不同浓度氢氧化钠对硅晶片的优化

引言

硅片表面纹理处理是一种广泛应用于太阳能电池工业和探测器等各种应用中的工艺，最建议的腐蚀剂是氢氧化钠和氢氧化化钾。本文采用由氢氧化钠、异丙醇（IPA）和水合肼组成的碱性各向异性蚀刻溶液研究硅纹理。碱性各向异性蚀刻溶液的优点是对Si（100）衬底的均匀蚀刻。

在本文中，英思特优化了硅的纹理，以捕获入射光，以减少来自硅表面的光反射。该技术应用于薄膜太阳能电池，蚀刻过程导致在衬底表面形成具有平面取向为{111}的锥体结构。图1显示了锥体结构的形成。

图1：蚀刻前后硅表面示意图

实验与讨论

采用电阻率为1~35Ωcm范围内的高掺杂p型硅（100）晶片作为衬底，在厚度为250µm的方形样品（20 mm×20 mm）上进行实验。在蚀刻前，使用常规的RCA方法对硅表面进行化学清洗，以去除表面上的颗粒物。将底物依次在1：1：5（按体积）的氢氧化铵（NH4OH）：过氧化氢（H2O2）：H2O中浸泡10min，1：50（按体积）的HF：H2O中浸泡20s，然后在1：1：6（按体积）的盐酸：过氧化氢：水中浸泡10 min。最后用去离子水（DI）清洗样品。

蚀刻表面的形貌取决于温度、浓度、溶液、蚀刻时间、原子缺陷和硅晶片的晶体取向等参数，其中最重要的参数之一是原子在硅晶格中的位置，图2为所描述的硅的不同晶面。（111）平面上的硅原子密度高于（100）平面上的硅原子密度，因此（100）平面很容易溶解在蚀刻剂中，但（111）平面对蚀刻剂的阻力更大，这些平面的蚀刻速率较慢。因此，通过（100）晶体取向的硅片各向异性蚀刻形成硅微金字塔。

 图2：立方单位的米勒指数和晶体平面

结论

为了降低晶体硅表面的反射光谱，英思特采用化学蚀刻工艺制备了硅微锥体结构。高均匀性的硅金字塔具有较高的抗反射性能。因此，它有望在高效的硅基太阳能电池中得到潜在的应用。我们通过在蚀刻溶液中应用不同浓度的氢氧化钠，优化了硅微锥体结构的形成。

江苏英思特半导体科技有限公司主要从事湿法制程设备，晶圆清洁设备，RCA清洗机，KOH腐殖清洗机等设备的设计、生产和维护。