06_塑性变形

宏观规律

  • 工程应力应变曲线

    • 概念
      • 弹性变形:卸载后可恢复;塑性变形
      • 应力: σ = P F 0 \sigma =\dfrac{P}{F_0} σ=F0P ;应变: ϵ = l − l 0 l 0 \epsilon =\dfrac{l-l_0}{l_0} ϵ=l0ll0
    • 应力应变曲线

在这里插入图片描述

  • 强度

    • 弹性极限
    • 屈服极限
    • 条件屈服极限 σ 0.2 \sigma_{0.2} σ0.2
    • 极限强度(抗拉强度)
  • 塑性

    • 延伸率 δ = l k − l 0 l 0 \delta =\dfrac{l_k-l_0}{l_0} δ=l0lkl0
    • 断面收缩率 Ψ = F ϕ − F k F ϕ \varPsi =\dfrac{F_\phi-F_k}{F_\phi} Ψ=FϕFϕFk
  • 胡克定律
    σ = E ⋅ ϵ \sigma = E\cdot \epsilon σ=Eϵ
    E ( G ) E(G) E(G) 反映原子间结合力的大小

    • 弹性变形主要特点
      • 线性、可逆性、变形量
    • 影响弹性模量的因素
      • 原子结构:与原子序数呈周期性变化
      • 温度升高,弹模下降
      • 合金元素
        • 对晶体结构不敏感
        • 少量合金元素不影响
        • 大量合金元素,引起畸变,弹模下降
  • 真应力–真应变曲线

    • 真应变
      d e = d l l e = ∫ d e = ∫ l 0 l d l l = ln ⁡ l l 0 = ln ⁡ ( 1 + δ ) de=\dfrac{dl}{l}\\ e = \int de=\int_{l_0}^l\dfrac{dl}{l}=\ln\dfrac{l}{l_0}=\ln(1+\delta) de=ldle=de=l0lldl=lnl0l=ln(1+δ)

    • 真应力
      S = P F S = P F = P F 0 ⋅ F 0 F = P F 0 ⋅ l l 0 = σ ( ϵ + 1 ) S=\dfrac{P}{F}\\ S=\dfrac{P}{F}=\dfrac{P}{F_0}\cdot\dfrac{F_0}{F}=\dfrac{P}{F_0}\cdot\dfrac{l}{l_0}=\sigma (\epsilon +1) S=FPS=FP=F0PFF0=F0Pl0l=σ(ϵ+1)

    • 流变曲线

      真应力—真应变曲线中均匀塑变部分曲线
      S = k e n S=ke^n S=ken
      k k k 为常数, n n n 为形变硬化指数(表示抵抗继续塑变的能力)

  • 工程应力—应变与真应力—真应变的关系

    真应力—真应变为瞬时的计算

单晶体塑性变形

滑移变形

  • 滑移现象

    台阶:滑移线;很多台阶构成滑移带。

    滑移 ⟹ \Longrightarrow 台阶 ⟹ \Longrightarrow 滑移线 ⟹ \Longrightarrow 滑移带

    滑移:发生在特定的晶面和晶向上

    • 滑移面:可发生滑移的晶面
    • 滑移方向:可发生滑移的晶向
    • 滑移系:滑移面 + 滑移方向
  • 滑移系

    • 定义:一个滑移面及其上的一个滑移方向构成的一个空间位向关系

    • 特点:

      • 条件相同时,滑移面越多,材料塑性越好;条件相同时,滑移方向越多,材料塑性越好。

      • 一般来说,滑移面时最密排面,滑移方向是最密排方向。

        晶体结构滑移面滑移方向
        面心立方 { 111 } \{111\} {111} < 110 > <110> <110>
        体心立方 { 112 } \{112\} {112} { 110 } \bf \{110\} {110} { 123 } \{123\} {123}<111>
        密排六方 { 0001 } \bf\{0001\} {0001} { 10 1 ˉ 0 } \{10\bar{1}0\} {101ˉ0} { 10 1 ˉ 1 } \{10\bar{1}1\} {101ˉ1} < 11 2 ˉ 0 > <11\bar{2}0> <112ˉ0>
  • 临界分切应力

