功率器件的栅极电阻选择

最新推荐文章于 2024-01-21 12:05:54 发布

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文章标签：嵌入式硬件硬件工程

原文链接：https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-EiceDRIVER-Gate_resistor_for_power_devices-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd8501523ee694b74f18

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关于这份文档：
这份应用笔记介绍了栅极电阻的作用，并且指出了功率器件栅极电阻选择中我们最需要关心的问题。

目标受众：
目标设计可靠、高效的栅极驱动电路的电力电子工程师。

1、概览

这份应用笔记解释了电力电子器件中栅极电阻选型最相关的问题。将从门电路的物理效应开始并阐明相关计算公式。但是请注意，这份应用笔记并不能给出每个晶体管或模组推荐的电阻。然而，文中会强调栅极电阻选型中哪些是需要重点考虑的，并且指出它们所带来的影响。

2、栅极电阻基础

栅极电阻位于驱动输出和功率器件的输入端之间。通常使用 $R_G$ 标识，如图1所示。
图1 基本栅极驱动电路
栅极电压控制着功率器件的通断，如IGBT或者MOSFET。栅极电压的改变影响着器件栅极电容的充放电，如以IGBT举例，栅极电容由 $C_{GC}$ 和 $C_{GE}$ 组成。由充电电流 $I_{G\_charging}$ 给栅极电容充电会使器件导通，而通过 $I_{G\_discharging}$ 给栅极电容放电会使其关断。
栅极充放电电流的大小受到栅极电阻 $R_G$ 的限制。同时它也影响着功率器件的开关速率。除了这个，栅极电阻还会产生如下影响：
限制峰值栅极电流从而保护驱动的输出端
在栅极回路中起到耗散功率的作用
抵制电磁干扰
防止栅极振铃
通过选择合适的栅极电阻来避免虚开启

3、设计栅极驱动电路的栅极电阻时需要考虑的因素

栅极电阻在许多方面需要考虑以满足使用要求。本节重点介绍栅极电阻如何定义峰值电流以及其对功率耗散、开关速率、开关损耗的影响。此外还解释了栅极电阻为何会造成电磁兼容、振铃和寄生导通。最后介绍了一种典型的栅极电路。

3.1 栅极充放电峰值电流

栅极驱动IC在datasheet中标明了其输出级所允许的最大开启关断电流 $I_{OH\_PEAK}$ 和 $I_{OL\_PEAK}$ 。当驱动的输出电流高于此峰值电流时，其输出级可能会损坏。因此出于安全考虑而限制输出电流非常重要。如图2举例便于理解。

图2 栅极充放电图示

这里的 $R_{DSon}$ 和 $R_{DSoff}$ 分别是驱动IC在输出高电平和低电平时的输出电阻，它们是驱动IC的内部参数。 $R_{Gon}$ 和 $R_{Goff}$ 表示开启和关断时的栅极电阻。IGBT T1开启时，栅极充电电流 $I_{G\_charging}$ 由VCC2通过 $R_{DSon}$ 和 $R_{Gon}$ 到IGBT的栅极。关断时，放电电流从IGBT栅极经过 $R_{Goff}$ 和 $R_{DSoff}$ 流入VEE2。通过这样的充放电路径，峰值电流能通过以下公式计算

$I_{G\_charging\_peak}=\frac{VCC2-VEE2}{R_{DSon}+R_{Gon}}$

$I_{G\_discharging\_peak}=\frac{VCC2-VEE2}{R_{DSoff}+R_{Goff}}$

计算得到的电流必须低于驱动数据手册给出的输出级允许的最大电流。

3.2 功率耗散

栅极电阻有一个非常重要的功能——帮助限制驱动输出级的功率。大的栅极电阻能减少充放电电流，从而减少了驱动IC上的功率消耗。根据图2，开启过程中的 $R_{DSon}$ 上的功率能计算为：

$P_{G\_charging}=\frac{1}{2}Q_G*(VCC2-VEE2)*f_{SW}*\frac{R_{DSon}}{R_{DSon}+R_{Gon}}$

关断时， $R_{DSon}$ 上的功率能计算为

$P_{G\_discharging}=\frac{1}{2}Q_G*(VCC2-VEE2)*f_{SW}*\frac{R_{DSoff}}{R_{DSoff}+R_{Goff}}$

在这里 $f_{SW}$ 是器件的开关频率， $VCC2-VEE2$ 是栅极电容在充放电过程中的电压。栅极电荷可以看作由栅极—发射级电压 $V_{GE}$ 决定，其精确值可以通过如图3所示栅极电荷曲线计算（不同器件不一样，请参考你所使用器件的数据手册）。

图3 栅极电荷曲线

为了进行快速计算，有些器件的数据手册直接给出了 $V_{GE}$ 为栅极电压±15V条件（+15V开启，-15V关断）下的栅极电荷可以直接用于计算。而当使用关断电压为0V或者-8V时，其各自的 $Q_{{G}'}$ 可以由下式计算。

