【翻译】开关应用中功率MOSFET的栅极驱动

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分类专栏：分立器件特性文献翻译文章标签：嵌入式硬件硬件工程

于 2023-11-12 12:16:38 首次发布

原文链接：https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Gate_drive_for_power_MOSFETs_in_switchtin_applications-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd0180467c871b3622

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本文是一份MOSFET器件特性和栅极驱动指南。

原文：Gate drive for power MOSFETs in switching applications

原文地址：Application Note Gate drive for power MOSFETs in switching applications (infineon.com)

作者：Peter B.Green，Liz Zheng

译者：Distance

译者说：

全文约15000字，建议在阅读时联系原文，便于您的思考和对照，文章在翻译时尽可能的保留了原文断句和段落格式便于您查阅原文，部分内容由于知识有限可能存在错误，恳请您阅读时记录并评论或私信我进行指正，感谢您的反馈。

以下为原文内容翻译：

关于这份文档：

其应用范围和目的
接下来的这篇应用笔记简单介绍了硅功率MOSFET，并且解释了它和双极型晶体管（BJT）和绝缘栅型双极型晶体管（IGBT）的不同。文章由基本的MOSFET特性展开，并将重点放在了它的栅极，阐述了是什么物理特性决定了栅极驱动所需的能力。这份应用笔记讨论了硅MOSFET；而不包括IGBT以及宽禁带（wide-bandgap）半导体。主要讲述了MOSFET的开关应用，并将其重点放在了栅极驱动部分。文章讨论了几种不同的栅极驱动电路和技术，包括分立器件方案和几种不同类型的栅极驱动IC，最后还讲述了英飞凌的栅极驱动IC技术。

目标受众
电源工程师，以及正在设计开关电源转换器并且使用到MOSFET的学生。这份文档适用于对MOSFET由基本了解但没有深入知识和经验的工程师们！

1 简介

1.1 MOSFET和IGBT的栅极驱动 VS 双极型晶体管基极驱动

BJT同时使用多数载流子和少数载流子（电子和空穴）进行传到。它们是电流的载体，如下图1.a所示那样，而场效应管只使用多数载流子传到电流。打开一个BJT，必须在其基极和发射极之间施加一个电流从而引起集电极的电流。基极和集电极的电流方向取决于器件的类型是NPN还是PNP。施加的基极电流大小取决于需要的集电极电流大小和增益，这意味着在功率应用领域中，基极需要一个不小的电流来开启并维持BJT状态。在电源开关应用中，BJT开关时间的限制主要取决于电流载荷子的寿命和移动载流子进入或离开基极的时间长短。功率开关BJT的驱动电路需要精心的设计来权衡开关速度和传输损耗。

功率BJT的另一个缺点是第二击穿效应，在一定的电压和电流条件下，具有大结面积的晶体管会受到基极-发射极结电流集中的影响。当它发生时，由于器件的负电阻系数，会产生局部热点，从而产生更大的电流，从而导致热失控和失效。正是由于这些原因才解释了为什么MOSFET和IGBT取代了SMPS和逆变器中的BJT的地位，尽管BJT仍然在一些领域中广泛应用如电池充电器、放大电路以及成本敏感产品如照明镇流器中。

相较于BJT，MOSFET和IGBT是电压控制型跨导器件。因此必须在栅极和源极之间加一个电压才能在漏极传输电流（如图1.b）。栅极和源极之间是被一层硅氧化物而电气绝缘的，因此理想情况下在栅极施加一个直流电压时没有电流流过栅极；然而，实际应用中，栅极会有一个nA级别的极小的电流。当栅源电压为0时，漏极和源极之间的阻抗非常高，只有漏电流流过。

图1 BJT是电流型驱动；MOSFET是电压型驱动

IGBT也是如此，除了源极被替换为发射极和漏极被替换为集电极这点区别。MOSFET和IGBT的一个关键的不同点在于IGBT像BJT一样，当完全接通时，进入低集电极-发射极电压饱和模式，而非像MOSFET漏源之间进入阻态，被称之为“三极管、线性或欧姆区域”。这份应用笔记重点关注MOSFET，尽管栅极驱动的许多考虑因素也同样适用于IGBT。功率BJT不做广泛讨论。

下图展示了N沟道平面MOSFET，它使用了最简单的垂直结构。尽管现在的功率MOSFET使用更复杂的技术如沟槽（trench）和超结（superjunction），但平面结构看起来更直观。

图2 功率MOSFET的寄生器件

注释： LTO = lithium titanate oxide 钛酸锂氧化物

当在栅极和源极施加电压时，MOSFET沟道区域内建立起电场。这个电场将沟道由P转化为N，从而允许电流在增强模式（常闭）器件从漏极流向源极、在耗尽模式（常开）切断电流。多数MOSFET是增强模式器件，这里对耗尽型器件不做过多讨论。

在上述图示中，沟道区域由以空穴作为载流子的P型硅片构成。当施加栅极电压时，自由电子填充P型硅片内的空穴，并在沟道内累计，从而引起极性变化。现在沟道内充满在自由电子和负离子，因此电流能从源极流向漏极。所有的MOSFET电压都是以源极为参考的。N沟道器件如NPN晶体管，其漏极电压相对于源极为正。作为增强型器件，团满会被栅极的正电压导通。反之对P沟道器件也成立。MOSFET内由几个寄生电容如图2中所示。Cgs电容是因为栅极和源极以及沟道区域的重叠而形成的，并且与施加电压无关。Cgd由两部分组成；一是栅极和JFET区域下的硅片重叠而产生的电容。二是与栅极下的耗尽区相关的电容。Cgd是电压的非线性函数。最后，Cds是与体二极管（body-drift diode，这里不太确定，可以参考原文）相关的电容，与漏源偏置电压的平方根呈反比关系。

