3.2静态随机存取存储器
3.2.1基本的静态存储元阵列
主存(内部存储器)是半导体存储器
①静态读写存储器(SRAM):存取速度快
②动态读写存储器(DRAM):存储密度和容量比 SRAM大
存储体(256×128×8)
通常把各个字的同一个字的同一位集成在一个芯 片(32K×1)中,32K位排成256×128的矩阵。 8个片子就可以构成32KB
地址译码器
采用双译码的方式(减少选择线的数目)
A0~A7为行地址译码线
A8~A14为列地址译码线
控制信号中CS是片选信号, CS有效时(低电平),门G1、G2 均被打开。OE为读出使能信号, OE有效时(低电平),门G2开启, 当写命令WE=1时(高电平),门 G1关闭,存储器进行读操作。写操 作时,WE=0,门G1开启,门G2 关闭。注意,门G1和G2是互锁的, 一个开启时另一个必定关闭,这样 保证了读时不写,写时不读。
3.2.4存储器容量的扩充
(1)位扩展(输出数据线扩展)
(2)字扩展(芯片容量扩展)