OLED 中激子动力学的 3D 主方程

我们描述了一种新的激子有机发光二极管 (OLED) 模拟方法，该方法将连续一维 (1D) 漂移扩散 (DD) 模型与三维 (3D) 主方程 (ME) 模型相结合。这种方法描述了多层 OLED 堆栈中的激子动力学，并附加了与薄膜光学求解器的耦合。

我们的方法有效地将 1D 漂移扩散求解器的计算效率与离散 3D ME 模型的物理精度相结合，其中可以考虑用于能量转移的激子长程相互作用。我们表明，这种混合方法可以有效地描述最近报道的 TADF OLED 的行为。

这个全新的模拟工具现在可以在 Setfos 中使用。

介绍

用于 OLED 的有机半导体中电荷载流子、激子和光子之间的确切机制和相互作用是复杂的，并且没有描述动力学的分析解决方案可用。必须应用数值方法来研究有机发光二极管 (OLED) 的过程并支持开发过程。

两个广泛使用的框架是连续方法，例如确定性漂移扩散 (DD) 模型，以及像概率动力学蒙特卡罗 (kMC) 方法这样的原子方法。主方程 (ME) 模型位于这两种方法之间，因为它像 kMC 一样是原子的，但像 DD 一样是确定性的。 ME 模型可用于描述状态概率质量函数随时间的演变。求解这样一个系统的计算成本也介于 DD 和高要求的 kMC 方法之间。

在标准 Setfos 版本中，通过求解每个半导体层的多个激子速率方程来分析激子动力学。描述激子动力学的 ME 方法在物理精度方面优于前者ÿ