5）MSP430的Flash存储器

FLASH存储器的主要功能部件

 

控制寄存器：控制FLASH存储器的檫除与写入

FLASH存储器阵列：存储体

地址数据锁存器：檫除与编程时执行锁存操作

编程电压发生器：产生编程电压

时序发生器：产生檫除与编程所需所有时序控制信号

 

 

 

 

擦除操作

 
选择适当的时钟源和分频因子，为时序发生器提供正确时钟输入
如果Lock=1，则将它复位
监视BUSY标志位只有当BUSY=0时才可以执行下一步，否则一直监视BUSY。
如果擦除一段，则设置ERASE=1。
如果擦除多段，则设置MERAS=1
如果整个FLASH全擦除，则设置RASE=1同时MERAS=1。
对擦除的地址范围内任意位置作一次空写入，用以启动擦除操作。如果空写的地址在不能执行擦除操作的段地址范围内，则写入操作不起作用

 

FLASH编程操作

 

选择适当的时钟源以及合适的分频因子
如果Lock=1，将它复位
监视BUSY位，直到BUSY=0是才可进入下一步
如果写入单字或单字节，则将设置WRT=1
如果是块写或多字、多字节顺序写入，则将设置WRT=1，BLKWRT=1
将数据写入选定地址时启动时序发生器，在时序发生器的控制下完成整个过程

 

FLASH错误操作的处理

 

如果写入高字节口令码错误，则引发PUC信号：小心操作可以避免；
在对FLASH操作期间读FLASH内容，会引发ACCVFIG状态位的设置：小心操作可以避免
因为在对FLASH操作期间，需要较长的时间，如果这时看门狗定时器的数据将近尾声，则看门狗定时器溢出：建议用户程序在进行FLASH操作之前先停掉看门狗定时器，等操作结束之后再打开看门狗
所有的FLASH类型的MSP430器件的0段都包含有中断向量等重要的程序代码，如果对其进行擦除操作，将会引起严重的后果：建议用户程序在进行FLASH操作之前，先将该段的重要数据（或程序代码）保存到RAM中或写入到其他暂时未用的段中，等待该段操作完毕再还原那些数据（或程序代码）；同时一定不要使正在执行的程序处在正要被擦除的段中；也不要在FLASH操作期间允许中断的发生。

 

下面这个图是Flash储存器的组织

 

 

 

 

 

这个图示flash的周期时序

 

 

 

 

 

EXAMPLE:

信息段A和B的擦和写操作。现将内存中的double型数据和int型数据保存到信息段A中，再将其从信息段A复制到信息段B中。

#include <msp430x44x.h>
double data[8];
int add;
void write_SegA(void);
void Copy_A2B(void);
void main(void)
{
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;//STOP THE WATCHDOG
FCTL2 = FWKEY + FSSEL0 + FN0;// initialize the clock
for(int i=0;i<8;i++ )
{
data[i] = i;
}                          //initialize unsigned int data
add = 8;
write_SegA();
Copy_A2B();
for(;;);
}

void write_SegA(void)
{
double* Flash_data_ptr;
unsigned int* Flash_int_ptr;
unsigned int i;

Flash_data_ptr = (double*)0x1080; //intialize
FCTL1 = FWKEY + ERASE; //允许擦出
FCTL3 = FWKEY;        //解锁
*Flash_data_ptr = 0;//空写，启动擦除
FCTL1 = FWKEY + WRT;//允许写

for(i=0;i<8;i++)
{
  *Flash_data_ptr++ = data[i];
}
Flash_int_ptr = (unsigned int*)Flash_data_ptr; //initialize
*Flash_int_ptr = add;                         //写入unsigned int

FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;
}

 

void Copy_A2B(void)
{
double *Flash_data_ptrA;    //信息段A double型 Flash 指针
double *Flash_data_ptrB;    //信息段B double型 Flash 指针
unsigned int *Flash_int_ptrA;
unsigned int *Flash_int_ptrB;
unsigned int i;

Flash_data_ptrA = (double *)0x1080;
Flash_data_ptrB = (double *)0x1000;

FCTL1 = FWKEY + ERASE; // 允许擦除
FCTL3 = FWKEY;         //解锁
*Flash_data_ptrB = 0;  //空写
FCTL1 = FWKEY + WRT;  // 允许写

for(i = 0;i<8;i++)
{
*Flash_data_ptrB++ = *Flash_data_ptrA++;//COPY
}
Flash_int_ptrA = (unsigned int*)Flash_data_ptrA;//初始化信息段 A unsigned int 型指针
Flash_int_ptrB = (unsigned int*)Flash_data_ptrB;//初始化信息段 B unsigned int 型指针
*Flash_int_ptrB = *Flash_int_ptrA;

FCTL1 = FWKEY;
FCTL3 = FWKEY + LOCK;                            //锁定
}

下面贴上运行的结果（在449下的调试结果）

初始化状态

void write_SegA(void)后

void Copy_A2B(void)后

 

另外，不同型号的Flash区别只在于主存储器的地址范围不一样！