尽管输入电容的值非常由意义，但当比较两个不同制造商的两个器件的开关性能时，他们并不能提供准确的结果。器件尺寸和跨导的影响使得比较更加困难。从电路设计的角度来看，一个更有用的参数是栅极电荷而非输入电容，英飞凌为IGBT和MOSFET的规格书中提供“栅极电荷或开关电荷”可以用来计算驱动电路参数。栅极电荷定义为必须给栅极提供的电荷量以改变栅极电压或实现完全开启或关断。

实际的MOSFET由平行单元或线条构成。由International Rectifier（与2015年被英飞凌收购）率先开发的HEXFET™结构如下图所示。正温度系数的Rdson约为0.7~1%/℃使得MOSFET更适合并行工作。相较于双极型功率晶体管，并行连接的MOSFET倾向于均分电流。并行工作时，承载更高电流的器件往往产生更多热量，使其Rdson升高，从而把电流分到其他并行的器件上。最终达到一个平衡使得并行连接的器件承担相似的电流。

图3 HEXFET™蜂窝器件结构

MOSFET的细胞结构是为了提高器件在雪崩条件下的坚固性。由于雪崩电流在许多单元间共享而非集中在单一的薄弱的点，这样的MOSFET在失效前能承受更高的雪崩电流。

2 栅极电压限制

栅极和源极区域间的绝缘二氧化硅层可以因为超过其介电强度而被击穿。因此应注意使Vgs的范围在数据手册中给定的最大正负值范围内。同时在处理MOSFET器件时，遵循ESD安全处理程序也是非常重要的。

尽管栅极施加的电压在手册最大范围内，栅极连线产生的杂散电感和栅极电容会产生振铃。这可能削弱栅极氧化物并最终引起失效。漏极的瞬态过压也可能通过Cgd耦合到栅极。低阻抗对于一个栅极驱动电路来说是至关重要的，如果没有低阻抗的话，驱动电路对瞬态的耦合非常敏感。

有时我们会在栅极和源极之间加上一个不超过Vgs(max)电压80%的齐纳二极管来进行Vgs钳位。然而，当使用如今这些驱动IC的时候我们没必要这么做，并且他们在有些情况下会引起震荡。当使用脉冲变压器栅极驱动电路时，如果脉冲变压器由明显的漏感，建议如上使用齐纳二极管。

2.1 标准电压MOSFET

Vgs最大正向和反向电压可以在数据手册的极限参数中找到。多数MOSFET给出的值为+20V和-20V。Vgs开启电压阈值Vgsth典型值在2-4V之间，下图可知，在Vgs没超过Vgsth之前没有电流流过漏极，并且想要在漏极流过大电流，需要一个更高的栅极电压。器件的Rdson范围通常是在Vgs电压等于10V时给出的。标准电压器件通常需要10-15V的脉冲驱动。

图4 标准电压MOSFET器件BSC097N06NS的典型Id vs Vgs

2.2 逻辑电压MOSFET

逻辑电平MOSFET的主要区别在于它的Vgsth非常低，典型范围在1.2-2.2V之间。极限Vgs电压依然是+20V和-20V。这类器件的优点在于它们能被逻辑门电平驱动，通常是5V。

图5 逻辑电平MOSFET器件BSC100N06LS3的Id vs Vgs

然而，拥有相似Rdson和Vbrdss参数的逻辑电平器件却比标准电平器件要求更高的栅极电荷。这意味着尽管驱动电压更低，但开关这类器件却需要更多的栅极电荷。这里举两个例子，标准电平器件需要在Vgs=10V时用10nC电荷来开启，而逻辑电平器件需要在Vgs=6V时用20nC。

低栅极阈值也会使得器件在半桥电路中容易受dVds/dt而误开启，这会造成短路并增加开关损耗。这个现象在其他文献中有详细的讲解。

12，13，14

由于这些原因，高频开关应用领域更倾向于使用标准电平器件。

3 栅极输入特性

3.1 稳态特性

稳态情况下，栅源极之间施加一个直流电压Vgs，Vgs与MOSFET的沟道隔离，具有无穷大的阻抗。漏极和源极之间也存在一个固定电压，受电路条件的影响，它可能低于截止电压（Vds<Vgs-Vgsth），如下图中的绿色区域，这时器件工作在欧姆（三极管或线性）区域。如果Vgs超过了截止电压（Vds>Vgs-Vgsth），器件工作在饱和区域（）。逻辑电流Id由Vgs和Vds决定，如下图曲线所示，比较不同的Vgs电压。

图6 MOSFET的欧姆（三极管或线性）区域和饱和区域

在静态情况下，器件内部的电容特性没有发挥作用。MOSFET的传输损失功率由Vds和流过它的电流Id产生。

3.2 动态/开关特性

MOSFET在大多数电源电路中工作在开关状态。就像一个开关一样，在开和关两个状态间切换，完全传导或完全阻断电流。在本应用笔记之外，MOSFET也工作在线性模式，漏极和源极两端的电压由栅源电压进行调制。

每次开关之间都会经过一段固定的时间。这个开关所需的时间取决于器件的栅极电荷特性以及栅极驱动输出和吸收电流的能力。同时，PCB优化布局也是实现正确开关行为的必要条件。

栅极电容如下图所示。

图7 MOSFET栅极电容

MOSFET的数据手册中指出了输入电容、输出电容以及反向传输电容：Ciss，Coss，Crss。它们由Cgs、Cgd以及Cds组成：Ciss=Cgs+Cgd，Coss=Cds+Cgd，Crss=Cgd。由于这些参数值是和电压相关的，因此栅极电荷参数更好的描述的开关特性，下图更详细的展示了一次感性负载回路中的开启事件。

