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想必大家都知道二极管具有单向导电性,其伏安特性如图 1 所示,其核心是 PN 结,也就是说二极管的单向导电性是源自 PN 结的单向导电性质。这一篇文章将从费米能级角度与玻尔兹曼分布规律解释下 PN 结势垒的形成以及其两端加正向和反向电压的内部特性变化。
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一、杂质半导体中的施主和受主
首先挖下第一个坑,半导体的能带结构,以后有时间再说。这里直接介绍下杂质半导体中施主和受主两种杂质态(以后有机会再说一下经典的类氢杂质能级和深能级杂质)。
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施主是指杂质在带隙中提供带有电子的能级,电子由施主能级激发到导带远比由满带(价带)激发容易得多,所以其是依靠电子导电的半导体,这也就是 N 型半导体(图2 右)。
受主则是杂质在带隙中提供空的能级,电子由满带激发到受主能级比激发到导带容易得多,此时满带中由于电子激发到受主能级而留下空穴,所以其是依靠空穴导电的半导体,这也就是 P 型半导体(图 2 左)。
二、PN 结势垒
然后挖下第二个坑半导体中电子的费米能级分布,也是以后再说,这里直接给出导带底处电子浓度和满带顶处空穴浓度的表达式:
导带底部电子浓度:
满带顶部空穴浓度:
其中,