$Q_{{G}'|V_{GE}=0-15V}=0.62*Q_G$

$Q_{{G}'|V_{GE}=-8-15V}=0.75*Q_G$

驱动IC的全部耗散功率必须低于器件所允许的最大耗散功率 $P_{D\_max}$ 。

$P_{G\_charging}+P_{G\_charging}+P_Q<P_{D\_max}$

上式中， $P_Q$ 表示驱动IC的静态功耗。由上述内容可知，增大栅极电阻 $R_{Gon}$ 和 $R_{Goff}$ 能减少驱动输出级的耗散功率，从而保证器件工作在安全范围。

3.3 开关速度和电磁兼容

如3.2小结描述的，更大的栅极电阻值对于驱动IC的损耗和热性能可能是有益的。此外，栅极电阻会影响功率器件的开关速度，开关速度会造成两方面的影响：效率以及噪声。

图4 英飞凌IKW25T120典型开关损耗与栅极电阻的关系

通常来说，更高的栅极电阻值会导致开关速度变慢。这意味着开关损耗会增加，如图4举例。这最终会影响效率。同时，更快的开关频率会增加由于 $\frac{di}{dt}$ 和 $\frac{dv}{dt}$ 产生的噪声。由于必须满足EMC要求，因此必须选择合适的栅极电阻。

向了解更多关于这个话题的内容，请参考英飞凌的文章：Balancing losses and noise - considerations for choosing the gate resistor。

3.4 栅极振铃

功率电子应用中，由于栅极回路中寄生参数的存在，栅极振铃是一种常见的现象。如图5所示，OUT是驱动IC的输出端，用来驱动功率器件。 $I_G$ 是栅极回路中的电流。 $L_P$ 和 $C_{GE}$ 是栅极回路中的寄生参数。当处于激发状态时会发生震荡。

图5 带有寄生参数的栅极回路

当使用MOSFET时，尤其是并联使用时，栅极振铃现象通常更严重。为了避免振铃现象，一个重要的措施是通过优化布局来限制寄生电感 $L_P$ 。

尽可能的缩短栅极回路的物理连线，这样通常能减少寄生电感1nH/mm
开尔文连接功率器件的源极和发射极

在一些设计中，由于几何结构的限制无法实现。这种情况下，使用较大的栅极电阻值可能是一种有效的方法，通过增加阻尼效应来抑制振铃。但设计者需要注意增大栅极电阻会降低效率。而且，考虑信号完整性，过高的栅极电阻会对来自驱动器的输出级的栅极信号解耦。这会导致更长的传输延时时间甚至引发失效。因此，栅极电阻的阻值必须仔细考虑。

除了阻值上的考虑，栅极电阻的布线也是非常重要的。如果不受物理限制，栅极电阻的防止应距离功率器件的栅极尽可能的近。

3.5 寄生导通

寄生导通是一种常见现象。这是由于较高的 $\frac{dv}{dt}$ 与寄生的米勒电容结合由引起的物理效应。

图6 寄生导通

如图6所示，T1上较高的 $\frac{dV_{CE}}{dt}$ 会引起米勒电容 $C_{GC}$ 上的位移电流。这通常是由于半桥拓扑结构中打开其配对的器件而产生的。位移电流 $I_{DIS}$ 流过栅极电阻会在栅极电阻上产生一个压降，并且会抬升功率器件的栅极电压。这可以通过下式进行计算：

$I_{DIS}=C_{GC}*\frac{dV_{CE}}{dt}$

$V_G=I_{DIS}*(R_G+R_{DSoff})$

$R_{DSoff}$ 指的是栅极驱动IC的下拉电阻。在这里，当T1关断时，下拉器件（下端的MOS）开启，功率器件的栅极电压是 $V_G$ ，当 $V_G$ 高于阈值电压时，寄生导通现象发生。这会影响系统的安全性，寄生导通会导致上下半桥同时导通发生短路。

当温度升高时，寄生导通现象会更加严重，因为器件的阈值电压通常是负温度系数，温度升高时阈值电压降低。图7来自英飞凌IGBT IKW25T120数据手册

图7 栅极-发射极阈值电压和结温的关系

由上述说明，限制这种寄生导通效应的措施是降低栅极电阻值。

3.6 典型栅极电路

如图8所示，在许多应用中，开启和关断分别使用不同的栅极电阻。串联的快恢复二极管 $D_{Goff}$ 用来使关断时的栅极电阻值变小。这样做是因为一些器件的关断延时通常比导通延时时间长。他也能阻止3.5结所讲的由于米勒电容引起的导通。另一方面，如果 $R_{Goff}$ 选的过低，功率器件关断期间高 $\frac{di}{dt}$ 变化可能引起电压过冲。因此，阻值的选择需要在开关速率和鲁棒性之间权衡。根据经验，通常使用 $R_{Gon}=2R_{Goff}$