图8 MOSFET开启时栅极电荷，漏极电压以及电流的理想波形

图9 基本栅极电荷测试电路

在T0时刻之前，开关S闭合，栅源电压为0，因此有一个电流流过二极管D， $I_{l0}=I_R$ ，被测器件（DUT，以下全用简称DUT）承载全部的电压 $V_{DD}$ 且漏极电流为0。在T0时刻，开关断开给MOSFET栅极充电。此时栅极和源极间的寄生电容 $C_{GS}$ 开始充电，从而引起栅源电压Vgs升高，但在栅源电压达到阈值电压Vgsth之前并不会有电流流过漏极。在T1到T2时刻之间， $C_{GS}$ 持续充电并且栅源电压持续上升，并且漏极电流也成比例的变大。So long as the actual drain current is still building up towards the available drain current ID, the freewheeling rectifier stays in conduction clamping the drain to VDD.The top end of the drain-to-gate capacitance CGD therefore remains at a fixed potential as the potential of the lower end rises with the gate voltage.在此期间给 $C_{GD}$ 充电的电流相对于 $C_{GS}$ 来说较小，但并不能忽略。

在T2时刻，漏极电流达到 $I_{D}$ ，因此二极管停止导通。现在漏极的电势已经不再是 $V_{DD}$ 并且有下降的趋势。此时二极管反向偏置并且由于电感像电流源一样的特性，当漏极电势下降时漏极电流保持不变。当 $V_{DS}$ 下降时，MOSFET处于饱和区，其跨导 $g_{fs}$ 决定了 $I_{D}$ 和Vgs近乎线性的关系，因此Vgs基本不变，直到 $V_{DS}$ 低于 $V_{GS}-V_{GSth}$ 。由于米勒效应，在T2到T3时刻间栅极电流被漏极分流一部分给 $C_{GD}$ 充电。这段时间中栅极出现的平坦区域被称为米勒平台，其时间的长短与 $V_{DD}$ 成比例（正比）关系。也和 $I_{G}$ 成比例（反比），因为 $I_{G}$ 决定了充电时间的长短。

在T3时刻，漏极电压降至 $I_{D} * R_{DS(on)}$ ，此时器件进入欧姆（三极管）区域，Vgs现在不再受 $I_{D}$ 相关的传输特性的限制而可以继续充电。

最终，在T3时刻MOSFET完全打开，并且 $V_{GS}$ 以T2时刻之前的速率继续上升。电流源继续供电直到T4时刻 $V_{GS}$ 电压达到最大驱动电压 $V_{G}$ 。开关过程中每一段事件所传输的电荷量如图8所示（引用自MOSFET的数据手册）。

在实际电路中杂散电感总会出现在源极和漏极电流路径中，如 $L_{S}$ 和 $L_{D}$ ，它们来源于器件的封装管脚、管脚和晶圆连接的邦定线以及PCB的布线，如下图所示。除此之外，还有二极管还有反向恢复时间 $t_{rr}$ 。 $L_{S}$ 、 $L_{D}$ 、 $t_{rr}$ 会对开关过程中的 $V_{DS}$ 、 $V_{GS}$ 以及 $I_{D}$ 造成额外的影响，最终使得波形看起来像下图11所示那样。

图10 开关过程中的寄生电容和寄生电感

图11 考虑寄生电感效应的开关波形

参考图10所示的驱动电压 $V_{DRIVE}$ ，在T0时刻，驱动脉冲开始上升，直到T1时达到MOSFET的阈值电压，漏极电流开始增加。这一时刻发生了两件事使得 $V_{GS}$ 波形偏离理想的直线上升。首先，电感Ls与电压源串联构成栅极回路，由于电流增加导致共源电感产生感应电压 $V_{LS}$ 。这个电压抵消了施加的 $V_{DRIVE}$ 从而延缓了测量得到的 $V_{GS}$ 的上升速率。它造成的结果是降低源电流的上升速率，从而产生负反馈效应，使得源电流的增加在栅极处产生反作用的电压，从而倾向于抵抗 $I_{D}$ 的变化（MOSFET开的慢）。

影响栅源电压的第二个因素是米勒效应。在T1到T2时间内，由于未钳位的杂散电感 $L_{D}$ 引起分压，从而造成MOSFET上 $V_{DS}$ 电压的下降。下降的部分会反应在 $C_{GD}$ 上（容值下降，D为高电平）引起放电电流 $I_{GD}$ （电荷流像漏极），从而增加了驱动电路要驱动的容性负载。这最终导致增加了驱动电路 $L_{G}$ 上的输入阻抗，降低 $V_{GS}$ 的上升速率。也就是说 $I_{D}$ 的增加会导致 $V_{GS}$ 上升变慢从而抵抗 $I_{D}$ 的增加。减弱这个影响的方法是让 $L_{G}$ 尽可能低。这个现象从T1时刻持续到T2时刻，直到 $I_{D}$ 上升至整流器接通之前的电流大小，并且会持续到T2到T3时刻之间直到二极管D反向恢复。在T3时刻，二极管D开始阻断反向传导并且 $V_{DS}$ 开始下降。 $V_{DS}$ 下降的速率由米勒效应决定，并且达到一个平衡状态，这个平衡状态下， $V_{DS}$ 满足 $V_{GS}$ 、 $I_{D}$ 以先前讨论的那样下降（原文我实在是看不懂了TUT……）（大佬救救The rate of decrease of VDS is now determined by the Miller effect and an equilibrium condition is reached under which the VDS falls at the rate necessary for VGS to satisfy the level of ID as explained previously. VGS falls as the reverse recovery current of D drops and remains at the Miller plateau level corresponding to the ID as VDS transitions to zero, while ID is constant）。最后，在T4时刻，MOSFET完全接通， $V_{GS}$ 上升到 $V_{DRIVE}$ 。

