XPS测试如何做出深度分析？-科学指南针

X射线光电子能谱(XPS)作为一种材料的表面分析技术，经历了50年的发展，为半导体产业、有机高分子领域、以及科研机关提供了重要的解析数据。XPS除了应用于表面领域的元素种类确定、元素化学结合状态推测以及原子浓度的计算外;通过结合物理或者化学的表面刻蚀技术，又可对材料深度方向的相关信息进行追踪调查。另外，巧妙地控制XPS的测试环境使其接近于材料应用的实际条件，而获得相关物理化学信息的原位技术，也在数十年间高速发展。

然而，即便是作为最基础的研究工具，XPS的很多基础理论知识，数据分析方法，以及新兴的原位表征手段，还是不为很多人所熟知。为了发文章，不少人硬着头皮凑数据，反正XPS分峰似乎想怎么分就怎么分，最终导致了很多研究论文的结果存疑，不利于科学研究的良性发展。

XPS可用于定性分析以及半定量分析, 一般从XPS图谱的峰位和峰形获得样品表面元素成分、化学态和分子结构等信息，从峰强可获得样品表面元素含量或浓度。一般来说全谱扫描定性分析，窄谱进行定量分析。

XPS是一种典型的表面分析手段。其根本原因在于：尽管X射线可穿透样品很深, 但只有样品近表面一薄层发射出的光电子可逃逸出来。样品的探测深度（d）由电子的逃逸深度（λ, 受X射线波长和样品状态等因素影响）决定，通常，取样深度d = 3λ。对于金属而言λ为0.5-3 nm;无机非金属材料为2-4 nm; 有机物和高分子为4-10 nm。

作为国内领先的一站式科技服务平台，科学指南针汇聚了国内外多位具有丰富XPS基础理论、测试和分析经验的科学顾问，组建了实力强大的XPS测试分析团队，并为国内外科研团队以及研究体系提供了全面深入的XPS测试及数据分析，大幅提升了研究者的工作效率。最主要的是，让每一个XPS数据分析都尽量得到准确和合理的结论。

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