第一节：（2）逻辑芯片工艺特性指标

本节我们以中芯国际公司官网提供的28HKC+工艺为例，介绍工艺技术相关特性参数，如下图。

 1~2——工艺节点及平台

工艺为28HKMG, HKC+是中芯命名的平台名称（并不在图中），相当于台积电及联华电子的HPC+工艺。

3~4——核心器件类型及电压（Core Device）

核心器件是逻辑电路最低标准工作电压以及用得最多的器件，其直接决定了电路的速度和功耗。我们常常说的一个芯片包含了多少亿的晶体管，最主要的就是core device。这里面很大一部分又叫core nominal device，这种器件的length是按照工艺节点最小尺寸设计的，如28nm对应的channel length理论上就是28nm，当然实际上会有差异。这部分器件的电压是0.9V,对于28PS而言会略大一点，处于1.0~1.1V之间，究其原因是28PS的等效氧化层厚度要相对大一些。图中提到了三种不同阈值电压的核心组件，实际上根据中芯官网提供的资料，这是4选3，如下图展示，在4种核心器件中选择3个。这4种器件分别是标准阈值电压器件(RVT(Regular Vt)或者SVT(Standard Vt))，高阈值电压器件(HVT(High Vt)，低阈值电压器件(LVT(Low Vt)，超低阈值电压器件(ULVT(Ultra Low Vt)，通常ULVT用得较少。器件如名，意味着阈值电压的相对高低，阈值电压越高代表速度越慢，功耗越小，需要设计者根据不同的电路需求进行选择。

 

5——输入输出器件

这部分就是常说的IO器件，相对于核心器件，输入输出用的都是厚栅氧层，相应的最小沟道长度也会相应增大。对于28nm的1.8V的IO，其最小沟道长度在100nm以上。由于沟道长度较大，这些器件有时候甚至不用去做PKT，工艺相对简单，厉害的设计甚至可以把所有IO器件相关的离子注入工序都整合到核心器件的制程里。如下图，我们看到还有一个2.5V的输入输出，实际上这和1.8V是冲突的，二者只能择一。因为在工艺里，这两个的主要区别在于形成厚栅氧化层的厚度不一样，但是厚栅氧形成的步