上述讨论同样也适用于关断的时候。下图展示了在一个类似的感性电路中，当电流为I时MOSFET关断的波形，该电路具有与开启时相反方向的吸收电流 $I_{G}$ 。

图12 关断波形

在T0时刻， $V_{GS}$ 开始下降直到T1时刻，降到阈值电压， $V_{DS}$ 开始上升，器件脱离线性（三极管）区域达到维持 $I_{D}$ 的米勒平台电平，现在器件工作在饱和区域。

再次强调，驱动电路的阻抗越低电路流过 $C_{GD}$ 的电流越大， $V_{DS}$ 电平上升的越快。在T3时刻， $V_{DS}$ 已经达到总线电压 $V_{DD}$ ， $V_{GS}$ 和 $I_{D}$ 开始下降，下降速率由 $C_{GS}$ 决定，直到 $V_{GS}$ 低于阈值电压，MOSFET才得以完全关断， $I_{D}$ 归零。在T2至T3时刻之间，由于MOSFET体二极管的反向恢复过程作用于 $L_{D}$ 引起 $V_{DS}$ 的过程电压超过了 $V_{DD}$ 。在T3时刻之后，电感电流流过二极管D，将电压钳位到 $V_{DD}$ 。

上面解释了低栅极驱动阻抗对于开关时间的重要性。然而即便对你来说开关速度不是那么重要，但是最小化栅极驱动电路的阻抗来钳制栅极处的感应瞬变电压也是非常重要的！

图13 漏源电压在寄生电容、电感作用下由于快速变化产生的感应瞬变电压作用在栅极

参照上图，当一个MOSFET开启或关断的时候，同一路上的另一个MOSFET漏源极之间会有一个瞬变电压，这个瞬变电压会通过 $C_{GD}$ 耦合到栅极，并且这个电压足以使器件关断一个小的瞬间。这个效应称之为高 $C\cdot \frac{dV}{dt}$ 诱导导通。低的栅极驱动阻抗能保证耦合到栅极的电压低于开启阈值。总结如下：MOS应该有低阻抗的电压源驱动，这样不仅能减少开关损耗，同时还可以避免由于 $\frac{dV}{dt}$ 引起的导通，降低对噪声的敏感性。

4 栅极驱动电压和电流

4.1 概览

MOSFET具有固定的栅极电荷 $Q_G$ ，它必须被施加足够的充电电流才能使 $V_{GS}$ 从0升高至需要的驱动电压（对于一个标准电平器件通常是10V）。为了满足这个要求，电流脉冲需求： $Q_G=\int_{0}^{t_{on}}i(t)dt$

栅极驱动电路提供的驱动电压通过外部的栅极电阻 $R_{GD}$ 、MOSFET内部的栅极电阻 $R_G$ 以及驱动电路的输出阻抗 $R_{SRC}$ 组成。因此，驱动电流并不是恒定的，峰值电流在栅源电压 $V_{GS}$ 为0（驱动电平转换到高的瞬间）时最大。

$i_G(t)=\frac{V_{DRIVE}-V_{GS(t)}}{R_{GD}+R_G+R_{SRC}}$

因此，随着 $V_{GS}$ 的上升， $I_G$ 趋向于0。下面的波形展示了10khz下的栅极驱动波形。在这个例子中，漏极接地，因此 $C\cdot \frac{dV}{dt}$ 和米勒效应没有发生，所以这里没有栅极的平台电压。例中栅极电阻 $R_{GD}$ 为20Ω。

图14 没有米勒效应的栅极驱动波形（20us/div、100ns/div，红色-驱动电压，绿色-栅源电压，蓝色-栅极电流）

实际应用中，当MOSFET开关时，驱动需要提供更长时间的电流来通过米勒平台。如下图所展示的是MOSFET在100V、1A的条件下进行开关。在关断时，需要一个小的反向栅极电流。正向和反向的栅极电流峰值大概400mA，在大约1us后降为0。

图15 考虑米勒效应时的栅极开关波形

在许多电源开关电路中，其开关频率通常比上述的10kHz高很多并且要求更快的开关时间。也会用die更大的MOSFET，并且 $Q_G$ 也更高。这种情况下通常需要栅极驱动的拉和拽电流达到数安培。

4.2 测量栅极电荷

一个典型的栅极电荷测试电路如下图16所示。在这个电路中，DUT通过R1被施加一个电流。Q1漏极的恒定电流由栅极电压设定；栅极所消耗的电荷量是与漏极到源极之间的给定的电流电压相关的。

图16 MOSFET栅极电荷测量电路

图17 不同 $V_{DS}$ 电压值下的栅极电荷波形

图16中电路的仿真结果展示了直流母线电压为10V、40V和80V下开通时时的 $V_{GS}$ 上升波形。我们可以清楚的看到 $Q_{GD}$ 的变化和米勒平台的持续时间。vgs的上升时间不想图8所示的理想波形那样是线性的，因为在本例中，栅极驱动电压V1是一个恒定电压脉冲，通过电阻R1给栅极充电，如图15那样，栅极电流也不是恒定的。