    Critical_resolved_shear_stress

ϕ 1 \phi_1 ϕ1 为应力 σ \sigma σ 与滑移面法线方向的夹角

ϕ 2 \phi_2 ϕ2 为应力 σ \sigma σ 与滑移方向的夹角

P ′ = P ⋅ cos ⁡ ϕ 2 A ′ = A / cos ⁡ ϕ 1 P'=P\cdot\cos\phi_2\qquad A'=A/\cos\phi_1 P=Pcosϕ2A=A/cosϕ1
τ = P ′ A ′ = P cos ⁡ ϕ 2 A / cos ⁡ ϕ 1 = P A cos ⁡ ϕ 1 cos ⁡ ϕ 2 = σ cos ⁡ ϕ 1 cos ⁡ ϕ 2 \tau=\dfrac{P'}{A'}=\dfrac{P\cos\phi_2}{A/\cos\phi_1}=\dfrac{P}{A}\cos\phi_1\cos\phi_2=\sigma\cos\phi_1\cos\phi_2 τ=AP=A/cosϕ1Pcosϕ2=APcosϕ1cosϕ2=σcosϕ1cosϕ2
屈服应力 σ s \sigma_s σs τ c = σ s cos ⁡ ϕ 1 cos ⁡ ϕ 2 \tau_c=\sigma_s\cos\phi_1\cos\phi_2 τc=σscosϕ1cosϕ2 --------------临界分切应力

  1. 晶体滑移所需的最小分切应力
  2. τ c \tau_c τc 取决于晶体的本性,与外力无关
  3. τ c \tau_c τc 是组织敏感参数

m = cos ⁡ ϕ 1 cos ⁡ ϕ 2 m=\cos\phi_1\cos\phi_2 m=cosϕ1cosϕ2 称为取向因子(施密特因子)

当 $\phi + \lambda=90\ ^\circ $ 时, m = cos ⁡ ϕ 1 cos ⁡ ϕ 2 = cos ⁡ ϕ 1 cos ⁡ ( 90   ∘ − ϕ 1 ) = 1 2 sin ⁡ ( 2 ϕ ) m=\cos\phi_1\cos\phi_2=\cos\phi_1\cos(90\ ^\circ - \phi_1)=\dfrac{1}{2}\sin(2\phi) m=cosϕ1cosϕ2=cosϕ1cos(90 ϕ1)=21sin(2ϕ)

所以,当 ϕ 1 = 45   ∘ \phi_1=45\ ^\circ ϕ1=45  时, m = m m a x = 0.5 m=m_{max}=0.5 m=mmax=0.5 。此时 τ \tau τ 最大,有利于滑移

m 越大,晶体越容易开始滑移,所需外加载荷越小 --------软位向

m 越小,晶体越难开始滑移,所需外加载荷越大 ---------硬位向

  • 滑移的微观机制

    • 位错:刃位错、螺位错、混合位错

    • 位错的滑移

    • 位错运动阻力

      • 点阵摩擦力(派–纳力)
        τ P − N = 2 G 1 − v exp ⁡ [ − 2 π d ( 1 − v ) b ] = 2 G 1 − v exp ⁡ [ − 2 π W b ] \tau_{P-N}=\dfrac{2G}{1-v}\exp[-\dfrac{2\pi d}{(1-v)b}]=\dfrac{2G}{1-v}\exp [-\dfrac{2\pi W}{b}] τPN=1v2Gexp[(1v)b2πd]=1v2Gexp[b2πW]
        d d d 为滑移面间距,$b $ 为滑移方向上的原子间距, v v v 为泊松比, W = d 1 − v W=\dfrac{d}{1-v} W=1vd 代表位错的宽度

        • τ P − N \tau_{P-N} τPN ( − W ) (-W) (W) 成指数关系,故位错宽度 W W W 越大, τ P − N \tau_{P-N} τPN 越小

        • τ P − N \tau_{P-N} τPN ( − d / b ) (-d/b) (d/b) 成指数关系,故当晶面间距 $d $ 越大, 原子间距 b b b 越小时, τ P − N \tau_{P-N} τPN 越小

          故最密排面、最密排方向易成为滑移面和滑移方向

  • 位错的交互作用

    • 两位错平行 ----------- 同号相斥、异号相吸

    • 两位错垂直 ----------- 位错交割(大小和方向等于对方柏氏矢量的割阶或扭折)

