带隙基准电流源设计与改进/自己备忘

最新推荐文章于 2025-05-06 12:57:44 发布
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本文介绍了使用1830工艺设计的带隙基准电流源，通过计算和仿真调整参数，以实现10uA的预设电流。首先确定了PMOS和NMOS的宽长比，然后通过DC仿真调整电阻R的值以减小电流偏差。接着，加入了共源共栅结构以降低电源电压变化的影响，但未能改善温度漂移问题。最后，设计了一个低温漂电流源，采用PTAT电流型带隙基准电路与反馈放大器结合，实现了在-40-120℃温度范围内稳定的116.4uA输出电流，并具有良好的电源电压稳定性。

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采用1830工艺设计

预设值电流I=10uA，由公式

过驱动电压0.2V，得到PMOS宽长比12.5/1

由公式

过驱动电压0.2V，得到NM8宽长比2.8/1

设置K=4，NM7宽长比4×2.8/1

由公式

带入计算得到R大小为9.96KΩ

进行DC仿真，发现电流有偏差，调节R=15K欧姆，得到电流大小为10.07u

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