图18中的图像展示了100V MOSFET IRF530的 $V_{GS}$ 和 $Q_G$ （单位为nC）的关系。尽管A点之后电压第二次上升表示开关操作完成，但正常设计安全余量决定了在一定的漏极电压和电流情况下栅极驱动电压要大于这个图示中刚刚好的电压值。因此，栅极消耗的总电荷实际要高于是所需的最小电荷（图示中的曲线表示最小电荷）。例如，在80V、10A条件下，开启一个MOSFET，在A点需要16nC电荷，对应的栅极电压大约在6.8V。如果施加的驱动电压幅值为10V，那么栅极消耗的总电荷会在23nC附近（B点）。值得强调的是，一旦MOSFET被完全开启并且进入了线性区域，那么MOSFET的 $R_{DS(on))}$ 将取决于栅极驱动电压，因此使用一个比平台电压更高的驱动电压对于降低导通电阻和传输损耗是非常必要的。如图所示，开关时的母线电压与米勒平台的长度不成比例。这时因为 $C_{GD}$ 会随着母线电压非线性变化，电压越高、容值越小。

总栅极电荷 $Q_{G}$ 是设计驱动过程中要考虑的主要因素。在上面的例子中，80V、10A条件下 $Q_{G}$ 的大小是16nC，如果施加1A的栅极电流，由于 $Q_{G}$ 是栅极输入电流和开关时间的成绩，因此开关时间是16ns。

图18 不同栅极电压和电流条件下 $Q_{G}$ 和 $V_{GS}$ 的关系

图18展示了 $Q_{G}$ 和 $V_{GS}$ 的关系，当负载电流更高时，米勒平台电压会升高，并且随着母线电压升高，米勒平台的持续时间会更长。并且可以明显看到这些关系都是非线性的。

考虑一个典型的100kHz开关场景，需要满足开关时间100ns以下。所需要的栅极电流通过将16nC除以所需要的100ns时间，可以得到结果为160mA.设计者可以通过这样估算栅极电阻值。如果驱动电路电压为14V，那么根据 $\frac{14V-6.8V}{160mA}$ ，栅极电阻大约为50Ω。这是一种基于米勒平台期间施加所需电流来取合适栅极电阻的简化方法，因为实际的驱动电流公式如之前所述的：

$i_G(t)=\frac{V_{DRIVE}-V_{GS(t)}}{R_{GD}+R_G+R_{SRC}}$

有了栅极电荷数据允许设计者快速的计算平均栅极驱动功率：

$P_{DRIVE}=Q_G\times V_G\times f_{SW}$

这个公式同时考虑的接通和关断期间的功率。

继续上述的100kHz开关频率的例子，栅极驱动电压为14V，使 $V_{GS}$ 升高到14V所需的栅极电荷 $Q_{G}$ 为27nC。因此平均驱动功率为： $27nC\times14V\times100kHz = 38mW$ 。由于160mA的却得电流在出现在开关器件，因此工作时的平均功率很低。

4.3 栅极驱动电路的设计

在这份应用笔记中，术语“栅极驱动电路”指的是低阻抗栅极驱动电路的输出和MOSFET栅极终端的网络。栅极驱动电路将在下面章节讨论。栅极驱动电路的作用是将逻辑电平的脉冲转换为能提供足够拉和拽电流使MOSFET栅极充电和放电的驱动电平的脉冲使其快速开关。

最简单的栅极驱动电路（如下图A）由一个电阻 $R_G$ ，它的作用是限制栅极驱动电流以控制开关时间。它对于限制EMI来说是必要的，并且它还可以抑制由于快速电压变化与MOSFET的寄生电容和电感一起作用而可能在栅极引起的振铃和震荡。这个振铃可以使MOSFET以一个非常高的频率开关数次而不是一个干净的过渡，这可能会导致设备在大电压大电流情况下切换时失效。非常推荐在栅极和源极之间连接一个kΩ级别的电阻 $R_{GS}$ （通常为10kΩ）以使得MOSFET在栅极没有连接驱动电路时能够放电。如果没有这个电阻，MOSFET可能会在它需要关断的时候保持开启，当半桥上的另一个MOSFET开启时会发生短路，极大的电流可能和烧坏器件甚至摧毁PCB。

图19 栅极驱动电路

电路A中，MOSFET开关时间是相等的。然而，许多情况下需要设置不同的开关时间。常见的是要求更快的关断，因此可以提供B电路实现。在开启时，二极管阻止电流流过 $R_{g\_off}$ ，但是当关断时，二极管导通，电流同时流过 $R_{g\_on}$ 和 $R_{g\_off}$ ，因此允许更快的关断和更强的下拉。在半桥和全桥应用时强下拉能力非常重要，用于防止由于 $C\cdot \frac{dV}{dt}$ 而诱导的开启。电路C的二极管与B反向，只在开启时导通，允许更快的开启。

上述所有的情况下，驱动MOSFET需要栅极驱动电路向MOSFET提供栅极脉冲。

5 以地平面为基准的栅极驱动电路

5.1 分立器件栅极驱动电路

驱动电路的输入信号通常来自3.3V或5V逻辑电平的脉冲。这些信号可能来自MCU、FPGA或者其他逻辑IC，甚至一个比较器。这些情况下，信号源不足以提供足够的拉和拽电流来在期望的时间内开关一个功率MOSFET。因此需要一个栅极驱动电路完成以下工作：

1、增加驱动电压

2、提供足够的驱动电路

可以用NPN和PNP三极管来搭一个电平转换电路，紧接着射极跟随器电路提供驱动电流。

图20 BJT射极跟随器栅极驱动电路

上述电路需要四个小信号BJT和三个电阻（R2不算，那是MOSFET的栅极电阻，不是原作者写的有问题）。电平转换电路将一个3.3V脉冲转换为12V，并且给Q1的基极提供一个大约10mA的驱动电流。关断时，Q2的基极通过Q4被拉低。这个电路能提供一个大于11.4V的开启电压，低于0.6V（远低于阈值电压）的关断电压，并且有着±0.5A的驱动电流。

另一个是如下图所示的MOSFET栅极驱动，这个电路需要更少的器件——三个小信号MOSFET和两个电阻。它的输出能做到0V-12V，并且驱动电流限制取决于Q1和Q2的 $R_{DS(on)}$ 。

