要长 周期中有线路复原时间

（3）存储器的带宽  每秒可以写入多少位数据  位/秒

2.2半导体存储芯片简介

一、半导体存储芯片的基本结构

• 除核心结构外还有与cpu和外部设备连接的接口

• cpu与外部设备通过地址线给出地址，表示要存或取数据在存储矩阵的哪个存储单元当中，经过译码驱动电路选择指定的存储单元完成读写操作
• 数据线是双向的
• 片选线是芯片选择信号，它指出了这次操作给出的地址是不是针对这个存储芯片的地址，被选择的存储单元或字节是不是在这个芯片当中
• 读写控制线 

芯片容量计算

地址线（单向）：10   数据线（双向）：4  芯片容量=

片选线有两种标示方式

• （CS是芯片选择的缩写）上边一横表示低电平有效，标示这个管脚如果是低电平，这次数据访问的地址就是在这个存储矩阵当中
• （CE是芯片使能的缩写）
• 不同类型芯片标识了两种表示法的一个

读写控制线标示这次对半导体的操作是读还是写 可以用一根线（标示低电平写，高电平读）或 两根线（读）（写）

存储芯片片选线的作用

• 用16K*1如何构成64*8的