OneMO模组说｜技术学堂-硬件篇（一）：模组SIM卡电路设计指南

SIM卡全称“用户识别模块”，是移动蜂窝互联网与物联网设备的用户识别卡。SIM卡与模组通信易受其他信号干扰造成读卡失败、掉卡等问题，因此在SIM卡电路设计时需要做好抗干扰处理。本文主要从设计原则、原理图和PCB设计注意事项讲解如何进行可靠的SIM卡电路设计。

SIM卡电路设计原则

SIM卡接口一般包括SIM_VCC、SIM_CLK、SIM_RST、SIM_DATA、SIM_GND、SIM_DET，其中CLK、DATA、VCC作为关键引脚，应重点注意这三个引脚的电路设计。

引脚	描述	备注
SIM_VCC	供电引脚	供电电压1.8V/3.0V±5%.
SIM_CLK	时钟输入引脚
SIM_RST	复位引脚
SIM_DATA	数据输入输出引脚
SIM_GND	SIM卡专用地	可直接与主GND连接
SIM_VPP	编程电压输入引脚	基本不用，直接悬空
SIM_DET	卡插拔检测引脚	低电平拔出，高电平插入（部分模组不支持该功能）

表1 引脚描述表

在进行SIM卡电路设计时，需遵循以下原则：

1. SIM卡座布局尽量靠近模组SIM接口，走线过长会影响信号质量；

2. SIM_CLK和SIM_DATA走线包地以屏蔽干扰，建议走线保持3倍线宽间距，SIM卡信号线远离射频走线和电源走线；

3. SIM_VDD并联33pF和1uF电容到地，如果SIM_VDD走线过长，必要时也可增加一个4.7uF电容；

4. SIM_GND应就近连接到模组主GND网络；

5. SIM_CLK、SIM_DATA和SIM_RST并联33pF到地，防止射频信号干扰；

6. 若选用的模组其内部没做SIM_DATA上拉，建议SIM_DATA通过10KΩ电阻上拉到SIM_VDD，增加DATA线驱动能力；

7. 建议在SIM卡座附近设计ESD保护，建议选择最大反向工作电压为5V的TVS管，寄生电容小于10pF，布局位置尽量靠近卡座引脚；

8. SIM_DET低电平表示拔出，高电平表示插入；

9. 预留端接电阻22Ω可抑制EMI杂散传输，改善波形，一般使用0Ω电阻即可 。

SIM卡部分的电路一般参考下图进行设计：

图1 SIM卡电路参考设计图

原理图设计注意事项

• 注意1：若电容、电阻、TVS管参数选取不当，会导致读卡不良

通常来说，在考虑电容、电阻、TVS管等参数时，需重点关注以下三个问题：

10. 电容容值不宜选取过大，过大会导致无法过滤来自射频干扰、SIM卡信号波形变缓，甚至致读卡失败；

11. 端接电阻值不宜过大，过大会导致信号驱动能力下降及波形异常；

12. TVS管寄生电容不宜过大，过大会导致波形变缓，读卡失败。

• 注意2：若SIM卡座浮地，会导致读卡不良

SIM卡座浮地指的是客户SIM卡座的SIM_GND信号未与模组主GND连接，形成SIM卡浮空，可能导致读卡失败。建议卡座外壳的焊接引脚尽量接地。

• 注意3：若SIM卡检测引脚逻辑错误，会导致读卡不良

在使用SIM卡检测引脚时，客户有时会误用和模组检测逻辑相反的卡座，导致SIM卡检测功能异常，或者未将SIM_DET上拉至VDD_EXT，导致SIM卡无法检测。因此，客户在选择SIM卡座时，需注意检测引脚是否与模组检测逻辑相同，即SIM_DET用低电平表示拔出、高电平表示插入。

PCB设计注意事项

• 注意1：关键信号需包地

问题实例：如图2所示，SIM_CLK和SIM_DATA未包地，易受干扰。

修改建议：若周围有其他信号干扰，建议对SIM卡关键信号包地处理以避免干扰；若SIM卡信号周围无其他信号，则适当拉开走线间距，保持3倍线宽间距，不用单独包地。

图2 关键信号包地示例图

• 注意2：防止信号干扰

问题实例：如图3所示，VBAT处于SIM卡信号正下方，且同层离SIM卡信号太近，信号差时易产生掉卡现象。另外，SIM卡座的GND未连接到主GND，造成SIM卡信号浮空，无法读卡。

修改建议：电源VBAT网络走线避开SIM卡走线，SIM卡座的GND引脚连接到主GND。

图3 SIM卡座电路信号干扰示例图

• 注意3：布局布线要合理

问题实例：电容和ESD管布局错误，造成走线过长，且ESD失去保护后级IO作用，容易引起读卡失败和静电损坏。

修改建议：电容和ESD管靠近卡座摆放，走线先过ESD，后过电容，对后级电路形成有效保护。

图4 SIM卡座电路布局布线示例图

• 注意4：卡座封装要正确

问题实例：图5红框内贴片SIM卡封装右侧引脚对应错误，导致读卡失败。

修改建议：按照图6正确的引脚定义修改卡座封装，重新布线。

图5 卡座封装引脚对应错误电路示例图

图6 卡座封装电路示例图