图21 MOSFET栅极驱动电路

5.2 栅极驱动IC

分立器件栅极驱动电路可以被一个集成芯片所替代如IRS44273L，如下图所示。

图22 简单的栅极驱动IC IRS44273L

一个SOT-23封装的器件能替代分立器件电路，并且包含了施密特出发输入和欠压锁止功能（UVLO）。IRS44273L的驱动能力能达到1.5A。

也有更复杂的驱动芯片，它们提供更多额外的功能例如电流检测、比较使能、错误指示管脚等，可以通过接口与微控制器通信提供更快的系统保护。一个例子是1ED44175N01B，如下图所示。

图23 具有电流检测和使能的栅极驱动IC 1ED44175N01B

它们在PCB占用的极小的面积、额外的功能并且低成本已经使其基本取代了分立器件电路。非隔离（N-ISO）技术指栅极驱动IC利用低电压电路和强大的高压驱动，并且使用最先进的0.13um工艺。英飞凌生产适用于高功率密度应用的大电流栅极驱动器，由行业标准DSO-8和小尺寸的SOT-23甚至WSON封装。单端低侧和双低侧驱动器有可选的驱动电流、逻辑配置、不同封装以及欠压锁止（UVLO）、集成过流保护（OCP）、真差分输入（TDIs）等功能。

5.3 真差分输入

通常的栅极驱动IC输入信号以栅极驱动器的地为参考电平。如果在应用过程中，栅极驱动器的地电位过度便宜，则可能使驱动器误触发。由于PCB上的寄生电感，大电流切换时可能发生上述情况。1EDN7550/1EDN8550栅极驱动器拥有真差分输入。它的输入控制信号很大程度上与地电位无关。驱动器的输出状态只由输入端的差分电压决定，预防MOSFET的误触发。

图24 由真差分输入的1EDN7550和1EDN8550单通道EiceDRIVER™栅极驱动器

6 浮动/高侧栅极驱动电路

在许多开关电源拓扑中，如BUCK电路、半桥驱动、全桥驱动以及多电平转换器中，功率MOSFET的源极并没有连接在电路的0V电位上。这意味着我们上一章节讲述的以地电位为参考的栅极驱动器就不能使用了。相反，我们需要一个栅极驱动电路，它的输入信号可以以0V为参考电位，但输出的栅极驱动信号可以参考MOSFET的源极（可以是任何电位）。这里有几种不同的实现方式。

6.1 脉冲变压器式栅极驱动电路

下面的例子是一个使用半桥结构的同步降压调节电路，使用了一个脉冲转换器来为高侧的栅极驱动器提供隔离。以0V为参考电位的驱动信号通过栅极电阻 $R_{gH}$ 和隔直电容C与脉冲转换器的原线圈相连。这个电容需要平衡变压器的flux（volt-seconds），因此它不会饱和（我没懂，大佬来解释下）。脉冲电平会出现在变压器的次级线圈上，但属于交流耦合，这意味着，如果输入端的信号是0-20V、50%占空比的信号，输出端会有一个类似的脉冲，不过电平是从-10V到10V。

图25 具有高侧栅极驱动脉冲转换器的半桥同步降压稳压器

如下图所示（先看图再看文好理解），正向和反向电压在脉冲变压器的初级和次级线圈上摆动，使volt-seconds乘积（其实是线圈存储的能量吧）始终保持平衡。电容C对于交流耦合和防止脉冲变压器达到磁饱和来说是不可缺少的。

脉冲变压器栅极驱动的一个缺点是它们不能用于高占空比的脉冲。因为随着占空比的升高，正向电压开始下降、反向电压上升来保持volt-seconds乘积不变。

栅极驱动脉冲变压器很小，但需要高电感来避免高磁化电流。他需要使用非常细的线来绕制大匝数。另外，绕组必须很好的耦合来降低漏感，从而避免产生振铃。

图26 脉冲变压器volt-second平衡-20%占空比和50%占空比

6.2 半桥栅极驱动IC

在半桥或全桥驱动电路中，广泛使用集成驱动，如下图所示的IR2101，逻辑电平信号信号通过LIN和HIN输入。低端栅极驱动输出LO可以由LIN脉冲控制输出0V到 $V_{CC}$ 。然而，高侧栅极驱动输出不是以0V为参考，并且根据HIN输入脉冲在VS和VB之间切换，其中VS连接在半桥开关节点HB上。

图27 集成半桥驱动器举例和其内部结构示意图

当低侧MOSFET开启时，HB节点为0V，当高侧MOSFET开启时，HB节点为母线电压，工作过程中HB节点在这两个电压间变化。在一个MOSFET的关断和另一个MOSFET开启之间加入死区时间，以使得在第二个MOSFET开启时保证第一个MOSFET完全关断。这样可以防止上下桥同时导通引起短路。

集成半桥驱动器的高侧驱动相对于0V是浮动的。当低侧MOSFET开启时，自举电容通过自举二极管被充电到 $V_{CC}$ 。它提供了相对于VS的VB点浮动高侧电源电压。自举二极管是一种额定电压高于母线电压的快恢复器件，当高侧MOSFET开启时不会反向导通。高侧的栅极驱动电路由一个触发器组成，该触发器由IC内低侧的脉冲通过高压电平移位MOSFET置位和复位。半桥驱动器在许多场合都适用，尽管它们不能在很高的占空比下工作，因为LO处必须要有一定的脉冲来给自举电容充电。这类器件也有负压Vs和dv/dt额定值，因此在设计时查看它们的数据手册是非常重要的。

