半导体存储器

 

半导体存储器由许多存储单元组成，每个存储单元都以其唯一的地址代码加以区分，能存储一位二进制信息。

分类（存取方式）

顺序存储器（Sequential Access Memory, SAM）：读写操作为“先进先出”或“先进后出”，按顺序进行，局限性大。

随机存取存储器（Radom Access Memory, RAM）：在正常工作状态下，RAM可以随机地从存储器的任意存储单元读取或写入数据，断电后RAM中的信息将丢失。

                      DRAM（Dynamic RAM）：由电容和相关元件集成组成，依靠电容中存储的电荷量的多寡表示“0”和“1”，由于电容                            存在漏电现象，所以电容需要定期刷新，以保持状态。集成度高，常用于内存条存储颗粒。

                     SRAM（Static RAM）：由晶体管集成组成，不需要定期刷新，响应速度快但功耗大、集成度低，用于容量小但速                           度快的CPU缓存。

只读存储器（Read Only Memory, ROM）：ROM中的数据只能读出不能写入，断电后信息不会丢失，即非易失性存储器。又包括掩模ROM（MROM），可一次编程的ROM（PROM），可用紫外线擦除改写的（EP