    • 位错塞积(位错与面缺陷的作用)--------- 高度应力集中 --------- 交滑移或攀移 ----- 避开障碍物 ----- 继续滑移------- 应力松弛 ------ 波纹状滑移线

    • 晶体滑移的连续性 ⟹ \Longrightarrow 位错增殖

      F-R 位错源

  • 滑移时晶体的转动

    • 拉伸

      滑移面趋向平行于外力轴方向

      滑移方向趋向平行于最大切应力方向

    • 压缩

      滑移面趋向于垂直外力轴方向

      滑移方向趋向垂直于 最大切应力方向

  • 单滑移和多滑移

    滑移量或变形量小 ⟹ \Longrightarrow 最有利的滑移系开动 ⟹ \Longrightarrow 单滑移 ⟹ \Longrightarrow 滑移线平行

    变形量大 ⟹ \Longrightarrow 晶体转动、外应力大 ⟹ \Longrightarrow 多个滑移系同时或交替开动 ⟹ \Longrightarrow 交滑移 ⟹ \Longrightarrow 滑移线相互交叉

  • 滑移变形特点

    • 滑移不均匀,集中在某些晶面上

    • 平移滑动,相对滑动的两部分晶体位向关系不变

    • 临界分切应力较小

    • 滑移线与应力轴呈一定角度

    • 晶体表面出现滑移线和滑移带,滑移线先于滑移带出现

      滑移是塑性变形的主要机制

孪生变形

  • 孪生现象

    • 晶体均匀切变
    • 产生位向变化
    • 变形与未变形部分呈镜面对称关系
  • 孪生变形过程

    产生了孪晶,每层原子都错动,需要的外力较大

  • 孪生变形特点

    • 部分晶体发生均匀切变
    • 变形与未变形部分呈镜面对称关系,晶体位向发生变化
    • 临界分切应力大
    • 孪生对塑性变形贡献小于滑移
    • 产生表面浮凸

    塑性变形的次要机制,滑移变形难以实现时,就会发生孪生变形

多晶体塑性变形

  • 多晶体塑性变形现象

    单晶体:相当于一个单独的晶粒

    多晶体:多个晶体

  • 位向差影响位错运动

    位向差 ⟹ \Longrightarrow 晶粒间滑移系分切应力差 ⟹ \Longrightarrow 晶粒变形难易程度不同 ⟹ \Longrightarrow 变形不均匀 ⟹ \Longrightarrow 晶粒间相互制约 ⟹ \Longrightarrow 晶界附近有5个独立的滑移系 ⟹ \Longrightarrow 变形协调

  • 晶界影响位错运动

    晶界 ⟹ \Longrightarrow 阻碍位错运动 ⟹ \Longrightarrow 晶体强度上升、位错塞积(应力集中)

  • 位向差、晶界的综合作用

    位向差、晶界对变形的影响是综合的,不可能截然分开

  • 多晶体塑性变形特点

    • 晶粒变形不均匀
      • 晶粒变形先后不一(软位向、硬位向)
      • 各晶粒的变形量有大有小
      • 同一晶粒变形量不同(晶粒中心变形量小,晶界处的变形量大)
    • 晶粒间变形协调
      • 相互制约
  • 细晶强化

    • 霍尔–佩奇公式
      σ s = σ 0 + k d − 1 / 2 \sigma_s = \sigma_0+kd^{-1/2} σs=σ0+kd1/2
      σ s \sigma_s σs 为屈服强度; σ 0 \sigma_0 σ0 为单晶体屈服强度; k k k 为材料常数; d d d 为晶粒直径。

    • 细晶强化机制

      由于晶粒细小,晶界增多,位错阻力增大,使得强度升高;同时由于晶粒较多,降低了应力集中,因此需要更大的外力,这又提高塞积,启动相邻晶粒的滑移系变得困难,这也使得强度升高;另外晶粒较多使位错塞积分散,变形均匀,提高了塑性。

    • 细晶强化特点

      • 强度、塑性同时增高
      • 强韧化潜力大

合金塑性变形

  • 固溶体的塑性变形

    • 合金:由两种或多种元素混合构成的物质

    • 合金种类:

      固溶体合金或化合物合金构成的单向合金;

      固溶体A与固溶体B或固溶体(基体)与化合物(第二相)构成的两相合金

    • 单相固溶体合金的塑性变形

      • 现象

        固溶体合金有多个晶粒

        溶质原子

      • 固溶强化

        • 柯氏气团:位错与溶质原子间的交互作用

          柯氏气团会阻碍位错运动,从而对晶体塑变起到强化作用

        • 溶质原子与位错的应力场交互作用

          置换型 ⟹ \Longrightarrow 溶质大原子 ⟹ \Longrightarrow 进入刃位错下半部(拉应力区) ⟹ \Longrightarrow 点阵畸变减小

          置换型 ⟹ \Longrightarrow 溶质小原子 ⟹ \Longrightarrow 进入刃位错上半部分(压应力区) ⟹ \Longrightarrow 点阵畸变减小

          间隙型 ⟹ \Longrightarrow 溶质原子大于间隙 ⟹ \Longrightarrow 进入刃位错下半部分(拉应力) ⟹ \Longrightarrow 点阵畸变减小

          从而减小体系能量,当位错脱离溶质原子时需要外能量,从而阻碍位错,强化晶体

      • 固溶强化机理

        溶质原子引起点阵畸变 ⟹ \Longrightarrow 溶质原子进入位错 ⟹ \Longrightarrow 对位错起钉扎作用 ⟹ \Longrightarrow 柯氏气团 ⟹ \Longrightarrow 本质上是弹性交互作用

        溶质原子溶入基体 ⟹ \Longrightarrow 层错能下降 ⟹ \Longrightarrow 形成扩展位错 ⟹ \Longrightarrow 难以交滑移 ⟹ \Longrightarrow 位错塞积严重 ⟹ \Longrightarrow 铃木气团 ⟹ \Longrightarrow 化学交互作用

        溶质溶剂价电子数差 ⟹ \Longrightarrow 电偶极 ⟹ \Longrightarrow 电交互作用

      • 影响固溶强化的因素

        • 溶质浓度升高,抗拉强度升高(浓度较低时明显)
        • 原子尺寸差(溶质和溶剂)越大,产生应力场越强,强度越高
        • 固溶体类型:间隙 > 置换
        • 电子浓度:价电子数差越大,静电吸引力越强,强度越高
      • 固溶强化特点

        强度上升,塑性略有下降。

    • 屈服与应变时效

      • 现象

        低碳钢拉伸 ----- 有明显屈服

        卸载后立即重新加载 ------ 不再出现屈服现象

        卸载后放置或经200℃加热再重新加载 ----- 出现屈服现象,且屈服点提高

        这样的现象称为应变时效

      • 机理

        • 屈服机理

          柯垂尔理论

          位错被钉扎 ⟹ \Longrightarrow 变形抗力高 ⟹ \Longrightarrow 上屈服点 ⟹ \Longrightarrow 外力加大 ⟹ \Longrightarrow 脱钉 ⟹ \Longrightarrow 应力下降 ⟹ \Longrightarrow 下屈服点

          位错增殖理论

          变形初期位错数量少 ⟹ \Longrightarrow 变形抗力高 ⟹ \Longrightarrow 上屈服点 ⟹ \Longrightarrow 变形量加大 ⟹ \Longrightarrow 位错增殖 ⟹ \Longrightarrow 变形抗力下降 ⟹ \Longrightarrow 下屈服点

        • 应变时效机理

          柯垂尔理论

          立即加载 ⟹ \Longrightarrow 已经脱钉 ⟹ \Longrightarrow 不再出现屈服

          放置或加热后 ⟹ \Longrightarrow 溶质原子扩散 ⟹ \Longrightarrow 重新钉扎 ⟹ \Longrightarrow 两次屈服

          位错增殖理论

          立即加载 ⟹ \Longrightarrow 位错已经增殖 ⟹ \Longrightarrow 不出现屈服

          放置或加热 ⟹ \Longrightarrow 位错畸变能减小 ⟹ \Longrightarrow 回复 ⟹ \Longrightarrow 位错减少

  • 聚合型两相合金的塑性变形

    影响多相合金塑性变形能力的因素:基体相性质、第二相性质、相界面匹配

    第二相:性能、尺寸

    第二相按尺寸可分为:聚合型(同一数量级)、弥散型(细小弥散)

