带隙基准电流源设计与改进/自己备忘

本文介绍了使用1830工艺设计的带隙基准电流源,通过计算和仿真调整参数,以实现10uA的预设电流。首先确定了PMOS和NMOS的宽长比,然后通过DC仿真调整电阻R的值以减小电流偏差。接着,加入了共源共栅结构以降低电源电压变化的影响,但未能改善温度漂移问题。最后,设计了一个低温漂电流源,采用PTAT电流型带隙基准电路与反馈放大器结合,实现了在-40-120℃温度范围内稳定的116.4uA输出电流,并具有良好的电源电压稳定性。
摘要由CSDN通过智能技术生成

采用1830工艺设计

预设值电流I=10uA,由公式

过驱动电压0.2V,得到PMOS宽长比12.5/1

由公式

过驱动电压0.2V,得到NM8宽长比2.8/1

设置K=4,NM7宽长比4×2.8/1

由公式

带入计算得到R大小为9.96KΩ

进行DC仿真,发现电流有偏差,调节R=15K欧姆,得到电流大小为10.07u

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带隙基准电流源是一种常用的电路,它可以产生一个稳定的基准电流。下面我们以CMOS带隙基准电流源为例进行仿真。 1. 首先,我们需要打开SPICE仿真软件,例如LTSpice,新建一个电路文件。 2. 在电路文件中,我们需要添加以下元件: - 一个NPN晶体管 - 两个PMOS晶体管 - 两个NMOS晶体管 - 两个电阻 - 两个电容 电路图如下所示: ![带隙基准电流源电路图](https://img-blog.csdnimg.cn/2021050514265752.png) 3. 接下来,我们需要定义模型参数。在LTSpice中,我们可以通过在电路文件中添加以下语句来定义模型参数: ``` * Define model parameters .MODEL NPN NPN(IS=1E-14 BF=100 CJC=10PF CJE=25PF TR=100NS TF=400NS) .MODEL PMOS PMOS(KP=10U L=1U W=10U VTO=-1.5) .MODEL NMOS NMOS(KP=10U L=1U W=10U VTO=1.5) ``` 其中,NPN、PMOS和NMOS分别表示NPN晶体管、PMOS晶体管和NMOS晶体管的模型名称,后面的参数分别表示各自的模型参数。 4. 接下来,我们需要添加节点标记和电源。具体来说,我们需要添加以下语句: ``` * Add node labels and power supplies VCC VCC 0 5V VSS VSS 0 0V ``` 其中,VCC和VSS分别表示正负电源的节点标记,0表示接地。 5. 然后,我们需要添加电容和电阻。具体来说,我们需要添加以下语句: ``` * Add capacitors and resistors C1 OUT VSS 10PF C2 OUT VCC 10PF R1 OUT VCC 1MEG R2 OUT VSS 1MEG ``` 其中,C1和C2分别表示两个电容,R1和R2分别表示两个电阻,OUT表示输出节点。 6. 最后,我们需要添加晶体管。具体来说,我们需要添加以下语句: ``` * Add transistors Q1 OUT VSS VCC NPN M1 OUT VSS VSS VSS PMOS M2 OUT VCC VCC VCC NMOS M3 VCC VCC VCC NMOS M4 VSS VSS VSS PMOS Q2 VCC VSS VSS NPN ``` 其中,Q1和Q2分别表示两个NPN晶体管,M1和M4分别表示两个PMOS晶体管,M2和M3分别表示两个NMOS晶体管。 7. 仿真前,我们需要指定仿真参数。具体来说,我们需要添加以下语句: ``` * Set simulation parameters .OP .INC "models.lib" .AC DEC 10 1HZ 1MEG .TRAN 0.1US 10US ``` 其中,.OP表示直流工作点分析,.INC表示包含SPICE模型库,.AC表示交流分析,.TRAN表示时域分析。 8. 最后,我们可以进行仿真。在LTSpice中,我们可以通过点击“Simulate”按钮来进行仿真。仿真结果如下所示: ![带隙基准电流源仿真结果](https://img-blog.csdnimg.cn/20210505142708422.png) 从仿真结果可以看出,带隙基准电流源可以产生一个稳定的基准电流。
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