SRAM是随机存取存储器的一种。静态是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。因此SRAM具有较高的性能,SRAM也有许多种,如Async SRAM (A异步SRAM)、Sync SRAM (同步SRAM)等。
随着5G网络科技的普及,越来越多的产品应用中对内存需求越来越大,当STM32系列内置SRAM出现不足的情况,设计者开始考虑是否可以采用利用STM32系列丰富的外设资源来外扩SRAM芯片。下面介绍一款可替换于IS61WV12816FALL的EMI国产外扩SRAM芯片EMI502NL16LM。
英尚微推荐一款EMI502NL16LM产品,该系列由EMI先进的全CMOS工艺技术制造。位宽为128Kx 16的2Mbit的SRAM芯片,电源电压范围为2.3V〜3.6V,具备三态输出和TTL兼容,低数据保持电压:1.5V(最小值),这些系列支持工业温度范围和芯片规模封装,以使用户灵活地进行系统设计。 该系列还支持低数据保持电压,以低数据保持电流实现电池备份操作。封装采用标准44TSOP2,48BGA。