msp430FLASH存储器模块

1.特点：(擦除操作段执行)

位、字节、字操作

JTAG、BSL、ISP编程

1.8~3.6V工作电压，2.7~3.6V编程电压

擦除编写程序100000次

数据保持10年到100年

60KB空间编程<5s

保密熔丝烧断后不可恢复，不能再对JTAG进行任何访问

擦除时间由内部硬件控制。

2.结构：

N段主存储器（每段512字节，地址第0段源于0FFFFH，不同型号最后一段地址不同）和2段信息存储器（A、B。每段128字节，地址：1000H~10FFH）组成

 

控制寄存器：控制擦除写入

FLASH存储器阵列：存储区

地址数据锁存器：锁存操作

编程电压发生器：

时序发生器：产生时序控制信号（存储器阵列地址、数据锁存器的锁存信号、编程电压发生器所需电压）（BUSY、WAIT、EMEX）

 

3.作用：

用作程序代码、数据表格、用户信息的存储（运行的程序代码区和待编写的存储区不能在同一段中）

 

4.寄存器：

 

5.FLASH操作：

擦除：

对FLASH控制寄存器写入适当的控制位

监视BUSY位

空写一次

等待

 

编程：

对FLASH控制寄存器写入适当的控制位

监视BUSY位

写一个数据

继续写一直到写完

 

读出：

 

 

6.FLASH错误操作的处理

若写入高字节错误，引发PUC信号。小心避免

对FLASH操作期间读FLASH内容，引发ACCVFIG状态位的设置。小心可避免

关闭看门狗

先将0段的中断向量保存到RAM中。