光(电)探测器/传感器

分类

非成像探测器（包括点源探测器）

所有除成像器件以外的光电探测器件均可称为非成像器件，各种热探测器和大部分光子探测器（APD、SPAD）均属于这一类。

面源探测器

本章介绍的光电成像器件(Photoelectronic ImagingDevices)也称为光电图像传感器，是一类能够输出图像信息(图像或时序电信号)的阵列器件，主要用于“面源”测。

 

其中，直视型光电成像器件本身具有图像的转换、增强、显示等功能部件和高真空管壳，通常简称为像管，按主要功能的不同又分为变像管和像增强器两种，用于可以直接目视的仪器中;摄像型光电成像器件本身的功能只是将二维空间的光强分布(光学图像)转换为一维时序电信号，不直接输出图像(只有对时序电信号进行再处理后才可获得目标图像)，按工作方式和结构的不同又可分为电真空摄像管和固体摄像器件，用于摄像机系统中。 

像管是指可以将人眼不可见的或微弱的光学图象转换为人眼可以直接观察的图像的一类电真空成像器件，它包括变像管和像增强器两种。其中变像管能够将人眼不可见的(红外、紫外和X射线)光学图像转换为可见光图像，其主要功能是光谱变换;像增强器能够将微弱的光学图像增强到亮度足够高的可见光图像(因此也称微光管)，重点在于亮度增强。在实际中，变像管和像增强器都具有光谱变换和图像增强的功能，结构也相似，所以统称为像管。 

电真空摄像管是在电真空玻璃管内利用光电阴极或靶面来完成光学图像的转换、信息的存储与积累，并借助电子束扫描来输出时序信号。固体摄像器件与之有些不同，它不需要电真空管结构，其光电信号的读取与输出不需借助外界的扫描机构，而是依靠自身内部的驱动脉冲来完成，故称为自扫描器件。

与电真空摄像管相比，固体摄像器件具有下列显著优点: 

(1)全固体化，体积小，重量轻，功耗低,耐冲击性能好，可靠性高，寿命长;

(2)器件具有理想的“扫描”线性，畸变小，尺寸重复性好，特别适用于尺寸测量、定位和成像传感等方面;

(3)光谱响应范围较广，从近紫外到近红外波段都有高灵敏的器件，动态范围大，因而应用广泛;

(4)空间分辨率高，像元间距的几何位置精确，可以获得很高的定位与测量精度:

(5)器件输出信号的发送/接收以及与微机的接口容易实现。
常用固体摄像器件包括电荷耦合器件、CMOS图像传感器和红外焦平面阵列器件。

激光测向技术的核心器件 

光电探测器件是激光测向技术的核心器件，常用的光电探测器主要包括：电流/电压信号传感器和图像传感器两类。电流/电压信号传感器是将光能量转化为电流或电压进行处理，而图像传感器可将光能量进行积分，再转化为电信号进行处理，二者都可以实现对角度的动态实时测量。目前，激光测向技术主要采用 3 种探测器件：CCD（charge coupleddevice）、PSD（position sensitive device）和 QD（quad-rant detector，四象限探测）。其中 CCD 多用在图像传感器测向技术；PSD 多用于激光自准直测向技术；QD 多用于高精度快速定位激光测向技术。

PSD 是一种光电位置敏感器件，它是利用半导体横向光电效应实现定位的。PSD 的基本特点有：

PSD 通常用在激光自准直系统中，用于测量动态角度的变化。 所示是PSD 探测器件示意图。 

光束经过反射镜M 的反射，由光学系统聚焦到PSD 的感光面，当反射镜M 转动α 角度时，PSD 光敏面的光点也在产生位置移动。从原点O 到偏差点P 的距离为h，将其进行β 水平方向和γ 垂直方向的分解，可得到角度偏差量为：

 

浅谈CMOS、CCD、CIS、ISP等 

CMOS Image Sensor原理简述 - 知乎 (zhihu.com)、

CIS（CMOS image sensor）基本资料 - P1 简介 - 知乎 (zhihu.com)

CIS与CMOS 

通常所说的CMOS相机、探测器是指CIS—— CMOS Image Sensor，而CMOS全称为互补式金属氧化物半导体（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，缩写作 CMOS），是一种集成电路的设计工艺，可以在硅质晶圆模板上制出NMOS（n-type MOSFET）和PMOS（p-type MOSFET）的基本元件，由于NMOS与PMOS在物理特性上为互补性，因此被称为CMOS（Complementary 的来历）。此一般的工艺上，可用来制作电脑电器的静态随机存取内存、微控制器、微处理器与其他数字逻辑电路系统、以及除此之外比较特别的技术特性，使它可以用于光学仪器上，例如互补式金氧半图像传感装置在一些高级数码相机中变得很常见。

CCD与CMOS图像传感器

 图像传感器原理介绍（史上最详细的CCD和CMOS介绍）_微视界 (microdemo.com)

 ISP（七） CMOS图像传感器内部结构及工作原理_cmos sensor内部结构及工作原理-CSDN博客

CMOS传感器前照式像素结构：

1、 On-chip-lens:该结构可以理解为在感光元件上覆盖的一层微透镜阵列，它用来将光线聚集在像素感光区的开口上。可以增加光电转化效率，减少相邻像素之间的光信号串扰。

2、 Color filter：该结构是一个滤光片，包括红/绿/蓝三种，分别只能透过红色、绿色、蓝色对应波长的光线。该滤光片结构的存在，使得每个像素只能感应一种颜色，另外的两种颜色分量需要通过相邻像素插值得到，即demosaic算法。

3、 Metal wiring：可以为金属排线，用于读出感光区的信号（其实就是像素内部的读出电路）。

4、 Photodiode：即光电信号转换器，其转换出的电信号会经过金属排线读出。

其中，Photodiode和Metal wiring对CMOS传感器的性能影响最大（比如光电转换效率，读出噪声等），也是目前主流传感器厂商注重提高的工艺。

光电二极管具有正向导通反向截止的特殊，反向的特性还有个电容的特性，当在二极管上加反向偏置电压时，就会给电容充电，当电容充满电荷之后，光子的射入会导致内部激发出新的电子 空穴对，与原来充电形成的电子空穴对进行配对放电，形成光电流I_ph，光电流I_ph给右侧的电容充电变成一个电压输出。

图像处理芯片（CIS+ISP）

我们平时说的百万像素(Mega Pixels，缩写为MP)是指有“一百万个像素”，通常用于表达相机的分辨率。例如，我们说一个摄像头有1200万像素分辨率，拍摄出的最高像素图片一行大约4000个像素，一列大约3000个像素，合计约为4000x3000=12,000,000 像素,即12MP。现在主流电视一般支持1080P片源。