我以自己的语言讲述下自举电路的原理：

假设初始状态下，高低侧两个MOS都没有开启，那么VS（和HB是一个点）的电平是未知的，直接给HIN高电平，未必高侧MOS可以打开。

因此首先给LIN一个高电平，低侧MOS开启，VS电平被拉低，自举电容通过二极管充电；

当需要开启高侧MOS、关断低侧MOS时，先关断低侧MOS（LIN给低），由于电容有电，VB和VS之间时有压差的，而上端的MOS能够开启就是依赖于这个压差，此时HIN给高，这个电容的电荷给高侧MOS的栅极充电，高侧MOS开启，VS电位变高，母线电压可能回比驱动供电电压高，因此二极管会方向截止，不会给驱动端的电源产生影响。

在许多不同的IC制造商处我们可以买到非常多的半桥驱动器。它们驱动电压从100V到1200V不等，这里指Vs引脚的最大承受电压。

以下内容非IC领域制造行业从业者，部分名词翻译可能并不准确，有异议请参考原文，也恳请您指出，我后续对其做出修改。

6.3 结隔离集成电路技术

有一个非常受欢迎的IC技术被我们熟知：PN结隔离（JI），自1989年以来，国际整流器（IR）率先提出了第一款单片集成电路产品。高压集成电路技术（HVIC）采用专利和专用的集成电路结构，集成双极型、CMOS和横向DMOS器件，击穿电压高于700V和1400V来适应工作电压600V和1200V。某些情况下，IC包含一个继承的高压自举二极管因此不再需要外接二极管。

图28 PN结隔离高压集成电路技术

6.4 Silicon-on-insulator集成电路技术

在SOI半桥驱动中，每个晶体管都被埋入二氧化硅进行隔离来消除寄生双极晶体管导致的latch-up现象。这项技术也能降低电平转换时的功率损失从而降低器件的开关功率耗散。先进的制程工艺允许单晶片上同时有类似与JI技术的高压和低压电路，同时提高了鲁棒性。SOI驱动器集成了坚固耐用的超过快速自举二极管。低二极管电阻 $R_{BS}$ 在40Ω以下允许更宽的工作电压范围。

如今的大功率开关逆变器和驱动能承载大电流负载。 $V_S$ 管脚上的电压摆动会到负电压处。这是因为功率回路（晶片邦定线、PCB走线）上的寄生电感的影响。这个过冲被称为负瞬态电压。采用SOI技术的EiceDRIVE™高压电平偏移栅极驱动IC产品有业界最佳的运行鲁棒性。

图29 JI HVIC技术

当工作频率增加时不能忽视由于电平移位而产生的损耗。电平因为电路用于从低侧向高侧传递开关信息。传输的电荷决定了电平移位损耗。EiceDRIVER™高压移位栅极驱动产品使用SOI技术使得其只需要非常少量的电荷来传递这个信息。降低的电平移功率损耗允许更高的设计灵活性和更高频率的开关操作，同时也增加的器件的寿命，改善了系统效率提高了系统可靠性。

6.5 隔离栅极驱动

如果需要在控制电路的PWM信号和MOSFET之间加入电气隔离，那么需要使用脉冲转换器或者隔离栅极驱动。EiceDRIVER™2EDi是一系列快速、多通道的隔离栅极驱动IC，通过使用无芯变压器（CT）提供实用型（2EDFx）或增强型（2EDSx）输入输出隔离。

图30 隔离栅极驱动举例

隔离级别说明如下：
1、增强隔离型的2EDSx系列：

a、DIN V VDE V 0884-10（2006-12）满足VIOTM=8kV峰值电压、VIOSM=6kV峰值电压（实测在10kV）

b、通过UL1577（Ed.5）光耦器件隔离标准认证，平均隔离电压5700V

c、通过EN 61010-1（增强型隔离，300V平均电源电压、过电压III类）认证

d、通过EN 60601-1（2 MOPP、250V平均电源电压、过电压II类）认证

2、实用型隔离2EDFx系列：

1500V直流电压下生产测试10ms

上述类型的隔离栅极驱动需要在VDDx和GNDx之间连接以每个MOSFET位参考的浮动源。它们与以GNDI为参考的输入电源VDDI完全隔离。在复杂应用场景如多电压转换拓扑中，需要许多独立的浮动源来给隔离栅极驱动的二次侧供电。这需要专门的电源设计，通常使用具有多个隔离输出的低功率反激和fly-buck电源。这需要多个绕组来完成这个复杂的电感设计。

图31 英飞凌无芯变压器技术

英飞凌无芯变压器技术使用磁耦合电隔离技术，采用半导体制造工艺集成有金属绕线和氧化硅绝缘的片上变压器。片上无芯变压器用来在输入和输出传递开关信息和其他信号。这项技术拥有短的传输延时、极致的延时匹配、极强的鲁棒性，适用于驱动MOSFET、SiC以及先进的IGBT

下图展示了使用了多个隔离栅极驱动IC的五电平混合飞跨电容逆变器：

图32 使用隔离栅极驱动IC的多电平逆变器

6.6 可配置的栅极驱动器

在特定的应用场景中如无刷直流电机驱动逆变器，可以使用先进的三相半桥驱动IC，其栅极驱动电流是可配置的。举例如下图MOTIX™ 6EDL7141芯片，其栅极驱动输出可以直接连接到MOSFET栅极。

图33 MOTIX™ 6EDL7141内部功能框图

MOTIX™ 6EDL7141包含了一组SPI通信接口，可以通过USB先或者加密狗与计算机连接。并且用于可以通过GUI从一系列不同的可用值中选择栅极驱动电流。而6EDL7141需要从INLx和INHx输入逻辑电平的PWM开关脉冲。得益于电荷泵技术，高低侧的栅极驱动允许使用100%占空比的脉冲，同时即使母线电压降至降低水平也能维持输出。它的栅极驱动电压也可以被设置为以下几个电平：7V、10V、12V和15V。

