运放基本结构如图左侧为偏置电路,中间为输入级放大电路,右侧为第二级放大电路以及相位补偿电路。
1.确定nmos与pmos参数。使用1830工艺的nch_svt_iso_nbl_5p0v与pch_svt_iso_nbl_5p0v,搭建如图所示测试电路:
选择DC仿真,Save DC Operating Point
由饱和区电流公式
可计算得到对于1830工艺的=90uA/
运放基本结构如图左侧为偏置电路,中间为输入级放大电路,右侧为第二级放大电路以及相位补偿电路。
1.确定nmos与pmos参数。使用1830工艺的nch_svt_iso_nbl_5p0v与pch_svt_iso_nbl_5p0v,搭建如图所示测试电路:
选择DC仿真,Save DC Operating Point
由饱和区电流公式
可计算得到对于1830工艺的=90uA/