    聚合性分类:固溶体1+ 固溶体2(塑性相 + 塑性相);固溶体+化合物(第二相)(塑性相 + 硬脆相 )

    • 塑性相 + 塑性相
      σ ˉ = φ 1 σ 1 + φ 2 σ 2 \bar{\sigma}=\varphi_1 \sigma_1 + \varphi_2\sigma_2 σˉ=φ1σ1+φ2σ2
      σ ˉ \bar{\sigma} σˉ 为流变应力; φ 1 、 φ 2 \varphi_1、\varphi_2 φ1φ2 为相1、2的体积分数; σ 1 、 σ 2 \sigma_1、\sigma_2 σ1σ2 为相1、2的流变应力。

      强度随较强相的体积分数变化

      第二相不一定都有强化作用(如第二相较软)

    • 塑性相 + 硬脆相

      • 硬脆相连续网状分布(硬脆相沿晶分布)

        位错运动距离增加 ⟹ \Longrightarrow 运动阻力下降 ⟹ \Longrightarrow 强化作用下降 ⟹ \Longrightarrow 强度低

        ============== ⟹ \Longrightarrow 塞积应力增加 ⟹ \Longrightarrow 增大开裂几率 ⟹ \Longrightarrow 塑性变形能力差

      • 层片状

        位错运动距离下降 ⟹ \Longrightarrow 阻力增加 ⟹ \Longrightarrow 强化作用好 ⟹ \Longrightarrow 强度好

        ============== ⟹ \Longrightarrow 塞积应力下降 ⟹ \Longrightarrow 开裂几率下降(若底片较长,界面易开裂) ⟹ \Longrightarrow 塑性较好

      • 颗粒状

        位错运动距离下降 ⟹ \Longrightarrow 阻力小于层状 ⟹ \Longrightarrow 强化作用小于层状 ⟹ \Longrightarrow 强度较好

        ============== ⟹ \Longrightarrow 塞积应力下降 ⟹ \Longrightarrow 开裂几率下降,界面不易开裂 ⟹ \Longrightarrow 塑性好

      复相强化(第二相强化):取决于第二相性质、形状、分布、数量等因素

  • 弥散型两相合金的塑性变形

    • 不可变形粒子

      • 过程

    arowan_loop

    • 位错绕过机制

      位错遇到第二相颗粒时,

      弯曲变长 ⟹ \Longrightarrow 能量升高 ⟹ \Longrightarrow 位错运动阻力增加 ⟹ \Longrightarrow 强度升高

      留下的位错环 ⟹ \Longrightarrow 阻碍后续位错的运动 ⟹ \Longrightarrow 提高强度

    • 可变形粒子

      • 过程

      • 位错切过机制

        1. 晶格结构不同 ⟹ \Longrightarrow 错配能升高
        2. 反向畴 ⟹ \Longrightarrow 反向畴界能升高
        3. 形成台阶 ⟹ \Longrightarrow 新界面能

        上述三方面使体系能量上升;

        1. 粒子周围弹性应力场 ⟹ \Longrightarrow 阻碍位错运动
        2. 粒子与基体弹性模量差 ⟹ \Longrightarrow 位错线能量变化,位错线张力变化

        综上,都会对位错运动产生阻力 ⟹ \Longrightarrow 提高晶体强度

    • 强化机制

      位错遇到第二相颗粒 ⟹ \Longrightarrow 位错运动阻力上升 ⟹ \Longrightarrow 强度升高

      时效析出第二相颗粒 ------- 沉淀强化(时效强化)

      粉末冶金出第二相颗粒----- 弥散强化

塑性变形引起的变化

  • 塑性变形后的组织变化

    • 纤维组织(沿变形方向拉长的晶粒)

    • 位错胞(变形亚结构)

      冷变形 ⟹ \Longrightarrow 位错密度升高 ,但不均匀分布 ⟹ \Longrightarrow 位错胞

      胞壁为高密度位错,胞内位错密度低 。------- 变形亚结构(变形亚晶) 变形量大 ⟹ \Longrightarrow 数量多,晶粒小

    • 变形织构

      变形 ⟹ \Longrightarrow 晶面转动(晶格转动) ⟹ \Longrightarrow 各晶粒位向趋于一致 ⟹ \Longrightarrow 择优取向 ⟹ \Longrightarrow 变形织构 ⟹ \Longrightarrow 材料表现出宏观各向异性