图34 6EDL7141栅极驱动器的控制

漏源电压的上升和下降时间的控制也是优化驱动系统最重要的参数之一，它影响着开关损耗、死区时间、漏极电压振铃等可能导致MOSFET失效的关键因素。栅极驱动的正确配置也能够降低EMI干扰。6EDL7141能通过调整开关过程中时间段的驱动电流来控制驱动信号的压摆率进而控制漏源电压的上升下降时间。

6.7 栅极驱动的配置选项

通过使用GUI工具，设计者能通过SPI对以下参数配置驱动电流和开关时间：

栅极驱动器的实现方式如图35所示，当来自微控制器的输入信号从低到高转换时，出发栅极驱动的开关序列，驱动器首先输出一个由用户配置的电流 $I_{PRE\_SRC}$ 持续 $T_{DRIVE1}$ 时长，在其结束时，MOSFET的栅极电压达到其阈值电压。在 $T_{DRIVE1}$ 结束后立马进入第二个阶段，时长有 $T_{DRIVE2}$ 决定，这个器件施加的电流决定了MOSFET的 $\frac{dI_D}{dt}$ 和 $\frac{dV_{DS}}{dt}$ ，因为这个电流会用来给被驱动的MOSFET的 $Q_{SW}$ 充电。

在三相电极配置中，每一个半桥的高侧都工作在硬开启的连续模式下。当死去时间不够长，缓冲电容器由于相电流而充电，也可能发生低侧的硬开启。一旦 $T_{DRIVE2}$ 时间过去，栅极驱动将会施加全部电流（1.5A）来确保MOSFET最快打开，给 $V_{GS}$ 充电到用户配置的驱动电压 $P_{VCC}$

MOSFET关断时会发生一个类似的过程，由 $T_{DRIVE3}$ 和 $T_{DRIVE4}$ 决定了设定放电电流持续的时长。

图35 6EDL7141控制半桥驱动的压摆率过程

图36 6EDL7141栅极驱动概览

图36展示了在逆变器相位的一个典型硬开关过程中高侧MOSFET的 $V_{GS}$ 充电和放电过程。也能看到在不同的充放电阶段MOSFET的开关和关断。得益于6EDL7141提供的高时间精度的灵活配置以及任意阶段的可编程电流，设计者能够在不需要任何外部器件的情况下调整开关操作。

在开关期间，受控的驱动电流允许控制压摆率 $\frac{dV_{DS}}{dt}$ ，提供控制不同驱动时刻内的驱动电流从而控制栅极注入的电荷来控制 $V_{DS}$ 的变化。大电流可以用于在 $Q_{G(TH)}$ 和 $Q_{GD}$ 之间充电，因为 $\frac{dI_D}{dt}$ 和 $\frac{dV_{DS}}{dt}$ 在此期间都不会受到影响。

这里能选择17个预充电电流，包括16个通过 $I_{PRE\_SRC SINK}$ 定义的电流还有有1.5A最大值档。在使用较大栅极电荷特性的MOSFET情况下，开启时的 $Q_{G(TH)}$ 以及关断时的 $Q_{GD}$ 可能会受益于全功率输出。可以在GUI中选择预充电的强度。当 $Q_{G(TH)}$ 太小以至于不能用电流控制压摆率时，用户可以将 $T_{DRIVE1}$ 设置为0，这样会使驱动从一开始就进入 $T_{DRIVE2}$ 阶段。这允许适配不同技术下MOSFET如OptiMOS或者StronglRFET。 $T_{DRIVE1}$ 和 $T_{DRIVE3}$ 可以被设置为0来允许跳过这段时间。

6EDL7141给设计者提供了多种驱动电压选项，可以根据系统要求进行选择，允许设计者提供SPI寄存器调整MOSFET的驱动电压（PVCC）。高侧和低侧的PVCC值相同，它们可配置为7V、10V、12V和15V。提供GUI设置位或者PVCC_SETPT来完成，其默认值位12V。栅极驱动的输出受UVLO保护。

如先前提到了，推荐在栅极和源极之间加入一个弱下拉电阻。6EDL7141通过将以下功能集成到了栅极驱动的输出中，从而不需要这个电阻：

弱下拉：栅极驱动器的输出使得栅极和源极之间总是被连接一个弱下拉（RGS_PD_WEAK）。这保证了当驱动关断时、EN_RV关闭或者设备完全关闭（CE off）情况下MOS是被弱下拉的。
强下拉：栅极驱动关断时，如果外部栅源电压因为某些原因而增加，则会激活强下拉（RGS_PD_STRONG），以确保稳固的下拉来防止虚开。

翻译到此就结束了，感谢您的阅读，后面的部分涉及到很多专业名词，知识深度尚且不够，可能翻译的不够准确，还请见谅，如有需求请您对照原文，当然也恳请您评论进行指正，我会在尽可能短的时间内回复并修正文章内容，感谢！

知识无价，恳请您在转载时附上原文连接，感谢！

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【翻译】开关应用中功率MOSFET的栅极驱动

本文是一份MOSFET器件特性和栅极驱动指南。译者：Distance译者说：接下来的这篇应用笔记简单介绍了硅功率MOSFET，并且解释了它和双极型晶体管（BJT）和绝缘栅型双极型晶体管（IGBT）的不同。文章由基本的MOSFET特性展开，并将重点放在了它的栅极，阐述了是什么物理特性决定了栅极驱动所需的能力。这份应用笔记讨论了硅MOSFET；而不包括IGBT以及宽禁带（wide-bandgap）半导体。主要讲述了MOSFET的开关应用，并将其重点放在了栅极驱动部分。
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