MOS管栅极驱动原理

前言

笔者在调试高压3相桥的时候，出现开PWM就短路的现象。
最后查到是MOS管的驱动问题
1.米勒平台振荡厉害
2.上管打开时下管由尖峰

查找资料，分析如下：下桥关闭上桥打开时，下桥Vds=300V,电压通过Cgd耦合到GS上。

详细分析

• 米勒电容

MOS管的的实际结构如下：

驱动过程如下

• Cgs 和 Cgd 充电，直到Vgs 达到米勒电压 。
• 此时受到米勒效应的影响，Vgs保持不变（但受到走线、封装等引入电感会引起LC振荡）。只要给Cgd充电
• 给Cgs充电，达到栅极供电电压
  

• 米勒电容对H桥驱动的影响

当下桥臂关断上桥臂打开时，VLd由0V →300V会有一部分电流从Cgd流入栅极。导致Vgs > Vth使桥臂短路。

• 抵消或减小自开通的影响

1.增加MOS管的Cgs:Cgs 吸收Idg
2.负电压关断。就算有尖峰也不会达到Vth。
3.使用PNP快速关断（米勒箝位）

具体如图所示

声明

只是记录自己调试的过程和理解。如有雷同，纯属巧合，查重率100%

参考资料

1. MOSFET 栅极驱动电路（东芝）
2. MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理（TI）
3. 详谈米勒效应对MOSFET开关过程的影响