本文详细介绍了双极结型晶体管（BJT）的结构，以NPN型为例，阐述了发射极、基极和集电极的布局和作用。发射区为高掺杂N硅，基极为薄层P硅，集电区是低掺杂N硅。三极管的放大效果源于发射结正偏、集电结反偏时的电流分布：电子从发射区扩散到基区，部分复合，其余穿过基区进入集电区形成扩散电流，同时集电结的少子漂移产生漂移电流。
三极管分为NPN型和PNP型，常用的为NPN型，以下都以NPN型为例。
三极管有三个电极，发射极、基极、集电极，分别位于发射区、基区、集电区。发射区为高掺杂浓度N硅，基极为很薄的P硅，集电区为掺杂浓度较低的N硅，这种结构为三极管能够起到放大作用的基础。
图中以共基极为例，输入电路为Vee，输出电路为Vcc，通常Vee接有模拟信号源作为输入，通过三极管放大后由Vcc输出。
想要使三极管起到放大效果，需要使发射结正偏，集电结反偏。即电子由高掺的发射区扩散到基区，形成电流Ien，部分电子在P型的基区与空穴复合形成复合电流Ibn，同时基区的空穴也向发射区扩散，由于发射区电子掺杂浓度高且较厚，扩散过来的空穴基本全部与电子复合形成复合电流Iep。而扩散到基区电子，在外加电场与载流子浓度差的作用下，很容易穿过基区并到达集电区，形成扩散电流Icn。同时，由于基区与集电区的PN结反偏，在内建电场的作用下发生少子的漂移，形成漂移电流Icbo。
各电流关系如图中所写。
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