上午到现在搜了一下2014年SCI库中关于二硫化钼的文章,发现今年的文章还是不少的。
其实二硫化钼最大的优势就是在于通过一些化学处理的方法,可以获得单层的二硫化钼,这和石墨烯的性质很相似。
其的厚度是6.5A,石墨烯0.034A,厚度上还是厚了很多。
但是其最大的优势在于其由带隙,而石墨烯没有,但是石墨烯可以通过一些方法得到一些很小的带隙,然而这样会大大降低石墨烯的载流子迁移率(mobility)。
石墨烯理论上最大的载流子迁移率可以达到120000cm2V-1S-1,通过一些方法加入带隙后,发现载流子迁移率降低至可怜的200.
为什么采用二硫化钼呢?
被SCI库引877的paper(B. Radisavljevc,A.Radenovic, J. Brivio, et al. Single-layerMoS2 transistors.Nature nanotechnology,2011,6: 147-150.)说明了这一点:OurMoS2 monolayer has similar mobility but a higher bandgap thangraphene nanoribbons, and a smaller thickness than the thinnest silicon films fabricated to date.
Characterizationof MoS2 monolayer transistors.