      丝织构:某一晶向平行于轧向

      板织构:某一晶面平行于轧面,某一晶向平行于轧向

  • 塑性变形后的能量变化

energy-change

  • 宏观内应力 工件各部分变形不均匀

  • 微观内应力 晶粒间变形不均匀

  • 点阵畸变 晶体缺陷

  • 塑性变形后力学性能的变化

    • 冷塑性变形使材料强度和硬度升高,而塑性和韧性下降(加工硬化

    • 加工硬化机理

      • 单晶体硬化现象

      single-jingti-strong

      • 硬化机理

        第一阶段:单滑移系 ⟹ \Longrightarrow 受干扰少 ⟹ \Longrightarrow 位错运动阻力小 ⟹ \Longrightarrow 硬化速率下降

        第二阶段:多滑移系 ⟹ \Longrightarrow 位错交割缠结 ⟹ \Longrightarrow 位错运动阻力大 ⟹ \Longrightarrow 硬化速率增大

        第三阶段:流变应力大 ⟹ \Longrightarrow 交滑移或攀移绕过障碍、异号位错相互抵消 ⟹ \Longrightarrow 硬化速率

      • 多晶体硬化机理

        1. 晶界 ⟹ \Longrightarrow 阻碍位错运动;2. 位向差 ⟹ \Longrightarrow 晶粒间需要协调

          1、2 使得硬化速率变大,同时使单滑移消失,即无第一阶段

  • 塑性变形后物理、化学性能的变化

    • 导电性

      塑性变形后,

      ⟹ \Longrightarrow 空位、位错增多 ⟹ \Longrightarrow 点阵畸变 ⟹ \Longrightarrow 对电子的散射 ⟹ \Longrightarrow 电阻上升

      ⟹ \Longrightarrow 显微组织择优取向 ⟹ \Longrightarrow 电阻下降

    • 磁性

      塑性变形后,

      ⟹ \Longrightarrow 降低 Z n 、 C u Zn、Cu ZnCu 的抗磁性

      ⟹ \Longrightarrow 降低顺磁金属的磁化敏感性

    • 导热性

      塑性变形后,

      ⟹ \Longrightarrow 裂纹、空洞、晶体缺陷 ⟹ \Longrightarrow 导热性下降

    • 密度

      塑性变形后,

      ⟹ \Longrightarrow 裂纹、空洞、晶体缺陷 ⟹ \Longrightarrow 密度下降

    • 电位

      塑性变形后,

      ⟹ \Longrightarrow 点阵畸变 ⟹ \Longrightarrow 电位较高

    • 化学稳定性

      ⟹ \Longrightarrow 内应力、点阵畸变 ⟹ \Longrightarrow 化学稳定性下降

    • 耐蚀性

      电位升高、稳定性下降、裂纹,空洞 ⟹ \Longrightarrow 耐蚀性下降

⟹ \Longrightarrow 显微组织择优取向 ⟹ \Longrightarrow 电阻下降

  • 磁性

    塑性变形后,

    ⟹ \Longrightarrow 降低 Z n 、 C u Zn、Cu ZnCu 的抗磁性

    ⟹ \Longrightarrow 降低顺磁金属的磁化敏感性

  • 导热性

    塑性变形后,

    ⟹ \Longrightarrow 裂纹、空洞、晶体缺陷 ⟹ \Longrightarrow 导热性下降

  • 密度

    塑性变形后,

    ⟹ \Longrightarrow 裂纹、空洞、晶体缺陷 ⟹ \Longrightarrow 密度下降

  • 电位

    塑性变形后,

    ⟹ \Longrightarrow 点阵畸变 ⟹ \Longrightarrow 电位较高

  • 化学稳定性

    ⟹ \Longrightarrow 内应力、点阵畸变 ⟹ \Longrightarrow 化学稳定性下降

  • 耐蚀性

    电位升高、稳定性下降、裂纹,空洞 ⟹ \Longrightarrow 耐蚀性下降

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